-
公开(公告)号:CN105261570B
公开(公告)日:2019-04-02
申请号:CN201510404234.7
申请日:2015-07-10
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/78 , H01L23/48 , H01L23/485
摘要: 本发明构思的实施方式提供了半导体封装及其制造方法。该方法包括形成凹槽以使第一半导体芯片彼此分离。形成凹槽包括:在半导体基板的底表面上进行第一切片工艺以在相对于该底表面倾斜的方向上切割半导体基板以及模层的一部分,以及进行第二切片工艺以在基本上垂直于半导体基板的底表面的方向上切割模层。通过第一切片工艺形成在半导体基板中的凹槽的最小宽度可以大于通过第二切片工艺形成在模层中的凹槽的宽度。
-
公开(公告)号:CN107393834A
公开(公告)日:2017-11-24
申请号:CN201710324633.1
申请日:2017-05-10
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: H01L21/50 , H01L23/00 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L21/027
CPC分类号: H01L21/4857 , B05D1/005 , B05D1/32 , B05D1/38 , B05D3/0209 , B05D7/546 , C23C14/024 , C23C14/046 , C23C14/0641 , C23C14/205 , C23C14/34 , C23C14/588 , C23C18/00 , C23C18/38 , H01L21/486 , H01L2224/16225 , H01L2224/73253 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H05K3/465 , H05K3/4682 , H05K2201/10378 , H05K2203/025 , H05K2203/0588 , H01L21/50 , H01L21/027 , H01L23/31 , H01L23/481 , H01L24/27
摘要: 一种制造内插器的方法包括:提供载体基板;在载体基板上形成单元再分布层,该单元再分布层包括导电通路插塞和导电再分布线;以及从单元再分布层去除载体基板。形成单元再分布层包括:形成包括第一通路孔图案的第一光敏图案层;在第一光敏图案层上形成第二光敏图案层,第二光敏图案层包括第二通路孔图案和再分布图案;用导电材料至少部分地填充第一通路孔图案、第二通路孔图案和再分布图案的内部;以及执行平坦化以使单元再分布层的顶表面变平。根据该方法,在导电结构下面没有底切发生并且在相邻的导电结构之间没有气泡,因而器件可靠性增强并且图案精确性被实现。
-
公开(公告)号:CN106876284A
公开(公告)日:2017-06-20
申请号:CN201611043189.8
申请日:2016-11-22
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: H01L21/56 , H01L25/065
CPC分类号: H01L25/105 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L25/03 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/18 , H01L2224/24137 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2225/1064 , H01L2225/1076 , H01L2225/1088 , H01L25/065 , H01L21/56
摘要: 提供了半导体封装件及其制造方法。该半导体封装件包括上半导体芯片封装件、下半导体芯片封装件和置于封装件之间的重分配布线层图案。下封装件包括模制层,至少一个芯片嵌入模制层中,下封装件具有顶表面和倾斜的侧壁表面,重分配布线层图案沿顶表面和侧壁表面形成。上封装件和下封装件通过重分配布线层图案彼此电连接。第一封装件可由晶片级封装技术形成并可包括作为基底的重分配布线层、设置在重分配布线层上的半导体芯片以及其上设置有下封装件、重分配布线层图案和上封装件的模制层。
-
公开(公告)号:CN106548997A
公开(公告)日:2017-03-29
申请号:CN201610805906.X
申请日:2016-09-06
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号: H01L24/13 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/02205 , H01L2224/02215 , H01L2224/0345 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05184 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/10145 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11614 , H01L2224/1162 , H01L2224/11849 , H01L2224/13006 , H01L2224/13014 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13022 , H01L2224/13026 , H01L2224/13076 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/1312 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/13564 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/73204 , H01L2224/81011 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2924/05042 , H01L2924/05442 , H01L2924/07025 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/0103 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2224/11 , H01L2224/13016
摘要: 公开了一种电子器件和一种半导体器件。所述电子器件包括其上具有电气导电的接触焊盘的基底和在接触焊盘上的电气导电的连接端子。连接端子包括导电柱结构和在柱结构上延伸并且与柱结构的侧壁的突出部分接触的焊料层。柱结构可包括下柱层、在下柱层上的扩散阻挡层和在扩散阻挡层上的上柱层。在发明的一些附加实施例中,柱结构的侧壁的突出部分包括扩散阻挡层的上表面的最外侧部分。这可通过使扩散阻挡层的宽度当在横向剖面上观察时大于上柱层的宽度来获得。
-
