公开(公告)号：CN114728362B

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202080079230.5

申请日：2020-12-07

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 徐培尔 ,  中司升吾 ,  矢野猛 ,  小川亮 ,  佐藤英市

IPC: B23K9/095

Abstract: 在焊嘴‑母材间距离变化的气体保护电弧焊接中，无论保护气体如何，均在维持电弧长控制的同时抑制焊接电流的变动，从而得到良好的焊接作业性，并且在以摆动的方式进行焊接的情况下，实现精度更良好的电弧仿形。校正电流计算单元(440)包括第一控制式以及第二控制式中的至少一方，第一控制式将作为瞬时输出电压设定值(Va)与输出电压检测值(Vd)的差值的瞬时电压误差值(Dv1)与第一增益(G1)相乘，第二控制式将作为输出电压设定值(Vs)与预先设定的期间的平均输出电压检测值(Vave)的差值的平均电压误差值(Dv2)乘以第二增益(G2)，基于由焊炬位置判定单元(610)判定的焊炬位置检测值，决定电弧特性增益(G1)以及(G2)中的至少一方，基于第一控制式以及第二控制式中的至少一方，计算校正电流(Ierr)。

公开(公告)号：CN117324502A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202310799048.2

申请日：2023-06-30

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 关口修 ,  渡边宪一 ,  加嶋宽子

IPC: B21D47/04 ,  B29C70/78 ,  B29C70/68

Abstract: 金属树脂复合体(1)具备：金属板(10)，具有包括切去孔(12)及切起片(13)的至少一个切起部(11)；以及树脂材料(20)，仅配置在金属板(10)的单面侧，使切起部(11)埋入并硬化，与金属板(10)一体化。

公开(公告)号：CN117295826A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202180097930.1

申请日：2021-06-21

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 笠井昭人 ,  烧谷将大 ,  大菅宏儿

IPC: C21B5/00

Abstract: 本发明的一方案的生铁制造方法使用具有风口的高炉制造生铁，其中，所述生铁制造方法包括：在所述高炉内交替地层叠包含矿石原料的第一层与包含焦炭的第二层的工序；以及在利用从所述风口吹送的热风将辅助燃料向高炉内吹入的同时将层叠的所述第一层的所述矿石原料还原以及熔化的工序，所述矿石原料包含对还原铁进行压缩成形而得到的多个还原铁成形体，所述还原铁成形体的形状在两面具有中央部比周边部厚的鼓起，且在俯视下为倒角了的长方形形状，俯视下的所述还原铁成形体的长边相对于短边的长度比为1.5以下。

公开(公告)号：CN112437714B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN201980048053.1

申请日：2019-07-30

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 四方田真美 ,  西田吉晴 ,  木田直希 ,  福永敦史 ,  金尾显一朗

IPC: B25J19/06 ,  G05B19/4155

Abstract: 本发明的机器人控制装置以规定的碰撞检测灵敏度检测机器人与其他物体的碰撞，使所述机器人动作，如果所述检测部检测到所述碰撞则以使所述机器人停止的方式进行控制，如果满足表示所述机器人的温度低的预先规定的条件，则与不满足所述预先规定的条件时相比使所述碰撞检测灵敏度降低。

公开(公告)号：CN117242195A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202280032678.0

申请日：2022-06-21

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 浦田健太郎 ,  王昌麟

IPC: C22B7/00

Abstract: 一种有价物质的回收方法，其中，包括：在由二次电池得到的含有有价物质的材料中混合还原剂的还原剂混合工序(S150)；加热所得到的混合物而进行还原处理的还原工序(S190)，此外，在所述还原工序(S190)之前，会包括使所述含有有价物质的材料与含有水的液体接触的括水处理工序(S130)。

公开(公告)号：CN117203014A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202280029694.4

申请日：2022-03-25

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 樱井康晴 ,  竹村义也 ,  高田笃人 ,  福永敦史 ,  藤本泰成

IPC: B23K9/095

Abstract: 焊接装置具备：焊炬；可动部，其使焊炬移动；测定部，其设置于可动部，并能够在一个焊道的形成后且焊接下一焊接道次前的规定期间测定一个焊道的温度以及一个焊道的附近的被焊接物的温度中的至少一方；罩部，其至少能够覆盖测定部；以及驱动部，其通过驱动对罩部进行支承的支承构件向规定方向移动从而在焊道的形成时设为罩部覆盖测定部的状态，并通过驱动支承构件向与规定方向相反的方向移动从而在规定期间设为罩部使测定部露出的状态。

