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公开(公告)号：CN118431249B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410898204.5
申请日：2024-07-05
申请人： 南京大学
IPC分类号： H01L27/146 , H04N25/75 , H04N25/78
摘要： 本发明公开了一种高信噪比的复合介质栅光敏探测器及阵列控制方法，属于成像探测技术领域。该复合介质栅光敏探测器包括4个成像单元和成像单元间的转移区，通过在光敏探测单元中设置转移区，并通过控制各成像单元的栅极电压使得各成像单元处于读出或复位状态，控制转移区的栅极电压使得相邻成像单元之间的收集区处于联通或隔离状态，在保留单一成像单元读出功能的前提下，实现了光敏探测单元中所有成像单元的信号电荷转移至一个成像单元后合并再读出的功能。该功能解决了弱光成像的问题，达到了提高图像的信噪比的效果。
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公开(公告)号：CN118741337A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410761340.X
申请日：2024-06-13
申请人： 中国科学院高能物理研究所
摘要： 本发明公开了一种pnCCD背景数据星载处理系统，其特征在于，包括FPGA、FLASH、SRAM；所述FLASH用于存储地面标定期间计算的pnCCD每个像素的偏移噪声数据；所述SRAM用于从FLASH读取偏移噪声数据并缓存；所述FPGA用于根据收到的指令处理偏移噪声，包括偏移噪声搬移与计算模块，偏移噪声修正模块，指令修改偏移噪声模块，更新静态偏移噪声模块；其中，所述偏移噪声搬移与计算模块用于在轨计算偏移噪声；所述偏移噪声修正模块用于根据在轨计算得到的偏移噪声对pnCCD每个像素的偏移噪声进行在轨修正；所述更新静态偏移噪声模块用于根据在轨修正的偏移噪声更新FLASH中存储的偏移噪声数据。
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公开(公告)号：CN113725238B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202011154531.8
申请日：2020-10-26
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 林成祐
IPC分类号： H01L27/146 , H04N25/76 , H04N25/779 , H04N25/75 , H04N25/78
摘要： 一种图像感测装置包括：基板，其被构造为包括在基板的第一侧的第一表面和在基板的第二侧的第二表面，且包括在基板的在第二表面附近的部分中的第一有源区域和第二有源区域；至少一个光电转换元件，其形成在基板中，并被构造为通过执行对经由基板的第一表面接收的入射光的光电转换产生光电荷；浮置扩散区域，其形成在基板的第二表面附近，并被构造为从光电转换元件接收光电荷并临时存储接收的光电荷；晶体管，其形成在第一有源区域中，并被构造为包括联接到浮置扩散区域的第一源极/漏极区域；以及阱拾取区域，其形成在第二有源区域中，并被构造为向基板施加偏置电压。第一源极/漏极区域和阱拾取区域具有互补的导电性，并被形成为彼此接触。
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公开(公告)号：CN118574029A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410198761.6
申请日：2024-02-22
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H04N25/773 , H04N25/766 , H04N25/706 , H04N25/709 , H04N25/75
摘要： 本发明提供一种光电转换装置、光电转换装置的控制方法和存储介质。光电转换装置包括：多个像素，多个像素包括被配置为接收光的有效像素和被遮蔽光的光学黑像素；确定单元，确定单元用于基于从所述光学黑像素获取的信号，来确定用于校正所述有效像素的信号值的校正值；以及输出单元，输出单元用于使用所述校正值来输出图像。所述确定单元基于第一信号值与第二信号值之间的差和第三信号值来确定所述校正值，第一信号值指示在将遮光部插入摄像光学系统的光学路径中的状态下的所述光学黑像素的信号值，第二信号值指示所述有效像素的信号值，而第三信号值指示在将所述遮光部从所述摄像光学系统的所述光学路径移除的状态下的所述光学黑像素的信号值。
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公开(公告)号：CN114666519B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202111537740.5
申请日：2021-12-15
