激光离子化质量分析装置及质量分析方法

    公开(公告)号:CN1206493A

    公开(公告)日:1999-01-27

    申请号:CN97191457.5

    申请日:1997-08-29

    Abstract: 一种质量分析装置,具有质量分析仪(4),质量分析仪(4)又包括:具有形成分子射流的脉冲阀的试样导入部(1);脉冲激光振荡器(2);以及分析用该激光离子化了的分子的质量的质量分析仪(4)。上述脉冲激光振荡器产生最大输出功率为1MW以上的超短脉冲激光。真空离子化室(3)用涡轮分子泵排气,上述试样导入部的喷嘴(12)由两个以上的针孔喷嘴构成,设有狭缝喷嘴和狭缝分离器(14)。本发明的装置灵敏度高且精确度高,由于能使结构紧凑,所以能发挥迅速分析燃烧后排放的气体等的能力。

    一种含有一氮化硼的材料的制造方法

    公开(公告)号:CN1039897C

    公开(公告)日:1998-09-23

    申请号:CN95108168.3

    申请日:1995-06-29

    Abstract: 将含有硼化物和氧化物的混合粉末在氮化性气氛中加热,所说的氧化物的一部分或全部被与硼化物中的硼结合的元素还原转变为结合氧少的氧化物、氧氮化物、氮化物、碳化物和硼化物中的一种或多种的同时,生成一氮化硼,得到含有一氮化硼的材料。另外,在将含有硼化物的混合粉末填充到耐热性模具中的同时,形成的充填体由模具限定在氮化性气氛中加热,得到含有一氮化硼的烧结体。可以合成多数成分系的含有一氮化硼的材料,并且可以制造无膨胀、无变形、无裂纹的烧结体。

    合金薄板及其制造方法

    公开(公告)号:CN1039544C

    公开(公告)日:1998-08-19

    申请号:CN94103318.X

    申请日:1994-03-18

    CPC classification number: H01J29/07 C21D8/0205 H01J2229/0733

    Abstract: 一种含有Fe、Ni和Cr的合金薄板具有15-45μm的平均奥氏体结晶粒度和50%或更低奥氏体结晶粒的混粒度;在该合金薄板表面上具有35%或更低的(331)晶面的聚集度、20%或更低的(210)晶面的聚集度和20%或更低的(221)晶面的聚集度;上述混合粒度用公式(|0.5Dmax-D|/D)×100%)表示,式中D是平均奥氏体结晶粒度,而Dmax该合金薄板中的最大奥氏体结晶粒度。一种制造用于荫罩的合金薄板的方法,它包括步骤:(a)热轧(b)热轧薄板退火、(c)冷轧、(d)再结晶退火、(e)最终冷轧、(f)消除应力退火和(g)冲压成型前退火。

    用于荫罩的合金薄板
    40.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1035890C

    公开(公告)日:1997-09-17

    申请号:CN94103320.1

    申请日:1994-03-18

    CPC classification number: C22C38/08 H01J29/07 H01J2229/0733

    Abstract: 一种用于制造荫罩的合金薄板,该合金薄板基本上由以下元素组成:Ni34~38%(重量)、Si0.07%(重量)或更低、B0.001%(重量)或更低、O0.003%(重量)或更低、N0.002%(重量)或更低、其余是Fe和不可避免的杂质。所述合金薄板具有10.5~15.0μm的平均奥氏体晶粒度(Dav)、1~15的奥氏体晶粒的最大粒度与最小粒度之比(Dmax/Dmin)、165~220的维氏硬度(Hv),并满足关系式:10×Dav+80≥Hv≥10×Dav+50;和在所述合金薄板在其表面上的各晶面聚集度为规定值。

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