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公开(公告)号：CN118407004A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410553485.0
申请日：2024-05-07
申请人： 齐鲁中科光物理与工程技术研究院
摘要： 本发明属于光学薄膜领域，具体涉及一种紫外激光器反射镜用高损伤阈值355nm高反薄膜的制备方法，先采用离子源产生的等离子体辅助镀制15个周期的规整1/4波长厚度的HfO2层和SiO2层，再屏蔽离子源继续镀制0.8Al2O3、1.2SiO2、0.8Al2O3、1.2SiO2、0.8Al2O3、1.2SiO2、0.8Al2O3外层膜系；采用三材料双膜堆体系，HfO2/SiO2膜堆可有效的保证高反膜反射率大于99.5%；在外层镀制屏蔽离子源的以Al2O3结尾的非规整Al2O3/SiO2膜堆，能有效改善外层结构，降低外层电场强度和薄膜内应力，膜层的吸收损耗降低，高反薄膜的激光损伤阈值进一步得到提高，达到23.7MW·cm‑2；该制备方法高效易行，薄膜抗激光损伤性能提升效果明显，具有可重复性，适用于产业化生产，在高功率紫外激光器领域具有极大的市场前景。
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公开(公告)号：CN118393628A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410509023.9
申请日：2024-04-25
申请人： 上海京盛光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及节滤光片技术领域，一种窄带滤光片，包括玻璃基板，所述玻璃基板的上表面镀有第一光学膜，第一光学膜的一侧镀有光学油墨层，光学油墨层远离第一光学膜的一侧镀有第二光学膜；本发明还提出一种窄带滤光片制作方法，包括以下步骤：S1：玻璃基板加工，将玻璃基板放置真空腔内，真空至1.0×10‑3Pa，采用离子源对玻璃基板的表面进行轰击15‑20min，获得轰击后的玻璃基板。本发明不仅无需采用高折射率且低消光系数的镀膜材料，降低了窄带滤光产品的制作难度，对设备的要求较低，而且提高了产品的防水性能，防止发生吸水霉变，进而达到了提高窄带滤光片的光学稳定性的目的。
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公开(公告)号：CN118388827A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410384022.6
申请日：2017-06-14
申请人： 东洋纺株式会社
摘要： 提供：具有与涂覆有聚偏二氯乙烯的聚丙烯系薄膜匹敌的阻气性的、具备使用丙烯系聚合物的薄膜和以无机化合物为主要成分的薄膜层的层叠聚丙烯薄膜。一种层叠聚丙烯薄膜，其特征在于，具备：使用聚丙烯系树脂的聚丙烯薄膜基材；和，以无机化合物为主要成分的薄膜层，层叠聚丙烯薄膜的150℃下的纵向的热收缩率为7％以下，透氧度为150mL/m2/day/MPa以下。
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公开(公告)号：CN114530518B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202210066554.6
申请日：2022-01-20
申请人： 陕西理工大学
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0304 , H01L31/18 , C23C14/35 , C23C14/06 , C23C14/10 , C23C14/24 , C23C14/04
摘要： 本发明公开了一种SACM结构InSb‑APD中红外探测器，包括从下至上的N型InP衬底、N型InP缓冲层、非有意掺杂的InSb倍增层、P型InSb电荷层、P型InSb吸收层、P型GaSb接触层；P型GaSb接触层的上方设有上电极层，N型InP缓冲层的上方设有下电极层；还包括覆盖在探测器侧表面的钝化层。本发明还涉及上述探测器的制备方法。本发明利用禁带较宽的半导体材料作为上下接触层，形成双异质结结构，抑制扩散电流。
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公开(公告)号：CN118317686A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410349880.7
申请日：2024-03-26
申请人： 天津工业大学
IPC分类号： H10N52/00 , H10N52/85 , H10N52/01 , H10N50/20 , H10N50/85 , H10N50/01 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/35
摘要： 本发明公开了一种基于掺杂RuO2自旋霍尔效应反铁磁隧道结器件及其制备方法，其中：自旋霍尔通道薄膜生长于基片的表面，自旋霍尔通道薄膜的组分为含有掺杂元素的RuO2，且掺杂元素为W、Ta、Pt、Co、Cr、V、Mn中的任意一种。反铁磁隧道结器件由下至上依次包括自旋霍尔通道薄膜、共线反铁磁自由层、隧穿层、共线反铁磁钉扎层和保护层，共线反铁磁自由层和共线反铁磁钉扎层均为掺杂Co、Cr、V、Mn中的任意一种的RuO2，隧穿层为TiO2或MgO，保护层为SiO2。掺杂不仅增大了RuO2的自旋转矩效率，还引入了自旋劈裂效应；在保持反铁磁性的同时引入了微小的净磁矩，并对奈尔矢量进行了一定的调控。利用同质外延的方法制备，获得性能优良的反铁磁隧道结。
