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公开(公告)号:CN1774935A
公开(公告)日:2006-05-17
申请号:CN200480010154.3
申请日:2004-02-20
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H04N9/07
CPC classification number: H04N9/045 , H04N5/3456 , H04N5/3458 , H04N5/347 , H04N5/374
Abstract: 如果在保持像素信息次序和空间位置关系与在读取全部像素模式下的情况相同的同时简单地跳过像素读取,则所读出像素之间的距离增加。因此降低了尼奎斯特频率并增加了折叠噪声。5×5的像素块用作单元像素块。对像素排列第一、第三和第五列的第一、第三和第五行中的像素信息相加以作为单元像素块第a行第a列的输出并输出。对像素排列第六、第八和第十列的第一、第三和第五行的像素信息相加以作为单元像素块第a行第b列的输出并输出。以相同方式重复相加和输出直到最后行或者接近最后行的行。之后,对第一、第三和第五列的第六、第八第十行的像素信息相加以作为单元像素块第b行第a列的输出并输出。重复类似的操作,使得为读出所有任意像素而重复稀疏相加。
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公开(公告)号:CN1711753A
公开(公告)日:2005-12-21
申请号:CN200380103294.0
申请日:2003-11-05
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 马渕圭司
IPC: H04N5/335
CPC classification number: H04N5/378 , H04N5/3742
Abstract: 通过同时的AD转换来获得高质量的数字图像信号,并且通过以低成本快速执行AD转换来输出数字图像信号,而不增加像素阵列部分和光学系统的尺寸。像素阵列部分(110),其对于每个像素(111)具有光电转换元件和像素晶体管,并且输出模拟像素信号。AD存储器部分(130),通过对应于所述像素阵列部分(110)中的像素布置在二维矩阵中布置单元存储器(131)将其进行配置,其按顺序存储经垂直信号线读取的模拟像素信号,并且执行包括AD转换的几种类型的处理(例如,通过CDS的固态模式噪声的消除、增益调整等)。所述AD存储器部分(130)的每个所述单元存储器(131)包括AD转换电路(132),其将从各自像素读取的模拟像素信号转换成数字像素信号。
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公开(公告)号:CN1691347A
公开(公告)日:2005-11-02
申请号:CN200510079215.8
申请日:2005-04-26
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/14643 , H04N5/357 , H04N5/3658 , H04N5/3741 , H04N5/3742 , H04N5/3745 , H04N5/37455 , H04N5/37457 , H04N5/378
Abstract: 一种固态成像器件,包括:像素阵列,其包括以矩阵形式二维排列的像素,在排列的每列像素中提供有信号线,每个像素都包括光电变换元件;以及固定单元,将在像素具有工作周期之前获得的信号线的电势固定到第一电源电势和第二电源电势之间的中间电势。
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公开(公告)号:CN1574916A
公开(公告)日:2005-02-02
申请号:CN200410063924.2
申请日:2004-05-17
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 马渕圭司
IPC: H04N5/335 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/361 , H01L27/14632 , H04N5/359 , H04N5/367 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 具有非选择晶体管的三晶体管象素结构的固态成像设备会出现非选择热载流子白点的问题,该问题专门针对这种装置。在象素的非读取周期内,使得偏置电流流到与前一个选择象素相关的象素,例如前一个选择象素本身。结果是,暗电流仅出现在一条线的每个象素中,并且一条线本身的暗电流也显著减小。因此,实际上能消除由于非选择热载流子白点导致的缺损象素。
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公开(公告)号:CN101728407B
公开(公告)日:2014-11-12
申请号:CN200910207905.5
申请日:2009-10-29
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14623 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14643
Abstract: 本发明公开了固态成像器件及其制造方法和电子设备。该固态成像器件包括有效像素部分和不导电像素间遮光膜,在有效像素部分中排列有多个包括光电转换元件的像素,不导电像素间遮光膜被置于有效像素部分中并且遮蔽像素之间的区域。
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公开(公告)号:CN101677079B
公开(公告)日:2012-12-05
申请号:CN200910176705.8
申请日:2009-09-17
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 马渕圭司
IPC: H01L21/265 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14683 , H01L27/14603 , H01L27/1463
