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公开(公告)号：CN111740312B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010600397.3
申请日：2020-06-28
申请人： 海南师范大学
摘要： 本发明公开了一种双波长单片集成面发射半导体激光器，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底顶端自下而上依次生长有缓冲层，第一底部DBR层，第一下势垒层，第一有源层，隧道结层，电流注入层，第一上势垒层，第一顶部DBR层，欧姆接触层，第二底部DBR层，第二下势垒层，第二有源层，第二上势垒层，第二顶部DBR层，盖层，第三底部DBR层，第三下势垒层，第三有源层，第三上势垒层，第三顶部DBR层，窗口层。本发明不仅能够获得高质量的高反射率腔镜，还能有效减小谐振腔的腔长，有利于芯片集成。
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公开(公告)号：CN111477729B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010480168.2
申请日：2020-05-30
申请人： 海南师范大学
摘要： 本发明公开了一种带有五阶梯型量子阱和V型电子阻挡层结构的发光二极管，包括蓝宝石衬底，蓝宝石衬底顶端自下而上依次生长有n‑Al0.6Ga0.4N层、多量子阱有源区、p‑AlxGa0.18N电子阻挡层、p‑Al0.6Ga0.4N层、p‑GaN欧姆接触层，p‑AlxGa0.18N电子阻挡层为V型电子阻挡层，V型电子阻挡层平均分为两层，下层Al组分x自下而上由0.82渐变到0.57，上层Al组分x自下而上由0.57渐变到0.82。本发明通过五阶梯型量子阱和V型电子阻挡层结构的同时作用，提高了发光二极管的辐射复合效率。
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公开(公告)号：CN115473121A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211132440.3
申请日：2022-09-17
申请人： 海南师范大学
摘要： 本发明公开了发明了一种可调谐半导体激光光源发射装置。包括半导体激光（1）、准直镜（2）、梳状滤波器（3）、偏振分光棱镜（4）、半波片（5）、聚焦镜（6）、高反射镜（7）和压电陶瓷（8）。1550nm半导体激光（1）通过准直镜（2）准直，入射到梳状滤波器（3）上滤波，接着通过偏振分光棱镜（4），再通过半波片（5）后，经过聚焦镜（6）聚焦到高反射镜（7）上，反射光再通过聚焦镜（6）变成准直光，准直光通过半波片（5），再通过偏振分光棱镜（4），实现可调谐半导体激光光源发射。
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公开(公告)号：CN114976842A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210775561.3
申请日：2022-07-03
申请人： 海南师范大学
IPC分类号： H01S3/0941 , H01S3/109 , H01S3/16 , G01S7/484 , G01S7/4911
摘要： 一种海洋监控连续激光雷达光源发射装置，包括：第一个808nm半导体激光（1）、第二个808nm半导体激光（2）、第一个808nm聚焦镜（3）、第二个808nm聚焦镜（4）、分光镜（5）、Nd:YVO4激光晶体（6）、输出耦合镜（7）、第一个LBO晶体（8）、第二个LBO晶体（9）、输出镜（10）。本装置采用双端泵浦和双倍频晶体倍频，可以大大提高蓝绿光激光输出功率，为海洋监控激光雷达光源提供技术支持。
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公开(公告)号：CN114744479A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210410572.1
申请日：2022-04-19
申请人： 海南师范大学
IPC分类号： H01S3/16 , H01S3/0941
摘要： 本发明公开了一种人眼安全激光雷达光源发射装置，包括基板（1）、散热模块（2）、976nm半导体激光（3）、第一支架（4）、聚焦镜（5）、第二支架（6）、输入镜（7）、第三支架（8）和焦硅酸镥激光晶体（9）、第四支架（10）和输出镜（11）。976nm半导体激光（3）通过聚焦镜（5）聚焦，聚焦后的光再通过输入镜（7）通过焦硅酸镥激光晶体（9），产生1550nm光波，最后通过输出镜（11），实现1550nm人眼安全激光雷达光源输出。
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公开(公告)号：CN114094442A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111328397.3
