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公开(公告)号：CN104362193A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410577959.1
申请日：2014-10-24
申请人： 新奥光伏能源有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/022425 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制作方法，在背光面的p型非晶硅薄膜表面形成金属薄膜，以及在所述金属薄膜表面形成背面金属极，由于金属薄膜的功函数高于p型非晶硅薄膜，或者在界面形成金属化合物，使其在界面形成反阻挡层或者隧穿层，因此金属薄膜/p型非晶硅界面为欧姆接触，故金属薄膜/p型非晶硅界面的界面电阻很小，与传统P型非晶硅/TCO界面结构相比，避免了TCO与P型非晶硅薄膜之间存在的较大接触电阻，有利于提升电池的填充因子。而且本发明为倒置结构的太阳能电池，避免了金属薄膜对的光吸收，从而避免金属薄膜的光吸收而制约了电池的短路电流。
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公开(公告)号：CN103441167A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310303301.7
申请日：2013-07-18
申请人： 新奥光伏能源有限公司
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明涉及太阳能光伏技术领域，公开了一种硅基薄膜太阳能电池组件及其制备方法。该制备方法通过在层压后的半成品组件上直接涂覆减反射膜、预固化和高压釜中热固化成功地将减反射膜应用到硅基薄膜太阳能电池组件上，镀膜工艺简单、容易实施且成本低，可实现大量生产。制备的具有减反射膜的硅基薄膜太阳能电池组件包括依次排列的减反射膜、前板玻璃、透明导电膜、硅基薄膜吸收层、背电极、封装胶片和背板玻璃，所述减反射膜可低温固化成膜，其膜厚为90-110nm，折射率为1.35-1.42。通过减反射膜的作用明显提高了硅基薄膜太阳能组件的透光率，进而提高了硅基薄膜太阳能组件的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN103413838A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310310926.6
申请日：2013-07-23
申请人： 新奥光伏能源有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/078 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及太阳能光伏技术领域，公开了一种晶体硅太阳电池及其制备方法。所述晶体硅太阳电池，包括第一导电类型晶体硅层；覆盖所述第一导电类型晶体硅层正面的第二导电类型晶体硅层；覆盖所述第二导电类型晶体硅层的遂穿介质膜层；位于遂穿介质膜层上的至少一个金属前电极和减反射膜层；其中，所述遂穿介质膜层的厚度范围为0.1nm～10nm。在本发明技术方案中，遂穿介质膜层既能对第一导电类型晶体硅正面钝化，又能传递载流子，因此降低了饱和暗电流密度，提高了太阳电池的性能。
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公开(公告)号：CN101582461B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200910080146.0
申请日：2009-03-24
申请人： 新奥光伏能源有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种新型多层透明导电膜结构及其制备方法，是在浮法玻璃基板上，依次制备一个SiO2过渡层，一个FTO层和一个ZnO基的薄膜层。SiO2和FTO是通过浮法玻璃的在线APCVD工艺来完成，溅射沉积设备连接在浮法玻璃生产线的降温段，将合适温度的玻璃基本直接送入进样室后开始溅射生长ZnO基的透明导电氧化物薄膜。这样的多层膜具有高的光透过率，同时又不使用湿法工艺，依赖APCVD制备FTO具有绒面结构的特性，直接生成具有绒面结构的ZnO包覆FTO的透明导电双层膜。
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公开(公告)号：CN101697359B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200910180679.6
申请日：2009-10-26
申请人： 新奥光伏能源有限公司
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0248
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池，用于实现较低的光致衰退率。所述太阳能电池包括：a-SiA:H/μc-Si:H双结叠层电池单元(其中A代表Ge、C、O等元素)；其中，顶电池单元的I层减薄并采用能带渐变设计，使得顶电池的光谱响应向长波扩展而底电池的光谱响应向短波扩展，从而可以使顶电池与底电池的厚度大大减小，降低了光致衰退率和成本。