Abstract: 本发明提供了离子注入方法、固体摄像器件及其制造方法和电子装置。所述离子注入方法包括:使用多个离子注入用掩模进行多次离子注入,这些离子注入用掩模各自包括主掩模部、连接在主掩模部之间的桥状部和与需要注入离子的环状区域的部分对应的开口,其中,通过组合这些离子注入用掩模来形成多个环状离子注入区域。所述固体摄像器件包括:各自包括光电转换部的多个像素;以及将这些像素隔离开的格子状隔离区域,所述隔离区域是通过使用第一离子注入用掩模和第二离子注入用掩模进行离子注入而形成的,所述第一离子注入用掩模和所述第二离子注入用掩模各自包括主掩模部、连接在主掩模部之间的桥状部和与需要注入离子的格子状区域的部分对应的开口。
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公开(公告)号:CN101546118B
公开(公告)日:2012-10-03
申请号:CN200910132305.7
申请日:2009-03-25
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 马渕圭司
IPC: G03F1/42 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供了光刻用掩模及光刻用掩模数据的形成方法、背照射型固体摄像器件及其制造方法和电子装置。所述光刻用掩模的形成方法包括以下步骤:当形成用于制造如下背照射型固体摄像器件的光刻用掩模时,该背照射型固体摄像器件从与上面形成有元件区域的布线的表面侧相对的表面侧获取入射光,且所述元件区域中形成有光电转换元件,该形成方法通过使用将至少一部分输出端子的位置反转的反转数据来形成所述掩模。本发明能够与前照射型无区别地处理背照射型,因此,不必要求安装有背照射型CMOS图像传感器的评估板或者后续级的信号处理IC具有特定的规格,并且不必增加成本。
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公开(公告)号:CN101312204B
公开(公告)日:2011-12-14
申请号:CN200810108810.3
申请日:2008-05-26
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 马渕圭司
IPC: H01L27/146 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14605 , H01L27/14601 , H01L27/14603 , H01L27/14607 , H01L27/14609 , H01L27/1461 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14689 , H01L31/035272 , H04N5/335 , H04N5/357 , H04N5/3575 , H04N5/3696 , H04N5/37455 , H04N5/37457 , H04N5/378 , H04N9/045
Abstract: 本发明公开了一种固态成像装置及其生产方法以及成像设备。在该固态成像装置中,形成在半导体基板上的第一表面侧上的像素电路由多个光接收区域共享。半导体基板的第二表面侧作为光接收区域的光入射侧。形成在半导体基板的第二表面侧部分中的光接收区域的第二表面侧区域以近似均匀的间隔布置,而形成在半导体基板的第一表面侧部分中的光接收区域的第一表面侧区域以不均匀的间隔布置,并且在半导体基板中第二表面侧区域与第一表面侧区域相应连接,使得光接收区域从半导体基板的第二表面侧延伸到第一表面侧。
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公开(公告)号:CN101621067A
公开(公告)日:2010-01-06
申请号:CN200910150063.4
申请日:2009-06-30
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 马渕圭司
IPC: H01L27/146 , H01L31/0352 , H01L21/82 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了固体摄像器件及其制造方法和电子装置,所述固体摄像器件包括光电转换部,在所述光电转换部中,电位的形状被设置为使电荷主要累积在纵向上。本发明的固体摄像器件包括具有纵向结构的光电转换部,这种光电转换部具有增大的饱和电荷量。即使当使用微细化的像素时,也能够在这种光电转换部中提供足够大的饱和电荷量。在包括上述固体摄像器件的电子装置中,提供了足够宽的动态范围并提供了较高的图像质量。
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公开(公告)号:CN101573960A
公开(公告)日:2009-11-04
申请号:CN200780048882.7
申请日:2007-11-27
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 马渕圭司
IPC: H04N5/335 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/3742 , H03M1/1225 , H03M1/186 , H03M1/56 , H04N5/243 , H04N5/35581
Abstract: 提供了具有像素阵列部分的固态成像设备,在该像素阵列部分中,以矩阵形式二维地布置检测物理量的像素。在该固态成像设备中,通过模拟从像素阵列部分读取具有不同灵敏度的多个系统的像素信号。当模拟像素信号的增益设置低于规定增益时,通过每个基本放大因子来放大系统的像素信号,而当增益设置等于规定增益或更高时,以包括高于具有高灵敏度的系统的基本放大因子的放大因子在内的多个放大因子来放大系统中具有高灵敏度的至少一个系统的像素信号。为了获得具有不同灵敏度的系统的信号并实现宽的动态范围,当模拟增益增大时消除了由于脱离AD转换输入范围而引起的信息损失,并获得了具有很好的S/N的图像。
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