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公开(公告)号：CN105185910B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201510569518.1
申请日：2015-09-09
申请人： 东北师范大学
摘要： 本发明公开了一种利用毛笔制备有机半导体单晶微纳线阵列的方法。该方法，包括如下步骤：1)将有机半导体材料溶于溶剂中，得到有机半导体材料的溶液；2)将衬底进行等离子处理后，用毛笔蘸取步骤1)所得有机半导体材料的溶液，涂覆在等离子处理后的衬底上的待涂覆处，再抬起毛笔离开所述待涂覆处，待所述溶剂挥发后，得到所述单晶阵列。该方法使得溶液铺开面积更大，进而溶液变薄，浓度梯度变小且在单位面积的衬底上溶液的重力作用相对较小，更有利于在任意形状的柔性或曲面衬底上实现大面积的微纳线阵列的生长。此外，这些利用毛笔控制生长的有机半导体单晶微纳线阵列可以结合绝缘层和源漏栅电极，构成场效应晶体管，从而得到实际应用。
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公开(公告)号：CN107275480A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710317742.0
申请日：2017-05-08
申请人： 东北师范大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明涉及一种双层多孔结构非晶碳材料的阻变存储器及其制备方法，包括惰性金属，第一层多孔非晶碳，第二层多孔非晶碳，活性金属，所述惰性金属为底电极，第一层多孔非晶碳设在所述底电极上，所述第二层多孔非晶碳设在第一层多孔非晶碳上，在所述第二层多孔非晶碳上设有活性金属，所述活性金属为顶电极，所述第二层多孔非晶碳上的多孔的孔径尺寸大于第一层非晶碳上的多孔的孔径尺寸。本发明免去了初始化的过程，很大程度的提高了器件的产出率；通过控制氮气含量，精确控制介质层中的孔洞尺寸，有效控制导电细丝的形成与断裂，提升了器件的循环中的均一性。
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公开(公告)号：CN106505148A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201510564121.3
申请日：2015-09-08
申请人： 东北师范大学
CPC分类号： H01L51/0021 , H01L51/0545 , H01L51/102
摘要： 本发明公开了一种基于迭片电极的有机薄膜场效应晶体管及其制备方法，所述方法包括如下步骤：1)制备迭片电极；2)将有机薄膜和步骤1)中所述迭片电极结合，即可得到。通过压合得到具有柔性面对面结构、非柔性面对面结构或卷对卷结构的所述有机薄膜场效应晶体管，无需蒸镀电极，避免了热辐射对电极和有机半导体薄膜的损伤；再者，迭片电极是柔性的，有机半导体薄膜亦可是柔性的；此外，有机薄膜场效应晶体管及电路可实现全柔性的卷对卷结构，利于实现大面积制备，具有一定的商业前景。
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公开(公告)号：CN104051545B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410066313.7
申请日：2014-02-26
申请人： 东北师范大学
IPC分类号： H01L29/8605 , H01L21/329
摘要： 本发明属于信息存储技术领域，具体涉及一种pn异质结构的忆阻器及其制备方法，包括上电极和下电极，在上、下电极之间插入p型氧化物如CuAlO2，NiO）和n型氧化物（如ZnO，TiO2）构成的pn异质结构。在下电极连续施加正偏压，耗尽层中的氧离子会逐渐从n型区向p型区一侧迁移；导致p型区一侧阳离子空位浓度和n型区一侧氧空位浓度同时增加，使pn结的耗尽层宽度逐渐的减小，从而使器件电阻逐渐的减小，实现忆阻行为。本发明利用pn结物性易于调制的特点，对忆阻性能的调控，增加了忆阻性能调控的灵活性；对材料的选择性较弱，忆阻行为性能稳定，有助于忆阻器件的半定量化研究，为器件设计及进一步发展奠定了基础。
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公开(公告)号：CN105606660A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510978559.6
申请日：2015-12-24
申请人： 东北师范大学
CPC分类号： G01N27/125 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种检测NO2的气敏材料及其气敏元件的制作方法，所述气敏材料采用静电纺丝法以及高温处理制备了表面粗糙并具有中空管状结构的SnO2纳米纤维，SnO2中空纳米纤维为金红石结构，其纤维直径约为250nm~300nm，颗粒层的厚度在40nm左右。利用原位还原的方式对其表面进行了Au颗粒修饰，其晶体结构并未改变。该气敏材料的一维中空纳米结构特征增加了材料的比表面积，通过贵金属修饰显著提高了SnO2的气敏性能，展现出了对NO2更高的灵敏度和较大的测量范围。将所得的材料涂在陶瓷管表面，退火，煅烧过的陶瓷管芯及镍-铬加热丝焊接在底座上，即制成气敏元件。
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公开(公告)号：CN105261485A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510694224.1
