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公开(公告)号：CN115276567B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211170679.X
申请日：2022-09-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于低噪声放大器技术领域，具体提供基于第二级栅极反馈结构的超宽带共源共栅低噪声放大器，通过在芯片部分中引入第二级栅极反馈：一端连接于共栅级晶体管T2（第二级晶体管）的漏极与芯片输出端口之间，另一端连接于共栅级晶体管T2的栅极与接地电容之间；与现有第一级栅极反馈结构相比，本发明能够有效克服其以牺牲噪声系数为代价改善端口反射系数的问题；与现有第一级漏极反馈结构相比，本发明能够有效克服其对端口驻波的调节作用极其有限的问题；最终，本发明能够显著降低器件的输入端口反射系数、输出端口反射系数，增加器件的输出1dB压缩点，并且保持器件优异的噪声系数，进而实现超宽带共源共栅低噪声放大器。
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公开(公告)号：CN115270679B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211188177.X
申请日：2022-09-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/373
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，提供一种基于Angelov模型的GaN晶体管的建模方法，首先构建器件的模型拓扑结构以及电流方程表达式，然后对器件进行测试得到I‑V输出曲线、跨导gm曲线、二阶跨导gm2曲线与三阶跨导gm3曲线，最后构建误差函数，并基于测试数据进行优化得到最优电流方程，即得到GaN晶体管的Angelov模型；本发明在优化过程中引入高阶跨导，并根据器件特性在高阶跨导引入过程中进行基于栅极电压的重点拟合区域划分，再依据划分结果对高阶跨导进行特定权重设置，最终使得本发明得到模型能够显著提升器件线性度仿真精度，同时对小信号S参数、负载牵引和功率扫描等仿真也能够获得较高精度。
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公开(公告)号：CN114421106B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210048021.5
申请日：2022-01-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种小尺寸低损耗的太赫兹收发前端多层集成封装结构，属于毫米波及太赫兹频段系统集成封装技术领域，由三层通过销钉和销钉孔配合连接的金属块堆叠而成，上层金属块与中层金属块之间依次设置K接头输入接口、两个相互隔离的芯片腔和第一H面过渡探针，中层金属块与下层金属块之间依次设置第二H面过渡探针、倍频腔和输出波导，第一H面过渡探针与第二H面过渡探针通过设置于中层金属块内的第一垂直波导连接。本发明在一个金属块腔体内实现微波毫米波到太赫兹波的倍频放大，缩短传播路径，大幅减小太赫兹收发前端的体积，对加工工艺要求不高，芯片通过微组装工艺放置到芯片腔中的，可单独测试和重复使用，拆卸方便，便于测试维修。
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公开(公告)号：CN115276567A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202211170679.X
申请日：2022-09-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于低噪声放大器技术领域，具体提供基于第二级栅极反馈结构的超宽带共源共栅低噪声放大器，通过在芯片部分中引入第二级栅极反馈：一端连接于共栅级晶体管T2（第二级晶体管）的漏极与芯片输出端口之间，另一端连接于共栅级晶体管T2的栅极与接地电容之间；与现有第一级栅极反馈结构相比，本发明能够有效克服其以牺牲噪声系数为代价改善端口反射系数的问题；与现有第一级漏极反馈结构相比，本发明能够有效克服其对端口驻波的调节作用极其有限的问题；最终，本发明能够显著降低器件的输入端口反射系数、输出端口反射系数，增加器件的输出1dB压缩点，并且保持器件优异的噪声系数，进而实现超宽带共源共栅低噪声放大器。
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公开(公告)号：CN113839154B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202111018869.5
申请日：2021-09-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/16
Abstract: 本发明公开一种矩形波导TE10模到圆波导旋转TE11模的模式转换器，包括共面魔T结构、4路合成器、若干折弯波导、两个3dB耦合器和四个90°波导扭转器；共面魔T结构的两个输出端口分别经对应折弯波导弯折180°连接至对应3dB耦合器输入端；两个3dB耦合器关于4路合成器中心轴中心对称，直通端和耦合端分别经对应90°波导扭转器连接至4路合成器输入端；与同一个3dB耦合器相连的两个90°波导扭转器关于该3dB耦合器沿电磁信号传输方向的中心轴180°旋转对称；与不同3dB耦合器相连的两对90°波导扭转器关于4路合成器对称面平面对称。该模式转换器具有设计简便、模式纯度高、易于加工制作、转换效率高的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114122658B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202111018982.3
