用于增材制造技术制造陶瓷产品的光敏陶瓷前驱体制备方法

    公开(公告)号:CN108676166A

    公开(公告)日:2018-10-19

    申请号:CN201810724474.9

    申请日:2018-07-04

    IPC分类号: C08G77/38 C08G77/24 C08G77/20

    CPC分类号: C08G77/38 C08G77/20 C08G77/24

    摘要: 本发明公开了一种用于增材制造技术制造陶瓷产品的光敏陶瓷前驱体制备方法,包括以下步骤:氯甲基甲基二氯硅烷与二氯甲基乙烯基硅烷水解反应得到线性聚硅氧烷,然后采用二甲基乙烯基氯硅烷对线性聚硅氧烷进行封端反应,封端后的聚硅氧烷与丙烯酸‑2‑羟乙酯、三乙胺反应得到光敏陶瓷前驱体。本发明制备出可紫外光固化的聚硅氧烷陶瓷前驱体,所得光敏陶瓷前驱体在适合引发剂的加入下,紫外光照射30s时可达到80%的双键转化率,40s时可达到90%双键转化率,具有很高效的光固化性能;将本发明的光敏陶瓷前驱体作为原料,采用立体光刻技术进行增材制造,可得到形貌规整的固化产品,该固化产品外观光洁,强度较高。

    一种Ku波段宽频电磁波吸收剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN108586763A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201810417528.7

    申请日:2018-05-04

    IPC分类号: C08G83/00

    CPC分类号: C08G83/008

    摘要: 本发明公开了一种Ku波段宽频电磁波吸收剂及其制备方法,包括如下步骤:以硝酸钴和二甲基咪唑为原料制备沸石咪唑酯骨架ZIF-67预聚体,接着将ZIF-67预聚体于管式炉中进行退火处理,得到预处理的ZIF-67;将聚(二甲基亚甲硅烷基)二乙炔PDSDA和预处理的ZIF-67在有机溶剂反应得到PDSDA配位预处理ZIF-67产物;最后,将PDSDA配位预处理ZIF-67产物进行退火处理得到PDSDA配位ZIF-67电磁吸收剂。本发明所制备的电磁波吸收剂其涂层厚度仅为1.9mm,远小于同类产品,很好地解决了电磁波吸收剂在电磁波衰减过程中存在厚度大的问题,有效吸收频率宽度为5.72GHz,同时实现了电磁波吸收剂在Ku波段(12GHz-18GHz)反射系数均低于-10dB(90%电磁波被吸收)。

    一种含氟低介电氰酸酯改性树脂及其制备方法

    公开(公告)号:CN106633054A

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201610880331.8

    申请日:2016-10-09

    IPC分类号: C08G73/06

    CPC分类号: C08G73/0638 C08G73/065

    摘要: 本发明提供了一种含氟低介电氰酸酯改性树脂及其制备方法,以间三氟甲基苯酚mTFMP和环氧氯丙烷ECH为原料,通过烷基化反应制备低介电含氟化合物2‑((3‑(三氟甲基)苯氧基)甲基)环氧乙烷mTFMPMO,并将其加入到双酚A型氰酸酯BADCy树脂基体中,经均匀混合、排除气泡后,倒入预热好的模具中,浇注成型制备mTFMPMO‑co‑BADCy改性树脂。本发明的mTFMPMO‑co‑BADCy改性树脂具有极优的介电性能、突出的力学性能和优异的耐热性能等优点。

    一种对苯撑苯并二噁唑-倍半硅氧烷共聚物的制备方法

    公开(公告)号:CN104140528B

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201410344825.5

    申请日:2014-07-14

    发明人: 孔杰 王佩 唐玉生

    IPC分类号: C08G73/22

    摘要: 本发明公开了一种对苯撑苯并二噁唑-倍半硅氧烷共聚物的制备方法,利用叔丁基二甲基氯硅烷对易氧化且溶解性能差的4,6-二氨基间苯二酚二盐酸盐单体中的活泼氨基和羟基进行化学改性,得到硅烷官能团保护的单体,增加其在有机溶剂中的溶解性以及稳定性;同时,采用对苯二甲酰氯和两羟基POSS进行酰化反应,使得含有规整笼状结构POSS的末端活泼羟基转化为酰氯基团;最后,将硅烷官能团保护的单体与末端酰化POSS、对苯二甲酰氯溶于有机溶剂中进行缩聚反应,采用化学方法将笼状结构POSS单体化学键接到PBO主链上制得嵌段共聚物。本发明所制备的嵌段共聚物具有良好的溶解性及成膜性,并兼具优异的耐高温性能和力学性能。