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公开(公告)号：CN118317685A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410349046.8
申请日：2024-03-26
申请人： 天津工业大学
IPC分类号： H10N52/00 , H10N52/01 , H10N52/85 , H10N50/20 , H10N50/85 , H10N50/01 , C23C14/35 , C23C14/18 , C23C14/10 , C23C14/08 , C23C14/06
摘要： 本发明涉及电子存储器技术领域，公开了一种轨道转矩驱动的反铁磁结构及其制备方法和应用。反铁磁结构从下至上包括单晶基片、轻金属层、反铁磁材料、保护层；轻金属层与反铁磁材料复合构成磁异质结。本发明将轻金属材料与反铁磁材料复合构成轻金属/反铁磁磁异质结，具有强霍尔效应的轻金属材料作为轨道霍尔效应通道所产生的轨道流，进入反铁磁材料中在强自旋轨道耦合的作用下转化成自旋流，产生轨道转矩从而实现磁矩的翻转。结合轨道转矩和反铁磁的优点，以实现低成本，低功耗，高速度，高密度的数据存储。
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公开(公告)号：CN114114490B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202111476204.9
申请日：2021-12-06
申请人： 湖北久之洋红外系统股份有限公司
IPC分类号： G02B5/08 , G02B1/14 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/12 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/22 , C23C14/30
摘要： 本发明公开了一种超低应力耐久性金属反射膜及其制备方法和应用。该金属反射膜，依次包括Cr膜层、Al或Ag反射层、介质保护层或增强层和防潮防霉憎水膜层，其中Cr膜层的厚度为10～50nm；当选择Ag膜层时，Cr膜层和Al膜层之间还包括Cu膜层。其制备为：基片进行基础清洗和离子束清洗，然后依次镀制Cr膜层、Al反射层(或Cu膜层和Ag反射层)、介质保护层或增强层、防潮防霉憎水膜，即得金属反射膜。该反射膜全膜系膜层应力低，膜层应力可调控，薄膜附着力、耐摩擦和环境稳定性优良，同时可根据光学元件的需求实现宽波段高反，且反射率高，可以广泛应用于对光学元件面形精度要求高、成像像质要求高的光学系统中。
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公开(公告)号：CN118272765A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211737429.X
申请日：2022-12-29
申请人： 溧阳天目先导电池材料科技有限公司
摘要： 本发明实施例涉及一种蒸发沉积一体化真空炉及其应用。炉体包括固定半炉体和可移动半炉体，它们之间通过机械卡扣相连接；加热反应器设置于固定半炉体内，用于放置原料；反应冷却装置设置于炉体的炉壁内，用以对炉体的炉壁进行冷却降温；冷却收集器设置于可移动半炉体内，用以收集冷却后的物料；冷却收集器的内部设有不规则挡板；收集冷却装置，收集冷却装置设置在可移动半炉体的炉壁内，用以对可移动半炉体和冷却收集器进行冷却降温；滚动轮设置在冷却收集器下方，用以带动冷却收集器在反应冷却装置中绕轴向转动；联动轴连结滚动轮与电机；电机驱动联动轴，从而带动滚动轮转动；抽真空装置和炉体相连通，用以对炉体的内部进行抽真空。
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公开(公告)号：CN118272763A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202311582531.1
申请日：2023-11-23
申请人： 比亚迪股份有限公司
摘要： 本发明涉及防眩光膜技术领域，公开了一种复合膜及其制备方法和应用。该复合膜包括吸收层和位于所述吸收层上的低折射率层，所述吸收层含有XY‑A‑B，其中，X选自Ti、Nb、Ta、Cr和Zr中的至少一种，Y为非金属元素，A为不固溶金属元素，B为稀土元素，其中，A与X的原子比R1满足：0
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公开(公告)号：CN118241160A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202211681756.8
申请日：2022-12-23
申请人： 东莞新科技术研究开发有限公司
发明人： 杨圣合
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/10 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C14/30 , C23C14/35 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G06F1/20
摘要： 本发明的CPU镀层的形成方法，包括：封装CPU并将所述CPU的待处理表面暴露；清洗所述待处理表面；以及在具有负压的真空腔室内对所述待处理表面进行镀膜形成镀层，所述镀层为SiO2、TiO2、Al2O3中的一种或多种。本发明在CPU的预定表面上形成具有散热性能的镀膜，从而防止CPU在运行时过热而影响工作性能。
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