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公开(公告)号：CN118466653A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410602956.2
申请日：2024-05-15
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明属于集成电路技术领域，提供一种电流驱动具备拉灌电流能力的低压差线性稳压器，用以解决氮化镓功率放大器栅极偏置供电问题。本发明包括：跨导误差放大器、第一差分信号放大电路、第二差分信号放大电路、第一超级源极跟随器、第二超级源极跟随器、第一调整管、第二调整管、输出网络及反馈网络，其中，反馈网络输出反馈电压VFB‑out，跨导误差放大器将反馈电压VFB‑out与参考电压Vref比较产生一对电流差分信号，分别经过差分信号放大电路、超级源极跟随器后控制对应调整管，正电流信号控制对应的调整管处于开启状态，另一调整管则处于关闭状态；本发明创造性的提出电流驱动，显著降低低压差线性稳压器功耗的同时提高稳定性。
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公开(公告)号：CN117745551A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410182661.4
申请日：2024-02-19
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G06T5/00
摘要： 本发明公开了一种图像信号相位恢复的方法，属于图像信号相位恢复领域。本发明有效地结合了低秩张量环秩和总体最小二乘框架来解决相位恢复问题。通过强制图像序列保持低秩，能够充分挖掘和利用多维数据的内在结构特性。这种处理方式不仅提高了信号恢复的准确性，也增强了处理高维数据的能力。本发明的总体最小二乘框架是专门设计来应对传感张量中的误差，无论是加性噪声还是由于传感器不精确或偏差引起的乘性误差。这种全面而细致的误差处理策略保证了即使在噪声和测量误差的情况下，本发明的图像信号相位恢复方法也能保持出色的表现。
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公开(公告)号：CN117197200A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311107895.4
申请日：2023-08-31
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G06T7/33 , G06V10/774 , G06V10/26 , G06V10/77 , G06V10/80 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/08
摘要： 本发明公开了一种基于深度概率图和矢量融合的多器官配准方法，主要解决现有技术下腹部CBCT与MRI影像进行多器官配准时，器官对应错误和不同形变场融合易发生冲突的问题。其实现方案是：对多器官数据进行预处理并使用Mask‑RCNN得到分割结果；构建由多器官形变场和概率图生成网络与VFF向量场融合模块组成的多器官配准网络，并定义其损失函数；使用训练集数据对该网络进行训练；将测试集数据输入到训练好的网络中得到融合后的形变场；使用形变场对目标图像进行插值得到配准结果。本发明能良好地对应器官关系，有效减少每个器官对周围器官的影响，提高了对多器官配准的精度，可用于大形变跨模态的医学图像配准，协助医生放疗和穿刺。
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公开(公告)号：CN116522832A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310236165.8
申请日：2023-03-13
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开一种基于TDR技术的L‑2L去嵌方法，属于器件建模技术领域，具体为：对半直通去嵌件、直通去嵌件以及待测器件在片测试，转换得到对应的ABCD矩阵；求解夹具左右两侧GSG PAD虚拟互连的ABCD矩阵，转换为S参数矩阵，再用8项误差参量表征夹具左右两侧的GSG PAD寄生网络；利用TDR技术，求解误差参量S11L和S22R，进而求得其他误差参量，基于此求解长度为L的传输线ABCD矩阵，剥离左右两侧GSG PAD寄生和互联传输线寄生后，实现待测器件的去嵌。本发明充分考虑传输线的分布效应，避免集总元件等效导致的高频去嵌效果变差，去嵌精度和普适性更高。
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公开(公告)号：CN116258104A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211724897.3
申请日：2022-12-27
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G06F30/3308 , G06F30/3323 , G06F30/333 , H01L29/778 , H01L29/20
摘要： 本发明属于半导体器件领域，具体提供一种InP太赫兹晶体管的可重构模型及其参数提取方法，用以解决现有模型适用范围小、无法对不同结构晶体管建模的问题。本发明在现有模型的基础上引入可变元件，通过可变元件将多种类型晶体管归纳到统一模型下，使多种晶体管之间物理意义更加明确；同时，在参数提取过程中，将晶体管等效6个寄生元件子模型，通过三维电磁场仿真软件进行分步建模仿真，再基于新的参数提取算法，将多种晶体管在统一模型及其方程表达式下完成参数提取；基于此，本发明能够对对双孔有桥晶体管、单孔有桥晶体管、双孔无桥晶体管进行准确的建模，极大地提高了模型的适用范围，具有节省建模时间、提高模拟精度的优点。