申请日：2021-11-10
申请人： 海南师范大学
IPC分类号： H01S5/34 , H01S5/22 , H01S5/0625
摘要： 本发明提供了一种双波长量子级联半导体激光器芯片，为带有双分布布拉格反射器的脊形波导耦合放大结构，包括：布拉格光栅一和布拉格光栅二，布拉格光栅一和布拉格光栅二之间通过脊形波导一联结，布拉格光栅二通过脊形波导二联结二级锥形功率放大结构，脊形波导二的发射光被单片耦合到二级锥形功率放大结构中；所述布拉格光栅一和布拉格光栅二激射波长分别为4.5μm、4.6μm。本发明利用双DBR通过脊形波导联结，实现双波长高功率、高光束质量的红外激射的机理；进而提高其近衍射极限输出功率和光谱稳定性。
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公开(公告)号：CN113561098A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110964343.X
申请日：2021-08-22
申请人： 海南师范大学
IPC分类号： B25B11/00
摘要： 本发明公开了一种770nm分布反馈布拉格半导体激光腔面镀膜夹具，包括底板1、滑板6和盖板7。底板1包括第一通孔2、第二通孔3、第三通孔4和第四通孔5；盖板3包括：第五通孔8、第六通孔9、第七通孔10、第八通孔11、第一内螺纹孔12和第二内螺纹孔13。在底板1上堆叠解离好的bar条芯片，堆叠好bar条芯片后，再通过第一通孔2和第五通孔8、第二通孔3和第六通孔9、第三通孔4和第七通孔10、第四通孔5和第八通孔11两两匹配将盖板7固定在底板1上。最后将滑板6插入底板1和盖板7之间的滑道，通过第一内螺纹孔12和第二内螺纹孔13固定bar条芯片，装夹完毕，准备镀膜。
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公开(公告)号：CN113561097A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110964337.4
申请日：2021-08-22
申请人： 海南师范大学
摘要： 本发明公开了一种780nm分布反馈布拉格半导体激光腔面镀膜夹具，包括托板1、弹簧板4和固定板6。托板1包括第一通孔2和第二通孔3；弹簧板4下端有弹簧片5；固定板6包括：第三通孔7、第四通孔8、第一内螺纹孔9和第二内螺纹孔10。首先将固定板6和托板1通过第一通孔和第三通孔、第二通孔和第4通孔两两匹配用螺丝和螺母固定在一起；接着在托板1上堆叠780nm分布反馈布拉格半导体激光器解离好的芯片bar条；堆叠好780nm分布反馈布拉格半导体激光器解离好的芯片bar条后，再将弹簧板4插入固定板6和托板1之间的滑道；最后通过第一内螺纹孔9和第二内螺纹孔10固定780nm分布反馈布拉格半导体激光器芯片bar条，装夹完毕，准备镀膜。
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公开(公告)号：CN111064075B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201911370015.6
申请日：2019-12-26
申请人： 海南师范大学
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 本发明公开了一种深紫外垂直腔半导体激光器的外延结构，包括：衬底，衬底为N型衬底；在衬底上表面依次生长的N型过渡层、下DBR反射镜层、下波导层、下势垒层、量子阱层、上势垒层、上波导层、上DBR反射镜层及P型重掺杂层；在P型重掺杂层上表面设置的P面电极；及在衬底下表面设置的N面电极。本发明中的激光器光‑电转化率高，还具有窄的光谱宽度、高功率，高的工作稳定性，可靠性好的优点，且结构简单、体积小。
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公开(公告)号：CN112636183A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202110103144.X
申请日：2021-01-26
申请人： 海南师范大学
摘要： 本发明公开了一种提高850nm半导体激光功率密度的方法，包括850nm半导体激光单管模块（1）、准直镜（2）、光纤（3）、环形固定器（4）、空心梯型圆台（5）和聚焦镜（6）。空心梯型圆台（5）包括圆台上底面（5‑1）、圆台外侧面（5‑2）、圆台下底面（5‑3）和圆台内侧面（5‑4）。850nm半导体激光单管模块（1）通过准直镜（2）耦合进光纤（3），光纤（3）通过环形固定器（4）后，垂直入射到空心梯型圆台（5）的圆台下底面（5‑3），在圆台外侧面（5‑2）和圆台内侧面（5‑4）发生全反射，经过圆台上底面（5‑1）入射到聚焦镜（6），实现提高850nm半导体激光输出光功率密度。
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