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公开(公告)号：CN101733536B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200910236853.4
申请日：2009-11-04
申请人： 新奥光伏能源有限公司
发明人： 信德磊
摘要： 一种掩膜镀Ni/V层提高镀锡铜带焊接强度的工艺，在镀Ni/V膜之前，在非晶/微晶叠层薄膜电池上焊接镀锡铜带的位置盖上一层掩膜版，使俺盖的位置处不镀上Ni/V金属膜，之后将掩膜版去掉，使要焊接镀锡铜带的位置上留出Ag金属膜。本发明的优点在于：与常规PVD镀膜相比，使要焊镀锡铜带的位置上露出了Ag金属膜，Ag金属导电性更好，高温下也不易形成氧化层，并且镀锡铜带的外表面涂锡层中含有Ag成分，在助焊剂的帮助下，Ag金属膜更易与镀锡铜带焊接牢固，而且导电性更优。
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公开(公告)号：CN101609002B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200910089681.2
申请日：2009-07-29
申请人： 新奥光伏能源有限公司
摘要： 本发明属于半导体薄膜检测领域，特别涉及一种测量半导体薄膜材料光学带隙的方法。本发明从结果拟合角度对透射和反射光谱进行解谱分析，求出准确的吸收系数，在此基础上采用Tauc公式求出准确的光学带隙。本发明方法对现有技术所存在的问题进行了严格的计算分析和处理，可以消除光在膜基系统的反射对透射的影响和衬底的吸收对透射的影响这两个问题造成的误差，使光学带隙的准确程度大幅提高。
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公开(公告)号：CN101693991B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200910209159.3
申请日：2009-10-28
申请人： 新奥光伏能源有限公司
摘要： 本发明公开了一种等离子加强化学气相沉积PECVD设备，包括：PECVD沉积腔室、热交换器和热交换管路；PECVD沉积腔室包括支撑板和基座；其中热交换器用于对热交换管路中的流体进行加热；热交换管路一端与热交换器连接；另一端分为两个支路分别通向PECVD沉积腔室的支撑板和基座，用于加热支撑板和所述基座稳定地达到正常发生沉积反应的温度状态，在该设备进行“第一片电池片”的生产过程中，可以避免因设备温度未达到正常发生沉积反应的温度状态而产生的“第一电池片效应”，提高了产品的质量和优良品率。
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公开(公告)号：CN101705477A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910252756.4
申请日：2009-12-09
申请人： 新奥光伏能源有限公司
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/56 , C23C16/24 , H01L21/324 , H01L21/66
摘要： 本发明涉及一种在线检测与在线修补薄膜产品晶化率的系统及方法。该检测与加工系统包括：晶化率检测单元，用于对产品进行拉曼光谱检测；晶化率分析单元，用于计算晶化率，并判断晶化率分布是否均匀；激光加工单元，用于根据判断结果对产品进行激光晶化处理。上述方法包括对产品进行拉曼光谱在线检测，根据检测结果确定产品晶化率，并判断产品晶化率的分布是否均匀；如果不均匀，则进行激光晶化处理。上述系统及方法通过在线分析检测产品的晶化率的分布，针对不均匀区域进行激光晶化处理，提高其晶化率，使产品的晶化率分布更加均匀。本发明克服了现有技术无法在线检测产品的晶化率分布并对不均匀区域进行在线修补的问题。
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公开(公告)号：CN101693991A
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200910209159.3
申请日：2009-10-28
申请人： 新奥光伏能源有限公司
摘要： 本发明公开了一种等离子加强化学气相沉积PECVD设备，包括：PECVD沉积腔室、热交换器和热交换管路；PECVD沉积腔室包括支撑板和基板；其中热交换器用于对热交换管路中的流体进行加热；热交换管路一端与热交换器连接；另一端分为两个支路分别通向PECVD沉积腔室的支撑板和基板，用于加热支撑板和所述基板稳定地达到正常发生沉积反应的温度状态，在该设备进行“第一片电池片”的生产过程中，可以避免因设备温度未达到正常发生沉积反应的温度状态而产生的“第一电池片效应”，提高了产品的质量和优良品率。
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