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公开(公告)号：CN117525792A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311470991.5
申请日：2023-11-06
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于微波器件技术领域，具体涉及一种X波段傅里叶节匹配结构及其设计方法。本发明包括基片集成波导和傅里叶节，在传统匹配结构的基础上，外延加载椭圆形傅里叶结构或椭环形傅里叶结构的傅里叶节，改变传输线的等效电感和电容值，从而实现基片集成波导与微带线更好的匹配，并且减小体积，使得基片集成波导与微带线在满足小尺寸的情况下实现更宽频带的匹配。
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公开(公告)号：CN116345093A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310350396.1
申请日：2023-04-04
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于微波技术领域，具体涉及一种X波段SIW非整数维度超结构滤波器及其设计方法。本发明采用基片集成波导作为传输线，上下两层基片集成波导作为耦合腔，通过在双层SIW耦合腔中间的公共金属层引入非整数维度超结构作为耦合结构。相对于利用切比雪夫等原型设计的SIW滤波器，只占用一个谐振腔面积，就可以得到更好的性能，有效地减小了滤波器的体积，提供了一种新的路径，且其选择性更好。
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公开(公告)号：CN114361754B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210022525.X
申请日：2022-01-10
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01P5/18
摘要： 本发明涉及微波技术，具体涉及一种X波段磁控频率可调的定向耦合器。本发明通过在SIW短缝定向耦合器中添加两排铁氧体结，每排的两个铁氧体结之间保持一定间距。在外加磁场的作用下，通过磁场调控的方式影响铁氧体结，改变SIW的等效电感值，实现传输线电长度的改变，进而实现传输线频率的改变，最终实现对定向耦合器频率的调节。其延迟低，不外接组件结构，简单体积小，易于集成，在实现对S11(驻波)，S41(隔离)的频率进行同步调节的情况下，对S31(耦合度)和S21(插入损耗)影响较小；并且利于大功率传输。
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公开(公告)号：CN112699537B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202011477218.8
申请日：2020-12-15
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于微波无源器件领域，具体涉及一种P波段基片集成波导环行器的有效Q值求解方法。本发明通过Q值的物理含义与环行器插入损耗的联系，定义了环行器的有效Q值，并推导出了有效Q值的计算方法；首先确定一个工作在P波段的基片集成波导环行器，并对其各项参数进行变量改变并仿真，根据仿真结果计算出有效Q值；然后通过数理统计方法及软件计算，拟合出单一参数变化的有效Q值计算方法和多参数变化的有效Q值计算方法。通过计算有效Q值并且观察有效Q值的变化情况可以快速判断环行器性能优劣，并且对各参数调整起到指导性作用，加快了环行器的设计和测试周期。
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公开(公告)号：CN114256576A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111527391.9
申请日：2021-12-14
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明涉及微波技术，具体为一种D波段特斯拉结耦合结构。本发明仅采用一个带状线腔体结构，通过传统带状线与特斯拉结结合的方式，利用这种结构的特殊性即电磁波达到特斯拉结两个结点的相位差不同，通过带线中心导带结构的变化来实现带阻的滤波效果，具有体积小的优势。当三个结间距不同，即结之间的耦合不同，所呈现的滤波效果不同。为解决现有耦合结构体积相对较大不利于集成的问题提供了一种新的途径。
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公开(公告)号：CN110034412A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910293714.9
申请日：2019-04-12
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01Q17/00
摘要： 本发明涉及微波、倍频器结构、阿基米德螺旋线吸波结构，具体涉及到一种SIW阿基米德螺旋线倍频吸波结构及其设计方法。本发明在SIW传输线的基础上，将旋磁铁氧体作为倍频结构集成到SIW传输线中，通过SIW传输线馈入基频信号，通过设计好的旋磁铁氧体结构实现倍频；通过阿基米德螺旋结构吸收倍频后的电磁波，进一步通过匹配销钉实现宽带吸收。这种特殊的吸波方式，实现了SIW阿基米德螺旋线倍频吸波结构的设计。本发明通过SIW传输线的使用，实现了器件的高Q值；将基频信号倍频到高频信号实现吸收，实现了器件的小型化和高吸收效率。
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公开(公告)号：CN108376821A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810073360.2
申请日：2018-01-25
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01P5/20
摘要： 本发明涉及微波器件、传输线技术，具体涉及一种Ka波段基片集成波导魔T。本发明通过SIW魔T下层主波导采用圆楔形金属通孔使H-T分支匹配，并使用感性金属膜片消除该圆楔形金属通孔产生寄生电容的影响，从而降低H臂端口的回波损耗。而上层E-T分支由于电耦合会在耦合缝处产生寄生电容，所以使用感性金属块消除其影响，从而降低E臂端口的回波损耗。最终，本发明将SIW魔T的工作带宽提升至2GHz,幅度不平衡度降低至0.1dB。
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公开(公告)号：CN104849593B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510240008.X
申请日：2015-05-12
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明涉及电子通信、微波技术领域，特别涉及一种微带器件测试系统。包括支架底座、夹具和矢量网络分析仪。矢量网络分析仪：在矢量网络分析仪的同轴电缆的内导体上开一个深1mm放置带状线内导体的槽。夹具：带状线置于固定装置内，并通过固定装置连接支架底座和同轴电缆。支架底座：由固定底座和可调高度底座组成。转接方式：带状线的内导体伸出1mm，插入矢量网络分析仪的同轴线内导体上的槽中；将带状线内导体伸出1mm，搭在微带线导带上。本发明具有如下优点：可适用多种尺寸的50欧姆微带线接口的器件；本测试系统插入损耗小，驻波小，测试结果精确。
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