申请日：2021-09-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/08
Abstract: 本发明公开一种太赫兹介质传输线与矩形波导的过渡结构，属于太赫兹器件技术领域，包括由圆形截面传输线、圆形‑椭圆截面渐变段和椭圆形截面渐变段组成的介质传输线，由矩形波导和矩形‑圆形渐变波导组成的金属波导和支撑介质结构，椭圆形截面渐变段和圆形‑椭圆截面渐变段平行插入金属波导中心，并通过支撑介质结构固定；矩形‑圆形渐变波导的圆形波导口与圆形‑椭圆截面渐变段的圆形截面口位于同一平面，其半径大于圆形截面传输线周围电磁场分布半径，圆形‑椭圆截面渐变段的短轴渐变夹角大于椭圆形截面渐变段的短轴渐变夹角。通过该过渡结构实现太赫兹介质传输线到金属矩形波导的过渡，具有损耗低、频带宽、过渡效率高、结构简单的优点。
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公开(公告)号：CN113506963B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110642374.3
申请日：2021-06-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明属于微波频段滤波器设计技术领域，具体提供一种基于VO2的多功能滤波器，包括：基板1，设置于基板上依次连接的输入50欧姆微带线2、第一级阻抗匹配结构至第N级阻抗匹配结构、以及输出阻抗匹配结构10，以及分别连接于其尾端的可调VO2枝节对，可调VO2枝节对包括尺寸相同的可调VO2上枝节与可调VO2下枝节。所有可调VO2上枝节工作于第一工作温度，所有可调VO2下枝节工作于第二工作温度；第一工作温度与第二工作温度分别决定了所有可调VO2上枝节与所有可调VO2下枝节的电导率，电导率的变化进一步决定了该滤波器的传输性质，即实现滤波器的多功能调节：既可作为宽带范围内的阻抗匹配过渡结构，也可实现低通滤波、带阻滤波的性质。
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公开(公告)号：CN111241958B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202010008315.6
申请日：2020-01-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06V20/40 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06N3/04
Abstract: 本发明公开了一种基于残差‑胶囊网络的视频图像鉴别方法，属于计算机视觉图像处理领域的图像分类技术。该方法通过提取图像潜在特征的残差神经网络、编码局部和整个对象之间对应关系的胶囊网络和重建图像的解码器构建残差‑胶囊神经网络，主要解决卷积神经网络中过拟合问题,梯度消失的问题，同时通过胶囊网络的输出向量重建原始输入图像，根据重建与原始图像的匹配程度对模型进行鉴别分类，进一步提高伪造人脸图像、视频的检测性能。
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公开(公告)号：CN114678670A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210418980.1
申请日：2022-04-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明公开一种基于SSPPs传输线的太赫兹宽带带阻滤波器，属于太赫兹滤波器技术领域，包括对称锯齿型SSPPs TL，以及位于对称锯齿型SSPPs TL两端依次的阶梯渐变过渡结构和共面波导；对称锯齿型SSPPs TL包括设置于各金属锯齿中的刻蚀CSRR和位于各齿缝中的加载SRR，除枝节长度不同之外，加载SRR与刻蚀CSRR为互补结构。本发明通过在SSPPs TL上同时设计刻蚀CSRR和加载SRR，获得通‑阻‑通‑阻的滤波特性，同时拓宽了滤波频带，增加了滤波抑制深度，实现太赫兹滤波器的宽带效应，可广泛应用于杂波抑制、降噪、选频等领域。
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公开(公告)号：CN114284676A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111596289.4
申请日：2021-12-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/107
Abstract: 本发明属于毫米波器件设计技术领域，具体为一种基于V型天线的波导‑微带过渡结构。包括：沿输出方向依次设置的输入波导、窄边加宽波导、矩形腔以及用于后级芯片级联的芯片腔。通过基板正面的V型天线结构，将从输入波导传播的能量耦合到基板背面的共面带线结构中，再共面带线结构中的传输微带线将电磁波控制在共面带线结构中传输。由于接地微带线朝向传输微带线的边缘为一条对数曲线，配合接地孔，使电场方向从微带线垂直指向接地孔，最终电磁波能量低损耗传播到和芯片等宽的芯片腔中，完成波导与微带线的过渡。与现有技术相比，本发明的输入和输出接口处于同一水平面上，避免了传统过渡结构中存在的输入输出接口不一致、体积大等问题。
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