公开(公告)号:CN102468264B
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:CN201110374827.5
申请日:2011-11-16
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号: H01L24/81 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/06181 , H01L2224/11001 , H01L2224/13025 , H01L2224/13075 , H01L2224/13099 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2225/06568 , H01L2924/0001 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供了一种包括第一凸起和第二凸起的凸起结构、一种包括该凸起结构的半导体封装件和一种制造该半导体封装件的方法。所述凸起结构包括:第一凸起,设置在基底的连接焊盘上,所述第一凸起包括从所述连接焊盘延伸的多条纳米线和连接所述多条纳米线的端部的主体;第二凸起,设置在所述第一凸起的所述主体上。
-
公开(公告)号:CN105609430A
公开(公告)日:2016-05-25
申请号:CN201510802368.4
申请日:2015-11-19
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: H01L21/58
CPC分类号: H01L21/6836 , H01L21/304 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L23/36 , H01L23/544 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/95 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2223/5446 , H01L2224/02331 , H01L2224/02372 , H01L2224/02373 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05024 , H01L2224/11002 , H01L2224/11009 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11614 , H01L2224/11849 , H01L2224/13026 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13562 , H01L2224/13611 , H01L2224/13613 , H01L2224/1362 , H01L2224/13639 , H01L2224/13647 , H01L2224/13664 , H01L2224/14519 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/17181 , H01L2224/73253 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06555 , H01L2225/06582 , H01L2225/06589 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/18161 , H01L24/81
摘要: 本发明提供了制造半导体封装件的方法。所述方法包括步骤:在衬底的第一表面上形成包括金属的保护层,以覆盖设置在衬底的第一表面上的半导体器件;利用粘合构件将支承衬底附着至保护层;处理与保护层相对的衬底的第二表面,以去除衬底的一部分;以及将支承衬底从衬底拆卸。
-
公开(公告)号:CN104716106A
公开(公告)日:2015-06-17
申请号:CN201410748653.8
申请日:2014-12-09
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/56
CPC分类号: H01L23/562 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L23/36 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06586 , H01L2225/06589 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1088 , H01L2225/1094 , H01L2924/15311 , H01L2924/1815 , H01L2924/18161 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供了一种半导体封装件。至少一个半导体芯片安装在封装衬底上。模制层覆盖所述至少一个半导体芯片。模制层暴露出所述至少一个半导体芯片的最上面的半导体芯片的顶表面的一部分。
-
-
公开(公告)号:CN110867417B
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN201910249054.4
申请日:2019-03-29
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: H01L23/31 , H01L23/367
摘要: 本公开提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:半导体芯片,具有有效表面和无效表面,所述有效表面上设置有连接焊盘,所述无效表面与所述有效表面背对;包封剂,覆盖所述半导体芯片的所述无效表面;热传导过孔,贯穿所述包封剂的在所述半导体芯片的所述无效表面上的至少部分,并且与所述半导体芯片的所述无效表面物理地间隔开;以及连接结构,设置在所述半导体芯片的所述有效表面上,并且包括电连接到所述连接焊盘的重新分布层。
-
公开(公告)号:CN110867417A
公开(公告)日:2020-03-06
申请号:CN201910249054.4
申请日:2019-03-29
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: H01L23/31 , H01L23/367
摘要: 本公开提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:半导体芯片,具有有效表面和无效表面,所述有效表面上设置有连接焊盘,所述无效表面与所述有效表面背对;包封剂,覆盖所述半导体芯片的所述无效表面;热传导过孔,贯穿所述包封剂的在所述半导体芯片的所述无效表面上的至少部分,并且与所述半导体芯片的所述无效表面物理地间隔开;以及连接结构,设置在所述半导体芯片的所述有效表面上,并且包括电连接到所述连接焊盘的重新分布层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-