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公开(公告)号：CN101114633B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200710139123.3
申请日：2007-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/552 , G09F9/00 , G09G3/00
CPC classification number: H05K1/165 , H01L2924/0002 , H05K1/0216 , H05K1/0233 , H05K1/0237 , H05K2201/09236 , H05K2201/09263 , H01L2924/00
Abstract: 示例性实施例涉及一种互连基底和包括该互连基底的半导体芯片封装和显示系统。该互连基底可以包括：底膜；信号线，设置在底膜上；电源线，设置在底膜上作为包括多个弯曲部分的线图案；地线，设置在底膜上与电源线平行。互连基底还可以包括设置在底膜上的半导体芯片，其中，电源线、地线和/或信号线电连接到半导体芯片，形成半导体芯片封装。显示系统可以包括上述半导体芯片封装、显示图像的屏幕和产生信号的PCB。半导体芯片可以连接在PCB和屏幕之间并且将产生的信号从PCB传输到屏幕。采用具有多个弯曲部分的电源线、地线和/或信号线可以减小显示系统内的电磁干扰(EMI)。
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公开(公告)号：CN101114633A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710139123.3
申请日：2007-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/552 , G09F9/00 , G09G3/00
CPC classification number: H05K1/165 , H01L2924/0002 , H05K1/0216 , H05K1/0233 , H05K1/0237 , H05K2201/09236 , H05K2201/09263 , H01L2924/00
Abstract: 示例性实施例涉及一种互连基底和包括该互连基底的半导体芯片封装和显示系统。该互连基底可以包括：底膜；信号线，设置在底膜上；电源线，设置在底膜上作为包括多个弯曲部分的线图案；地线，设置在底膜上与电源线平行。互连基底还可以包括设置在底膜上的半导体芯片，其中，电源线、地线和/或信号线电连接到半导体芯片，形成半导体芯片封装。显示系统可以包括上述半导体芯片封装、显示图像的屏幕和产生信号的PCB。半导体芯片可以连接在PCB和屏幕之间并且将产生的信号从PCB传输到屏幕。采用具有多个弯曲部分的电源线、地线和/或信号线可以减小显示系统内的电磁干扰(EMI)。
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公开(公告)号：CN112243090B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202010668078.6
申请日：2020-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N23/741 , H04N23/73 , H04N25/75 , H04N25/60
Abstract: 公开了图像传感器和图像处理系统。所述图像传感器包括：感测单元，被配置为：生成针对同一对象具有不同亮度的多个图像；预处理器，被配置为：将除了所述多个图像中的至少一个图像之外的n个图像(n是等于或大于2的自然数)合并以生成合并图像；以及接口电路，被配置为：将所述至少一个图像和合并图像输出到外部处理器。
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公开(公告)号：CN115291482A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210185641.3
申请日：2022-02-28
IPC: G03F7/42 , H01L21/027
Abstract: 提供了一种光致抗蚀剂去除组合物以及使用该组合物制造半导体装置和半导体封装件的方法。所述光致抗蚀剂去除组合物包括极性有机溶剂、烷基氢氧化铵、不包括羟基的脂肪胺和一元醇。为了制造半导体装置，可以在基底上形成光致抗蚀剂图案，然后可以将光致抗蚀剂去除组合物施加到光致抗蚀剂图案。为了制造半导体封装件，可以在基底上形成包括多个通孔的光致抗蚀剂图案。可以在所述多个通孔内部形成包括金属的多个导电柱，并且可以通过将发明构思的光致抗蚀剂去除组合物施加到光致抗蚀剂图案来去除光致抗蚀剂图案。半导体芯片可以在相应的导电柱之间粘附到基底。
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公开(公告)号：CN114598827A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202111185892.3
申请日：2021-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像处理装置，包括：相机，被配置为生成第一图像数据；预处理器，被配置为基于对第一图像数据执行预处理操作来生成第二图像数据；神经网络处理器，被配置为根据基于使用神经网络模型对第二图像数据执行图像处理操作来生成第三图像数据，该神经网络模型被训练来执行一个或多个特定图像处理操作；以及主处理器，被配置为基于对第三图像数据执行后处理操作来生成校正的图像数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114390192A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111209747.4
申请日：2021-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/232 , H04N5/262 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 提供了一种电子装置及其方法和数字相机，包括：图像传感器，其基于通过透镜接收的光产生像素数据，所述透镜允许捕获的图像在第一方向上被压缩的失真；和图像信号处理器，其对像素数据执行重新拼接处理以校正在第一方向上发生的失真，并且产生重新拼接的像素数据。
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公开(公告)号：CN114205544A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111086001.9
申请日：2021-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/374 , H04N5/378 , H01L27/146
Abstract: 一种图像处理装置，包括存储器；以及至少一个图像信号处理器，其被配置为：使用第一神经网络来生成指示是否校正在单位帧间隔期间感测的全局像素值的特征值，并且生成包括特征值的特征信号；通过将全局像素值与特征信号合并来生成图像信号；将包括在图像信号中的像素值拆分为第一子像素值和第二子像素值，将包括在图像信号中的帧特征信号拆分为与第一子像素值对应的第一子特征值和与第二子像素值对应的第二子特征值，并且生成包括第一子像素值和第一子特征值的第一子图像信号以及包括第二子像素值和第二子特征值的第二子图像信号；并且使用第二神经网络顺序地校正第一子图像信号和第二子图像信号。
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公开(公告)号：CN113949876A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110802541.6
申请日：2021-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N19/184 , H04N19/182 , H04N19/186 , H04N5/341 , H04N5/225
Abstract: 提供了一种图像传感器模块、图像处理系统和图像压缩方法。压缩由图像传感器产生的图像数据的图像压缩方法包括：接收将对其进行压缩的图像数据的目标像素组的像素值和将用于目标像素组的压缩中的参考像素的参考值；确定其中将对所述目标像素值执行平均化计算的平均化方向；在所述平均化方向上平均化目标像素的像素值；基于所述参考像素产生包括将应用于所述平均值的补偿值的平衡信息；以及基于所述平均值、所述平衡信息和压缩信息产生比特流。
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公开(公告)号：CN113766153A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110621954.4
申请日：2021-06-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种图像传感器，包括：像素阵列，包括多个像素组，所述多个像素组中的每一个像素组包括施加有第一转换增益的第一像素和施加有第二转换增益的第二像素；读出电路，被配置为：针对多个像素组中的每一个像素组，通过单个读出来接收与第一像素相对应的第一像素信号和与第二像素相对应的第二像素信号，基于多个像素组的第一像素信号来生成第一图像数据，并基于多个像素组的第二像素信号来生成第二图像数据；以及图像信号处理器，被配置为通过以像素组为单位对第一图像数据和第二图像数据进行合并来生成输出图像数据。
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公开(公告)号：CN106876284B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201611043189.8
申请日：2016-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/56 , H01L25/065
Abstract: 提供了半导体封装件及其制造方法。该半导体封装件包括上半导体芯片封装件、下半导体芯片封装件和置于封装件之间的重分配布线层图案。下封装件包括模制层，至少一个芯片嵌入模制层中，下封装件具有顶表面和倾斜的侧壁表面，重分配布线层图案沿顶表面和侧壁表面形成。上封装件和下封装件通过重分配布线层图案彼此电连接。第一封装件可由晶片级封装技术形成并可包括作为基底的重分配布线层、设置在重分配布线层上的半导体芯片以及其上设置有下封装件、重分配布线层图案和上封装件的模制层。
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