申请日：2015-10-25
申请人： 东北师范大学
CPC分类号： Y02E60/13
摘要： 本发明提供了一种高比表面积的氮掺杂多孔碳纳米纤维材料的制备方法，将电纺聚丙烯腈/聚苯胺复合纳米纤维在惰性气氛中，适当温度处理，即可得到高比表面积的氮掺杂多孔碳纳米纤维材料。与现有技术相比，本发明直接以电纺聚丙烯腈纳米纤维为基底，生长聚苯胺纳米线，合成电纺聚丙烯腈/聚苯胺复合纳米纤维。该复合纳米纤维除了具有较高的氮原子含量外，其表面还具有丰富的孔隙结构。该复合纳米纤维经过加热处理即可获得高比表面积的氮掺杂多孔碳纳米纤维材料。该材料为超级电容器的电极材料具有非常好的电化学性质。特别是本发明的超级电容器电极材料的制备方法，制备工艺简单、流程短、设备依赖性低、适用于工业化大规模生产。
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公开(公告)号：CN105244438A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510669814.9
申请日：2015-10-13
申请人： 东北师范大学
CPC分类号： H01L51/003 , B82Y10/00 , H01L51/0512 , H01L51/055
摘要： 本发明公开了一种可编织线状有机单晶场效应晶体管及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：1)于衬底表面涂覆得到绝缘层薄膜，并对所述绝缘层薄膜进行固化处理，得到固化处理后的绝缘层薄膜；2)将有机单晶转移至步骤1)中所述固化处理后的绝缘层薄膜上，并于所述有机单晶的两端蒸镀电极，得到平面器件；3)将步骤2)中所述平面器件转移至金丝衬底上，得到有机单晶场效应晶体管。本发明具有制作工艺简单、成本低廉，能够方便的编织和集成到其他织物上，同时具有优异的机械性能和柔韧性，尺寸更小，利于集成化，可以应用于可植入体内的探测设备，在传感器、光控开关和集成电路等器件有潜在的广泛应用。
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公开(公告)号：CN104713930A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510115160.5
申请日：2015-03-17
申请人： 东北师范大学
IPC分类号： G01N27/414
摘要： 本发明公开了一种基于场效应气体传感器的鉴定气体种类的方法，包括如下步骤：1)利用空气间隙为绝缘层的场效应气体传感器，分别测试不同种类气体一系列浓度下的转移曲线，计算得出气体的三种参数值：阈值电压、迁移率和亚阈值斜率；2)并计算其阈值电压的变化率、迁移率的变化率和亚阈值斜率的变化率，以浓度为横坐标，以变化率为纵坐标，作三组标准曲线；3)按步骤1)和2)计算得出未知气体的气体的三种参数值和变化率，与所述相应的三组标准曲线对比，即可得知气体种类，也可通过线性辨别分析法建模，鉴定气体种类。通过单一器件实现了对多种气体的识别，器件的制备和测试简单易行，降低了制作成本，且具有极高的传感性能。
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公开(公告)号：CN104505149A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410673595.7
申请日：2014-11-19
申请人： 东北师范大学
IPC分类号： H01B5/14 , H01B13/00 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种叠层透明电极及其制备。自下而上依次包括：透明衬底、透明衬底上的第一层金属氧化物薄膜、第一层金属氧化物薄膜上的金属纳米线网络层以及覆盖于金属纳米线网络层和未被金属纳米线网络层遮盖的第一层金属氧化物之上的第二层金属氧化物薄膜。金属纳米线网络层的制备包括：在第一层金属氧化物薄膜上制备金属薄膜层；采用静电纺丝在金属薄膜层上制备高聚物纳米纤维网络；以高聚物纳米纤维为掩模，蚀刻去除未被高聚物纳米纤维网络掩盖的金属薄膜；去除高聚物纳米纤维网络。本发明的叠层透明电极具有光透过率高、电阻率低、与衬底接触牢固、表面平整、制备和生长温度低、成本低廉等优点，可广泛应用于各种有机和无机光电器件。
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公开(公告)号：CN101982520B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201010286627.X
申请日：2010-09-17
申请人： 东北师范大学
CPC分类号： Y02B20/181
摘要： 本发明属于发光与显示技术领域，涉及到一种用紫光LED转换白光用新型稀土三基色发光材料中的红色发光材料。其结构式为M3-a-b-cNSi2O8:Ra·Sb·Tc，当M为金属Ba元素，N为金属Mg元素，R为过渡金属Mn元素，S为稀土Eu元素，T为稀土Tb元素时，MnCl2·4H2O在该反应中既是激活剂又是助熔剂，因此能降低反应温度、减少反应时间，降低基质晶格中的声子能量，提高发光效率。将上述结构式的物料，按重量百分比称重，称取研磨均匀后，放入高温炉中煅烧。冷却后研细，高温再煅烧。冷却后再研细，即得到产品。将其与发绿、蓝光的硅酸盐稀土发光材料按一定比例混合后涂在紫光LED管芯上即可发出白光。
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