    一种特定乙烯基含量聚硅氧烷的制备方法

    公开(公告)号:CN104031267B

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201410178059.X

    申请日:2014-04-25

    IPC分类号: C08G77/20 C08G77/06

    摘要: 本发明涉及一种特定乙烯基含量聚硅氧烷的制备方法,其具体方法为:加入50~300mg除水后的六甲基环三硅氧烷单体和100~1000mg1,3,5-三乙烯基-1,3,5-三甲基环三硅氧烷单体到5ml新蒸四氢呋喃溶剂中,加入10滴正丁基锂溶液,于40℃条件下反应20个小时,加入冰冻无水甲醇进行端基终止,待有聚合物沉淀下来,进行离心分离,对得到的沉淀物进行旋蒸处理,得到特定乙烯基含量的聚硅氧烷。本发明方法通过可控阴离子开环聚合反应,通常可以通过改变单体投料比,调整反应温度,增减反应时间,加入链终止剂等方式对聚合过程进行控制,可以实现单体转化率、分子量及乙烯基含量的调控。

    一种含叠氮基团的超支化聚(β-环糊精)的制备方法

    公开(公告)号:CN102153678A

    公开(公告)日:2011-08-17

    申请号:CN201110030247.4

    申请日:2011-01-27

    IPC分类号: C08B37/16 C08G77/50

    摘要: 本发明公开了一种含叠氮基团的超支化聚(β-环糊精)的制备方法,首先由六位单取代对甲苯磺酰化β-环糊精、碘化钾及叠氮钠制备六位单取代叠氮化β-环糊精单体;然后由六位单取代叠氮化β-环糊精单体、二甲基氯硅烷和吡啶制备含六位单叠氮基的多硅氢化β-环糊精单体;最终由含六位单叠氮基的多硅氢化β-环糊精单体和二乙烯基四甲基二硅氧烷制备得到含叠氮基团的超支化聚环糊精。本发明简化了单体合成中繁琐的步骤,聚合物的支化度和环糊精分子的比例具有较高可调控性,还能有效利用点击化学反应快速对其外端进行改性。

    超支化聚硅氧烷基光刻胶

    公开(公告)号:CN101122742A

    公开(公告)日:2008-02-13

    申请号:CN200710018668.9

    申请日:2007-09-14

    IPC分类号: G03F7/027 G03F7/028 G03F7/075

    摘要: 本发明公开了一种超支化聚硅氧烷基光刻胶,为了克服现有光固化树脂粘度大、固化物无法转化为功能器件的不足,本发明提供了一种以超支化聚硅氧烷为基体树脂的光刻胶,成份为重量百分比为30~90的超支化聚硅氧烷、10~70的活性稀释剂和2~5的光引发剂。本发明含有甲基丙烯酰基团,具有低粘度、多官能度、高反应活性等特性,可快速光固化且固化物可转化为硅氧基陶瓷。

    一种液态SiBCNO陶瓷前驱体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118530458A

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202410556016.4

    申请日:2024-05-07

    摘要: 本发明涉及一种液态SiBCNO陶瓷前驱体及其制备方法和应用,其方法包括:将多种硅氧烷单体和甲基硼酸溶解于1,4‑二氧六环中,搅拌反应,旋蒸去除溶剂,得到透明粘稠的SiBCNO陶瓷前驱体的中间产物;将中间产物和三乙胺混合,并在冰浴的环境下滴加甲基丙烯酰氯,进行冰浴反应,再经过滤、旋蒸去除沉淀和溶剂,得到液态SiBCNO陶瓷前驱体。本发明方法利用硅氧烷单体和甲基硼酸脱醇缩合构建前驱体分子的主链,减少了反应过程中氯化氢的产生;同时,通过对单体比例的调节实现支化度的调控,进而实现对前驱体的粘度调节。

    一种嵌段共聚物及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115160560B

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202210947577.8

    申请日:2022-08-09

    摘要: 本发明含能粘结剂技术领域,具体涉及一种嵌段共聚物及其制备方法和应用。本发明提供的嵌段共聚物以第二重复单元作为刚性基团形成第二嵌段修饰第一重复单元形成的线性第一嵌段;且调整第二重复单元占所述嵌段共聚物的总重复单元的摩尔百分含量≤50%,能够有效使第一嵌段的分子链活动受阻,从而得到具有宽温度范围的玻璃化转变温度的全段共聚物。由实施例的结果表明,本发明提供的嵌段共聚物的玻璃化转变温度范围为‑50~0℃作为含能粘结剂使用时,本发明提供的嵌段共聚物能够根据固体燃料的实际力学性能需求,选择适宜的玻璃化转变温度的嵌段共聚物。