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公开(公告)号：CN115939717A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211343110.9
申请日：2022-10-31
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01P5/20
摘要： 本发明公开了一种基于新型传输线负载的太赫兹平面波导魔T，由平面波导魔T和平面金属传输线组成；平面波导魔T的“T”型结构的下端为电磁波输入端口，左右两端分别为输出端口，上端为隔离端口；平面金属传输线放置在隔离端口中；平面金属传输线由依次相连的微带耦合探针、曲折微带连接线、金属镍人工表面等离激元传输线组成；金属镍人工表面等离激元传输线作为平面波导魔T隔离端口的匹配负载。本发明通过在平面波导魔T的隔离端口插入探针耦合能量至微带传输线，再利用一种金属镍人工表面等离激元传输线将电磁能量吸收，从而实现隔离端口的匹配负载。
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公开(公告)号：CN115618785B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211621097.9
申请日：2022-12-16
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G06F30/367 , G06F17/11
摘要： 本发明属于半导体器件领域，涉及有源器件建模技术，具体提供一种基于调和平均函数的氮化镓晶体管物理基大信号模型，用以解决现有物理基模型存在的表达式复杂、计算速度慢、收敛性差、函数分段等问题，以及经验模型缺乏物理意义的问题。本发明在线性区采用经验方程进行模拟，提高模型收敛性、计算速度；而在功率放大器常用的饱和区采用具有物理意义的电流方程进行模拟，使其具有明确的物理意义；并且，采用调和平均函数将两个方程结合在一起，形成统一的电流方程。综上所述，本发明提出的基于调和平均函数的氮化镓晶体管物理基大信号模型同时具有计算速度快、收敛性好、函数统一等优势，并且在重要的饱和区域具有物理意义。
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公开(公告)号：CN114784475B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210505843.1
申请日：2022-05-10
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开带有微带滤波枝节的毫米波波导‑悬置微带探针过渡结构，属于毫米波无源器件技术领域，在一端插入减高波导的介质基片上方设置有悬置微带探针结构，其包括依次连接的E面微带探针、第一微带渐变线、第一微带滤波枝节、第一传输匹配线、第二微带滤波枝节、第二微带渐变线和第二传输匹配线；优选地，第一微带滤波枝节和第二微带滤波枝节的开口方向相对，并且均由两个底边微带端接的L型枝节构成。本发明公开的探针过渡结构兼具模式转换和滤波功能，在保证低损耗、宽带宽和优异滤波性能的同时，极大缩小悬置微带探针结构的长度，更加利于电路系统集成。
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公开(公告)号：CN115618785A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211621097.9
申请日：2022-12-16
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G06F30/367 , G06F17/11
摘要： 本发明属于半导体器件领域，涉及有源器件建模技术，具体提供一种基于调和平均函数的氮化镓晶体管物理基大信号模型，用以解决现有物理基模型存在的表达式复杂、计算速度慢、收敛性差、函数分段等问题，以及经验模型缺乏物理意义的问题。本发明在线性区采用经验方程进行模拟，提高模型收敛性、计算速度；而在功率放大器常用的饱和区采用具有物理意义的电流方程进行模拟，使其具有明确的物理意义；并且，采用调和平均函数将两个方程结合在一起，形成统一的电流方程。综上所述，本发明提出的基于调和平均函数的氮化镓晶体管物理基大信号模型同时具有计算速度快、收敛性好、函数统一等优势，并且在重要的饱和区域具有物理意义。
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公开(公告)号：CN115276567B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211170679.X
申请日：2022-09-26
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于低噪声放大器技术领域，具体提供基于第二级栅极反馈结构的超宽带共源共栅低噪声放大器，通过在芯片部分中引入第二级栅极反馈：一端连接于共栅级晶体管T2（第二级晶体管）的漏极与芯片输出端口之间，另一端连接于共栅级晶体管T2的栅极与接地电容之间；与现有第一级栅极反馈结构相比，本发明能够有效克服其以牺牲噪声系数为代价改善端口反射系数的问题；与现有第一级漏极反馈结构相比，本发明能够有效克服其对端口驻波的调节作用极其有限的问题；最终，本发明能够显著降低器件的输入端口反射系数、输出端口反射系数，增加器件的输出1dB压缩点，并且保持器件优异的噪声系数，进而实现超宽带共源共栅低噪声放大器。
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