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公开(公告)号：CN103594576A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310501021.7
申请日：2013-10-22
申请人： 溧阳市东大技术转移中心有限公司
发明人： 丛国芳
摘要： 本发明公开了一种发光器件，所述发光器件自下往上依次为底电极、蓝宝石衬底、低温缓冲层、n型掺杂层、多量子阱层、p型掺杂层、叠层电极。
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公开(公告)号：CN103594567A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310497448.4
申请日：2013-10-21
申请人： 溧阳市东大技术转移中心有限公司
发明人： 丛国芳
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/42 , H01L2933/0016
摘要： 本发明公开了一种高出光效率的垂直型发光二极管的制造方法，依次包括如下步骤：（1）形成底电极；（2）在底电极上形成底粗化层；（3）在底粗化层上形成底透明导电层；（4）在底透明导电层上形成p型半导体层；（5）在p型半导体层上形成半导体发光层；（6）在半导体发光层上形成n型半导体层；（7）在n型半导体层上形成顶透明导电层；（8）在顶透明导电层上形成顶粗化层；（9）在顶粗化层上形成顶电极。
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公开(公告)号：CN103594350A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310500494.5
申请日：2013-10-22
申请人： 溧阳市东大技术转移中心有限公司
发明人： 丛国芳
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/283
CPC分类号： H01L29/66477 , H01L21/324
摘要： 本发明公开了一种减小界面层生长的方法，依次包括如下步骤：（1）在硅衬底上生长SiO2界面层；（2）在SiO2界面层上沉积高k栅介质层；（3）在高k栅介质层上沉积金属栅电极；（4）在金属栅电极上沉积一层氮化硅保护层；（5）离子注入形成源区和漏区；（6）对硅衬底进行预加热；（7）采用激光脉冲对源区和漏区进行退火；（8）去除氮化硅保护层，完成器件的制作。
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公开(公告)号：CN103607845B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201310495707.X
申请日：2013-10-21
申请人： 溧阳市东大技术转移中心有限公司
发明人： 丛国芳
摘要： 本发明公开了一种多层柔性印刷电路板的制造方法，依次包括以下步骤：（1）制作第一柔性印刷电路板；（2）制作第二柔性印刷电路板；（3）将第一柔性印刷电路板和第二柔性印刷电路板进行压合；（4）对完成在步骤（3）的多层柔性印刷电路板进行激光打孔；（5）在上述多层柔性印刷电路板不需要焊接电子元件的位置印刷防焊油墨；（6）将多层柔性印刷电路板采用激光切割工艺切割成预定的规格。
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公开(公告)号：CN103594597B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310499940.5
申请日：2013-10-22
申请人： 溧阳市东大技术转移中心有限公司
发明人： 丛国芳
IPC分类号： H01L33/40
摘要： 本发明公开了一种发光器件上的叠层电极，其特征在于，所述叠层电极包括：反射层、阻挡层、聚结抑制层以及氧化屏蔽层。
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公开(公告)号：CN103606590B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201310495934.2
申请日：2013-10-21
申请人： 溧阳市东大技术转移中心有限公司
发明人： 丛国芳
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池的制造方法依次包括如下步骤：（1）提供衬底，在衬底上形成第一过渡金属层；（2）对第一过渡金属层的上表面进行粗化；（3）在第一过渡金属层的上表面上溅镀金属材料层，然后对该金属材料层的上表面进行粗化，从而形成粗化金属层；（4）在粗化金属层的上表面形成p型半导体层，然后对p型半导体层的上表面进行粗化处理；（5）在p型半导体层的上表面上形成n型半导体层，然后对n型半导体层的上表面进行粗化处理；（6）在n型半导体层的上表面上依次形成第二过渡金属层、ZnO层以及透明导电层。
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公开(公告)号：CN103606610B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310496325.9
申请日：2013-10-21
申请人： 溧阳市东大技术转移中心有限公司
发明人： 丛国芳
IPC分类号： H01L33/38
摘要： 本发明公开了一种发光二极管的电极结构，该电极结构包括底部平坦电极，在该底部平坦电极上具有：第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极，其中第二金属电极位于第一金属电极和第三金属电极之间。
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公开(公告)号：CN103594927B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310499248.2
申请日：2013-10-22
申请人： 溧阳市东大技术转移中心有限公司
发明人： 丛国芳
摘要： 本发明公开了一种n型衬底激光二极管，包括p-GaN衬底，其中，p-GaN衬底下具有p电极；在p-GaN衬底上依次具有p型界面层、发光层、n型界面层、n型注入层、n电极。
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公开(公告)号：CN103594587B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310496783.2
申请日：2013-10-21
申请人： 溧阳市东大技术转移中心有限公司
发明人： 丛国芳
摘要： 本发明公开了一种发光二极管打线电极的制造方法，依次包括如下步骤：（1）自下而上依次形成p型半导体层、半导体发光层和n型半导体层；（2）在n型半导体层上形成透明的平坦电极；（3）在平坦电极上蒸镀合金金属层；（4）对合金金属层进行光刻、刻蚀工艺，从而将合金金属层形成为凸块电极；（5）对凸块电极的上表面以及所有侧表面进行粗化处理，从而形成凸块粗化电极。其中凸块粗化电极的表面粗糙度在10nm以上、15nm以下。
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公开(公告)号：CN103602966B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310511782.0
申请日：2013-10-26
申请人： 溧阳市东大技术转移中心有限公司
发明人： 丛国芳
IPC分类号： C23C18/48
摘要： 本发明公开了一种非晶氧化锌/钛/磷复合材料的制造方法，依次包括如下步骤：（1）准备纯钛板，将纯钛板清洗干净后干燥备用；（2）配置混合镀液；（3）将步骤（2）中的混合镀液升温，当温度达到50-75℃时，将纯钛板浸入混合镀液中进行化学镀，当镀层达到预定厚度后将镀有非晶氧化锌/钛/磷复合材料的纯钛板取出，清洗后进行干燥处理；（4）将非晶氧化锌/钛/磷复合材料的镀层从纯钛板表面分离出来；（5）将分离出来的非晶氧化锌/钛/磷复合材料的镀层浸入重新配置的混合镀液中，在温度为50-75℃的条件下进行化学镀，当达到设定总厚度后取出，清洗后进行干燥处理，完成非晶氧化锌/钛/磷复合材料的制作。
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