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    一种MOS器件的掺杂方法
    1.
    发明授权
    一种MOS器件的掺杂方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN103617948B

    公开(公告)日：2016-09-28

    申请号：CN201310500173.5

    申请日：2013-10-22

    申请人： 溧阳市东大技术转移中心有限公司

    发明人： 丛国芳

    IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L21/336

    摘要： 本发明公开了一种MOS器件的掺杂方法，所述方法依次包括如下步骤：步骤一，将硅片置入扩散炉中进行第一次热扩散；步骤二，在上述扩散炉中通入氧气，从而在硅片表面形成薄氧化层；步骤三，在硅片的薄氧化层表面涂覆混合液，然后进行第二次热扩散掺杂。

    一种平台型发光二极管
    2.
    发明授权
    一种平台型发光二极管 有权 转让

    公开(公告)号：CN103606605B

    公开(公告)日：2016-08-24

    申请号：CN201310496315.5

    申请日：2013-10-21

    申请人： 溧阳市东大技术转移中心有限公司

    发明人： 丛国芳

    IPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/14

    摘要： 本发明公开了一种平台型发光二极管，所述发光二极管具有衬底；在衬底表面上具有半球形的第一底透明导电层，在第一底透明导电层的半球形表面以及半球形第一底透明导电层之间具有底粗化层，在底粗化层的上表面具有第二底透明导电层；在第二底透明导电层的第一区域表面上具有底电极，在第二底透明导电层的第二区域表面上依次具有p型半导体层、半导体发光层以及n型半导体层；在n型半导体层上具有半球形的第一顶透明导电层；在第一顶透明导电层的半球形表面以及半球形第一顶透明导电层之间具有顶粗化层；在顶粗化层的上表面具有第二顶透明导电层；在第二顶透明导电层的表面上具有顶电极。

    一种发光二极管电极的制造方法
    3.
    发明授权
    一种发光二极管电极的制造方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN103606609B

    公开(公告)日：2016-08-17

    申请号：CN201310495996.3

    申请日：2013-10-21

    申请人： 溧阳市东大技术转移中心有限公司

    发明人： 丛国芳

    IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/62

    摘要： 本发明公开了发光二极管电极的制造方法，依次包括如下步骤：（1）自下而上依次形成p型半导体层、半导体发光层和n型半导体层；（2）在n型半导体层上形成透明的平坦电极；（3）在平坦电极上蒸镀合金金属层；（4）对合金金属层进行光刻、刻蚀工艺，从而将合金金属层形成为凸块电极。

    一种具有粗化表面的电极结构的制造方法
    4.
    发明授权
    一种具有粗化表面的电极结构的制造方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN103594586B

    公开(公告)日：2016-06-29

    申请号：CN201310496745.7

    申请日：2013-10-21

    申请人： 溧阳市东大技术转移中心有限公司

    发明人： 丛国芳

    IPC分类号： H01L33/38

    摘要： 本发明公开了一种具有粗化表面的电极结构的制造方法，其特征在于，所述方法依次包括如下步骤：（1）形成底部平坦电极，（2）在底部平坦电极上蒸镀金属材料层，对该金属材料层进行图案化以形成第一金属电极和第三金属电极；（3）对第一金属电极和第三金属电极的上表面进行粗化处理，形成粗化层；（4）在第一金属电极和第三金属电极之间蒸镀金以形成第二金属电极。

    一种太阳能电池
    5.
    发明授权
    一种太阳能电池 有权 转让

    公开(公告)号：CN103606576B

    公开(公告)日：2016-06-08

    申请号：CN201310495955.4

    申请日：2013-10-21

    申请人： 溧阳市东大技术转移中心有限公司

    发明人： 丛国芳

    IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/0352

    CPC分类号： Y02E10/50

    摘要： 本发明公开了一种太阳能电池，具有以下结构：具有衬底，在衬底上依次具有第一过渡金属层，粗化金属层、p型半导体层、n型半导体层、第二过渡金属层、ZnO层以及透明导电层。衬底具有平坦的上表面，第一过渡金属层的上表面与粗化金属层的下表面之间的接触面为第一粗化面，粗化金属层的上表面与p型半导体层的下表面之间的接触面为第二粗化面；p型半导体层的上表面与n型半导体层的下表面之间的接触面为第三粗化面；n型半导体层的上表面与第二过渡金属层的下表面之间的接触面为第四粗化面；第二过渡金属层的上表面与ZnO层的下表面之间的接触面为平坦的接触面；ZnO层的上表面与透明导电层的下表面之间的接触面为平坦的接触面。

    形成电极键合结构的方法
    6.
    发明授权
    形成电极键合结构的方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN103606606B

    公开(公告)日：2016-04-06

    申请号：CN201310495708.4

    申请日：2013-10-21

    申请人： 溧阳市东大技术转移中心有限公司

    发明人： 丛国芳

    IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/62

    摘要： 本发明公开了一种形成电极键合结构的方法，依次包括如下步骤：（1）在发光二极管上形成平坦电极；（2）在平坦电极上蒸镀金属材料层，对该金属材料层进行图案化以形成第一金属电极和第三金属电极；（3）在第一金属电极和第三金属电极之间蒸镀金以形成第二金属电极；（4）将键合金丝至于第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极上，通过键合压块将键合金丝压合到第一、第二和第三金属电极上，完成电极键合结构。

    一种n型外延衬底激光二极管
    9.
    发明授权
    一种n型外延衬底激光二极管 有权 转让

    公开(公告)号：CN103594929B

    公开(公告)日：2015-11-25

    申请号：CN201310500560.9

    申请日：2013-10-22

    申请人： 溧阳市东大技术转移中心有限公司

    发明人： 丛国芳

    IPC分类号： H01S5/343

    摘要： 本发明公开了一种n型外延衬底激光二极管，包括蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上具有n-GaN外延衬底，在n-GaN外延衬底上具有发光结构;其中，所述发光结构设置于n型外延衬底的中部区域，该发光结构由下至上依次具有n型界面层、发光层、p型界面层、p型注入层以及p电极；n-GaN外延衬底的外围区域上具有n电极;其中，所述p型注入层为空穴注入层;所述n电极环绕所述发光结构；所述n电极的厚度不大于n型界面层的厚度，并且n电极与n型界面层之间具有空隙。

    包括La2O3应力缓冲体的压电元件的制造方法
    10.
    发明公开
    包括La2O3应力缓冲体的压电元件的制造方法 无效

    公开(公告)号：CN103762305A

    公开(公告)日：2014-04-30

    申请号：CN201310510875.1

    申请日：2013-10-26

    申请人： 溧阳市东大技术转移中心有限公司

    发明人： 丛国芳

    IPC分类号： H01L41/273

    摘要： 本发明公开了一种压电元件的制造方法，包括如下步骤：以PZT作为主要成分浆料印刷形成坯片；将电极图案用的浆料印刷在坯片上；将La2O3浆料印刷在坯片上面中没有印刷有电极图案的区域，形成La2O3浆料层；将形成有电极图案和La2O3浆料层的坯片层叠，形成坯层叠体；对其加热的同时进行压制，然后切断；对其进行脱脂处理后进行烧结，得到作为烧结体的层叠体；并在层叠体的侧面上形成外部电极；最后进行极化处理，得到压电元件。根据该方法制得的压电元件具有优良的压电特性，并且能够防止压电元件在层叠体的层叠方向上延伸的裂缝。