公开(公告)号：CN112018260B

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202010453857.4

申请日：2020-05-26

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 田内裕基

IPC: H10K50/818 ,  H01L27/12 ,  C23C14/20 ,  C23C14/34 ,  H10K50/856 ,  H10K59/12 ,  H10K71/16

Abstract: 本发明涉及一种即便使作为反射膜的Al合金膜与氧化物导电膜直接接触，也可确保低接触电阻与高反射率，且耐热性也优异的反射阳极电极，其用于有机EL显示器，且所述反射阳极电极具有层叠结构，所述层叠结构包含Al合金膜及氧化物导电膜，在所述Al合金膜及所述氧化物导电膜的接触界面介隔存在以氧化铝为主成分的层，所述Al合金膜包含Si及稀土类元素，当将所述Si的含量设为a(原子％)，将所述稀土类元素的合计含量设为b(原子％)时，满足0.62＜{a/(a+b)}、0.2＜a＜3及0.1＜b的关系，且所述以氧化铝为主成分的层包含Si。另外，还涉及一种薄膜晶体管基板、有机EL显示器、以及溅镀靶材。

公开(公告)号：CN117161521A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310412502.4

申请日：2023-04-18

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 杉山大辅 ,  畑本航太郎

IPC: B23K9/18 ,  B23K35/362

Abstract: 提供一种单面埋弧焊方法、支持焊剂和衬垫焊剂，背面焊道的高度稳定，能够得到良好的背面焊道外观。单面埋弧焊方法，是使一对钢板(1a、1b)对接而构成坡口，使衬垫焊剂(10)接触配置在坡口的背面侧，从坡口的表面侧进行焊接的方法。衬垫焊剂(10)具有：构成上层的成渣焊剂(2)和构成下层的支持焊剂(3)。另外，成渣焊剂(2)和支持焊剂(3)中，均含有树脂，支持焊剂(3)含有熔点为1600℃以上且只含有一种金属元素的酸性氧化物、和熔点为2000℃以上且只含有一种金属元素的两性氧化物之中的一种或两种以上的成分，合计为43质量％以上，成渣焊剂(2)中的上述成分低于43质量％。

公开(公告)号：CN117098615A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202180096254.6

申请日：2021-06-15

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 福岛浩树 ,  佐野祐太 ,  小林正宜 ,  北川冬马 ,  村上俊夫 ,  小原崇广 ,  乾昌广 ,  饭岛健之 ,  寺冈贵志 ,  米田拓马 ,  小渡晃平 ,  原田骏

IPC: B21C47/02

Abstract: 本发明的目的在于提供能够预测涡卷的端面的凹凸的温度履历的热轧钢板的制造方法。本发明的一方案的热轧钢板的制造方法包括测定热轧成的带状钢材的表面温度的工序、基于由上述测定工序测定出的上述表面温度而算出假定为将上述带状钢材卷绕为在端面不存在凹凸的涡卷状的情况下的卷绕后的自然冷却状态下的温度履历的工序、将上述测定工序后的上述带状钢材实际卷绕为涡卷状的工序、利用位移计扫描由上述卷绕工序卷绕成的涡卷的端面并在上述涡卷的半径的范围内导出上述端面的凹凸的大小的工序、以及使用由上述算出工序算出的温度履历以及由上述导出工序导出的凹凸的大小预测上述凹凸的自然冷却状态下的温度履历的工序。

公开(公告)号：CN117062932A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202280024495.4

申请日：2022-03-22

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 松本洋介 ,  池田宪史 ,  高知琢哉 ,  坂田昌之 ,  内田辰德 ,  山下浩司 ,  井上悠太

IPC: C22C38/00

Abstract: 一种机械结构零件用钢丝，其中，分别以规定量含有C、Si、Mn、P、S、Al、Cr和N，余量由铁和不可避免的杂质构成，设金属组织中的渗碳体中的Cr和Mn的合计含量(质量％)为{Cr+Mn}，设钢中的Cr和Mn的合计含量(质量％)为[Cr+Mn]，且以[C]表示钢中的C量(质量％)时，浓度比{Cr+Mn}/[Cr+Mn]为(0.5[C]+0.040)以上，此外全部渗碳体的平均当量圆直径为(1.668－2.13[C])μm以上且(1.863－2.13[C])μm以下。