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： M·H·因诺森特
IPC分类号： H04N25/47 , H04N25/44 , H04N25/75 , H04N25/78 , H04N25/772
摘要： 本申请涉及图像传感器及其操作方法以及数据转换器，该图像传感器可包括模拟‑数字转换器。该转换器可具有输入电容器、一个或多个金属氧化物半导体电容器、数字‑模拟转换器和比较器。在该金属氧化物半导体电容器被激活时，可将输入信号采样到该输入电容器上。在该金属氧化物半导体电容器被激活时，可执行几个转换步骤。在该几个转换步骤之后，将该金属氧化物半导体电容器去激活以实现电压增益，这使得该转换器对比较器噪声不太敏感。
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公开(公告)号：CN114727039B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202210229164.6
申请日：2022-03-10
申请人： 吉林大学
IPC分类号： H04N25/772 , H04N25/77 , H04N25/75 , H04N25/78 , H03M1/08 , H03M1/00 , H03M1/06 , H03K5/24 , H03M1/46
摘要： 本发明公开了一种用于CMOS图像传感器的列级模数转换器及其模数转换方法，属于半导体图像感测技术领域，包括包括比较器模块、电容阵列模块、SAR逻辑模块、斜坡发生器模块、计数器模块、寄存器模块及开关模块；该列级模数转换器通过将逐次逼近模数转换与单斜模数转换结合，比单斜模数转换速度快的同时又不会像只采用逐次逼近模数转换那样面积过大；相比典型两步单斜模数转换来讲，又因为不需要有存储电容存储之前量化的电压值减少了斜坡发生器的负载，也减小了由保持电容带来的斜坡误差，相比典型的多斜坡单斜转换,又减小功耗；并通过两个采样电容，能够将复位与采样信号分别采样，有助于比较器输入失调噪声的减小。
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公开(公告)号：CN114175611B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202080052233.X
申请日：2020-07-10
申请人： 索尼集团公司
摘要： 本公开涉及能够在高速连续成像中缩短成像间隔的图像拍摄设备和图像拍摄方法。如果选择了高速连续图像拍摄，用于临时存储从图像传感器传送过来的图像数据且然后将所述图像数据传送到主存储器的临时存储器在暂停向主存储器传送图像数据的状态下顺序地存储从图像传感器以预定速度传送过来的多组图像数据。临时存储器然后以低于所述预定速度的速度将存储的所述多组图像数据顺序地传送到主存储器。该操作能够应用于图像拍摄设备。
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公开(公告)号：CN118450277A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410512019.8
申请日：2024-04-25
申请人： 深圳市元视芯智能科技有限公司
发明人： 郑健华
IPC分类号： H04N25/75 , H04N25/709
摘要： 本申请提供了一种读出电路、读出方法及图像传感器。该读出电路包括：比较管；比较管的第一端用于接收像素信号；第二端连接第一偏置电流源，用于接入第一偏置电流；控制端用于接收参考信号；自动校零开关；自动校零开关的第一端与比较管的控制端相连接，第二端与比较管的第二端相连接，控制端用于接收自动校零控制信号；辅助校零开关模块，连接于第一偏置电流源与比较管之间，用于接收辅助校零控制信号；馈通抵消管；馈通抵消管的第一端和第二端短接，控制端与比较管的控制端相连接。该读出电路可以减少读出电路面积以及负载电流源和读出电路的占用面积，从而降低图像传感器的功耗和制造成本。
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公开(公告)号：CN110536081B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201910293810.3
申请日：2019-04-12
申请人： 松下知识产权经营株式会社
摘要： 本发明提供能够以简单的电路结构来抑制暗化的摄像装置。摄像装置具备：像素，输出与入射光量对应的像素信号；输出信号线，连接至所述像素，输出来自于所述像素的所述像素信号；第一晶体管，具有第一栅极、第一源极、第一漏极，所述第一源极以及所述第一漏极的一方连接至所述输出信号线；以及第一控制电路，连接至所述第一栅极，构成为：在将使所述第一晶体管导通的电压作为第一电压且将使所述第一晶体管截止的电压作为第二电压时，产生所述第一电压与所述第二电压之间的第三电压。
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