公开(公告)号：CN109715576A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201780056271.0

申请日：2017-08-30

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 小野和孝 ,  野村周平 ,  木寺信隆 ,  竹下畅彦

IPC: C03C4/16 ,  C03C3/078 ,  C03C3/083 ,  C03C3/089 ,  C03C3/091 ,  C03C19/00 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明的玻璃基板(2)，以氧化物基准的摩尔百分率计，在0.001～5％的范围内含有碱金属氧化物，并且碱金属氧化物中由Na2O/(Na2O+K2O)表示的摩尔比为0.01～0.99的范围，且在合计含量1～40％的范围内含有Al2O3和B2O3，并且由Al2O3/(Al2O3+B2O3)表示的摩尔比为0～0.45的范围，以SiO2为主成分。玻璃基板(2)的至少一个主表面的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra的值计为1.5nm以下且35GHz下的介电损耗角正切为0.007以下。

公开(公告)号：CN109562979A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780047860.2

申请日：2017-08-01

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 野村周平 ,  小野和孝

IPC: C03C3/083 ,  C03C3/085 ,  C03C3/087 ,  C03C3/091 ,  G02F1/1333 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种玻璃基板，是收紧率为0.1～100ppm的玻璃基板，在50～100℃下的玻璃基板的平均热膨胀系数α50/100与单晶硅的平均热膨胀系数之差的绝对值|Δα50/100|、在100～200℃下的玻璃基板的平均热膨胀系数α100/200与单晶硅的平均热膨胀系数之差的绝对值|Δα100/200|以及在200～300℃下的玻璃基板的平均热膨胀系数α200/300与单晶硅的平均热膨胀系数之差的绝对值|Δα200/300|为0.16ppm/℃以下。

公开(公告)号：CN118324412A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410326392.4

申请日：2019-03-13

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 野村周平 ,  小野和孝

IPC: C03C3/091 ,  C03C4/00 ,  H01P3/08 ,  H01Q1/38

Abstract: 本发明提供一种能够降低高频信号的介电损耗且能够在宽温度区域稳定地使用的基板。本发明涉及一种基板，20℃、10GHz下的介电损耗角正切(A)为0.1以下，20℃、35GHz下的介电损耗角正切(B)为0.1以下，并且由{‑40～150℃的任意温度、10GHz下的介电损耗角正切(C)/所述介电损耗角正切(A)}表示的比为0.90～1.10。另外，本发明涉及一种基板，20℃、10GHz下的相对介电常数(a)为4～10，20℃、35GHz下的相对介电常数(b)为4～10，并且由{‑40～150℃的任意温度、10GHz下的相对介电常数(c)/所述相对介电常数(a)}表示的比为0.993～1.007。

公开(公告)号：CN114126859A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202080051608.0

申请日：2020-07-14

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 小川修平 ,  野村周平 ,  中泽伯人

IPC: B32B17/06 ,  B32B7/023 ,  B32B7/027 ,  B32B18/00 ,  B32B9/00 ,  B32B7/12 ,  C03C27/00

Abstract: 一种层叠构件，具有：波长850nm处的线性透射率为80％以上的玻璃构件、上述玻璃构件上的为树脂的接合层和上述接合层上的Si－SiC构件。

公开(公告)号：CN109562979B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN201780047860.2

申请日：2017-08-01

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 野村周平 ,  小野和孝

IPC: C03C3/083 ,  C03C3/085 ,  C03C3/087 ,  C03C3/091 ,  G02F1/1333 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种玻璃基板，是收紧率为0.1～100ppm的玻璃基板，在50～100℃下的玻璃基板的平均热膨胀系数α50/100与单晶硅的平均热膨胀系数之差的绝对值|Δα50/100|、在100～200℃下的玻璃基板的平均热膨胀系数α100/200与单晶硅的平均热膨胀系数之差的绝对值|Δα100/200|以及在200～300℃下的玻璃基板的平均热膨胀系数α200/300与单晶硅的平均热膨胀系数之差的绝对值|Δα200/300|为0.16ppm/℃以下。

公开(公告)号：CN113135654A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202110395939.2

申请日：2015-07-20

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 德永博文 ,  小野和孝 ,  野村周平

IPC: C03C3/091

Abstract: 本发明提供热膨胀系数小、应变点高并且粘性低、特别是玻璃粘度达到102dPa·s时的温度T2低的无碱玻璃。一种无碱玻璃，其应变点为695℃以上，50～350℃下的平均热膨胀系数为43×10‑7/℃以下，玻璃粘度达到102dPa·s时的温度T2为1690℃以下，以基于氧化物的摩尔％计，含有63～70的SiO2、8～16的Al2O3、1.5～低于4的B2O3、0～8的MgO、0～20的CaO、1.5～10的SrO、0～0.5的BaO，MgO+CaO为0～28，MgO+CaO+SrO+BaO为12～30，SrO/CaO为0.33～0.85，(23.5×[SiO2]+3.5×[Al2O3]‑5×[B2O3])/(2.1×[MgO]+4.2×[CaO]+10×[SrO]+12×[BaO])为17以上。

公开(公告)号：CN109153596A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780031202.4

申请日：2017-05-22

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 野村周平 ,  小野和孝

IPC: C03C3/091 ,  C03C3/093 ,  H01L23/15

Abstract: 本发明提供一种磨削率高且在将硅基板与玻璃基板贴合的热处理工序中在所述硅基板产生的残留应变小的无碱玻璃基板。本发明的无碱玻璃基板以氧化物基准的摩尔百分比计含有11.0％以上的Al2O3、8.0％以上的B2O3、1％以上的SrO，且在100℃～200℃下的平均热膨胀系数α100/200为3.10ppm/℃～3.70ppm/℃，杨氏模量为76.0GPa以下，密度为2.42g/cm3以上。