用于强制开关电源单元内功率因数校正的装置

    公开(公告)号:CN100479304C

    公开(公告)日:2009-04-15

    申请号:CN200510116374.0

    申请日:2005-10-21

    申请人: ST微电子公司

    IPC分类号: H02M1/14 H02M3/28 H02M3/335

    摘要: 一种用于强制开关电源单元内功率因数校正的装置,包括转换器(20)和与转换器(20)连接的控制装置(100)以便输出从输入交流干线电压(Vin)获得稳定的直流电压(Vout),转换器(20)包括功率晶体管(M)而控制装置(100)包括:差分放大器(3),差分放大器(3)的反相输入端上输入与调节过的电压(Vout)成正比的第一信号(Vr);同相输入端输入基准电压(Vref);与差分放大器(3)的输出端连接的功率晶体管(M)的驱动电路(4-7,10),控制装置(100)包括适于产生表示有效输入电压的电流信号(It)的装置(42,Cff,101,Rt,102),电流信号(It)输入到差分放大器(3)反相输入端,以响应有效输入电压的变化来改变上述调节过的电压(Vout)。

    驱动液晶显示器列的系统
    33.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100369100C

    公开(公告)日:2008-02-13

    申请号:CN03815107.3

    申请日:2003-06-23

    IPC分类号: G09G3/36

    CPC分类号: G09G3/3685 G09G2330/021

    摘要: 本发明涉及一种用于驱动液晶显示器列的系统,包括:逻辑电路(10),它工作在第一电源电压(VDD)与第二电源电压(VSS)之间的供电路径,其中第一电源电压(VDD)高于第二电源电压(VSS)。逻辑电路(10)能够在输入端首先产生第一逻辑信号(LOW_FRAME,WHITE_PIX)和在输出端产生第二逻辑信号(CP,CN,CP_N,CN_N),其数值等于第一电源电压(VDD)或第二电源电压(VSS)。该装置包括:耦合到逻辑电路(10)的两个升高器装置(11,12),并工作在大于第一电源电压(VDD)的第三电源电压(VLCD)与第二电源电压(VSS)之间的供电路径;升高器装置(11,12)能够升高第二逻辑信号(CP,CN,CP_N,CN_N)的数值。该装置还包括:第一对晶体管(T11-T12)和第二对晶体管(T13-T14),它们有不同的供电路径(VLCD-VA,VB-VSS)和有共同的输出终端(OUT);第一对晶体管(T11-T12)和第二对晶体管(T13-T14)连接到升高器装置(11,12)以确定列的驱动信号。该装置包括:关断电路(15),它工作在第三电源电压(VLCD)与第二电源电压(VSS)之间的供电路径,并耦合到两个升高器装置(11,12)。当两对晶体管(T11-T12,T13-T14)中的一对晶体管是在工作状态时,关断电路(15)能够在一帧时间周期内保持两对晶体管(T11-T12,T13-T14)中的另一对晶体管是在关断状态。

    有源功率因子校正的方法和电路

    公开(公告)号:CN1961267A

    公开(公告)日:2007-05-09

    申请号:CN200480043068.2

    申请日:2004-05-18

    申请人: ST微电子公司

    IPC分类号: G05F1/70 H02M1/00 H05B41/28

    摘要: 描述了一种用于控制电源线的功率因子的方法,该方法使用与电源线相连的控制单元。有利地根据本发明,通过调制控制单元中包括的双极型晶体管(TB1)的导通时间,并且通过反馈驱动双极型晶体管(TB1)的控制端(B1)来调节导通时间的所述调制,来执行功率因子控制。还描述了一种用于控制电源线的功率因子的电路,其类型是包括与电源线相连的第一和第二输入端(I1,I2)以及与负载相连的第一和第二输出端(O1,O2)。有利地根据本发明,控制电路包括功率因子控制单元(15)及与之反馈相连的调节块(16)。功率因子控制单元(15)包括双极型晶体管(TB1),其插入到第一和第二输入端(I1,I2)之间并具有与调节块(16)的输出端(O4)相连的控制端(B1),调节块(16)包括至少一个辅助晶体管(Q2),其具有与输出端(O4)相连以减少双极型晶体管(TB1)的控制端(B1)中的电荷的导通端。

    平面双端开关
    35.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1220275C

    公开(公告)日:2005-09-21

    申请号:CN01817267.9

    申请日:2001-10-12

    申请人: ST微电子公司

    IPC分类号: H01L29/861 H01L25/07

    CPC分类号: H01L29/8611 H01L29/8618

    摘要: 本发明涉及一个非对称双端开关,它包括一个具有第一导电类型且具有高掺杂水平的衬底(21),一个位于衬底(21)上表面以上的具有第二导电类型的外延层(22),一个位于外延层上表面以上的具有第一导电类型的高掺杂区域(24),一个位于具有第一导电类型的区域(24)以下且不被其相对覆盖的、具有第二导电类型且比外延层更重掺杂的区域(23),一个位于第一区域以外的具有第二导电类型且比外延层更重掺杂的沟道停止环(25),和一个位于所述环以外且和衬底相接的具有第一导电类型的器壁(26)。

    半导体集成器件的接触装置

    公开(公告)号:CN1586005A

    公开(公告)日:2005-02-23

    申请号:CN01823325.2

    申请日:2001-04-19

    申请人: ST微电子公司

    CPC分类号: H01L27/11502 H01L21/76877

    摘要: 一种集成器件具有:一第一导电区(6A);一第二导电区(11A);一绝缘层(9),配置在第一与第二导电区之间;至少一个通孔(35),延伸在第一与第二导电区之间的所述绝缘层(9)之中;以及一接触装置(10A),制成在通孔之中并在电气上连接第一导电区(6A)和第二导电区(11B)。接触装置(10A)由一导电材料层(30)构成,后者敷盖通孔(36)的侧向表面和底部表面并围绕一空置区(35),此空置区在顶部处由第二导电区(11A)封住。导电材料层(30)最好是包括一钛层(31)和一氮化钛层(32),配置得彼此顶部相叠。

    用户接口保护电路
    39.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1131565C

    公开(公告)日:2003-12-17

    申请号:CN98802966.9

    申请日:1998-12-29

    申请人: ST微电子公司

    IPC分类号: H01L27/02 H02H9/04

    CPC分类号: H01L27/0248 H02H9/043

    摘要: 本发明涉及到一种防止线路遭受大于确定的正阈值或小于确定的负阈值的过电压的危害的单片元件,它包括反向并联的阴栅极闸流管(Th1)和阳栅极闸流管(Th2),阴栅极闸流管的栅极经由栅极电流放大晶体管(T1)连接于负阈值电压(-V)。阳栅极闸流管的栅极连接于正阈值电压(+V),此单片元件制作在被隔离壁(3,4)分隔成阱的衬底中,其下表面涂敷有绝缘层(5,6),衬底的下表面均匀地涂敷有金属层(M1)。

    电磁应答器的电签名的检测

    公开(公告)号:CN1454365A

    公开(公告)日:2003-11-05

    申请号:CN01815431.X

    申请日:2001-08-09

    申请人: ST微电子公司

    发明人: 鲁克·维达特

    IPC分类号: G06K7/00

    CPC分类号: G06K7/0008

    摘要: 本发明涉及一种用于借助于振荡电路产生高频电磁场的终端,当至少一个应答器进入所述电磁场中时,所述终端适应于和所述应答器协同操作,所述终端包括:用于相对于一个参考值调节在振荡电路中的信号相位的装置(37);以及用于根据在振荡电路中的电流测量和振荡电路的电容元件(31)上的电压测量检测应答器的电签名的装置。