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公开(公告)号：CN101101848A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710025641.2
申请日：2007-08-10
Applicant: 东南大学
Abstract: 场致发射阴极X射线管涉及X射线管电子源(阴极)的结构设计，该X射线管的电子源为无需加热装置的场致发射阴极。本发明包含场致发射阴极片(6)、调制栅极片(7)、聚焦电极片(8)、高电压阳极靶极片(9)，连接各极片的电极，其特征在于还包括附在场致发射阴极片(6)上的碳纳米管电子发射层(11)；本发明中，X射线源的开启切换由栅极上的调制电压控制，强度由阳极电压和栅极电压控制，聚焦极电压控制发射电子束型。在本发明中公开的场致发射阴极X射线管尺寸较小，射线束直径较小，制造工艺技术简单，费用低廉。本发明提出了一种小型化，强度可调和高分辨率的X射线管。
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公开(公告)号：CN1862649A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610085448.3
申请日：2006-06-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 采用并行像素内存的整帧刷新显示电路及其整帧刷新方法是一种用于逐帧扫描显示的新型缓冲像素驱动电路结构及其整帧刷新方法，该电路的列数据电极(1)分别与第一场效应管(2)、第二场效应管(3)的源极相接，第一场效应管(2)的漏极接第三场效应管(6)的源极，第二场效应管(3)的漏极接第四场效应管(7)的源极，第三场效应管(6)、第四场效应管(7)的漏极分别接像素电极(8)，第一动态存储电容(4)接在第一场效应管(2)的漏极与第三场效应管(6)的源极之间，第二动态存储电容(5)接在第二场效应管(3)的漏极与第四场效应管(7)的源极之间，从而实现图像的整帧显示，提高了图像的显示质量。
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公开(公告)号：CN1832093A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610039300.6
申请日：2006-04-05
Applicant: 东南大学
Abstract: 场致发射显示器的三极结构及其制备方法涉及场致发射显示器件、纳米材料的生长和表面处理，制备方法为：在阴极玻璃基板(1)上制备高导电阴极电极(2)；在阴极电极上通过印刷或者镀膜的方法制备带膜孔图案的介质层(4)；在介质层(4)上制备栅极电极(5)；在阴极电极(2)上低温生长纳米氧化锌棒发射体(3)；通过掺杂的方法使纳米氧化锌棒发射体(3)具有一定的电阻特性，减小纳米氧化锌棒发射体(3)与栅极电极(5)之间的短路，并提高发射稳定性；制备支撑体(6)；在带透明导电膜的阳极基板(7)上制备荧光粉层(8)；将阴极基板与阳极基板封接排气，形成器件内的真空工作环境。本发明的场致发射显示器其发射性能优良，制备工艺简单。
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公开(公告)号：CN1825527A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610039301.0
申请日：2006-04-05
Applicant: 东南大学
Abstract: 背栅极场发射显示器的一种阴极结构及其制备方法涉及场致发射平板显示器件，采用一种新型的阴极结构，提高背栅极场发射显示器件的分辨率和亮度均匀性，降低制造成本。在阴极基板(1)上设有条状的背栅极电极(2)，在背栅极电极(2)上设有绝缘介质层(3)，在绝缘介质层上设有与背栅极电极方向垂直的条状阴极电极(4)；在阴极电极上以及两阴极电极之间的间隙上设有场发射体层(6)，或在阴极电极上设有与对应背栅极电极平行的条状场发射体层，增加大面积制作场发射体层时阴极电极之间的电阻；在阳极基板(7)上制备有彩色荧光粉图案(8)；由阴极基板与阳极基板封接形成背栅极场发射显示器。
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公开(公告)号：CN1176482C
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN02138641.2
申请日：2002-11-22
Applicant: 东南大学
Abstract: 场发射显示板及其控制方法是一种涉及场发射显示器件，特别是通过改变场发射显示板的结构来提高场发射显示均匀性的方法。它包括一块前玻璃基板1和后玻璃基板2，在后玻璃基板上设有阴极电极3和设在阴极电极3上并保持电连接的微尖电子发射器4，门电极5设在微尖电子发射器的上方，在门电极5的上方设有与门电极5所在平面平行且并行排列的第一控制电极12，在第一控制电极12上方设有与第一控制电极12所在平面平行且并行排列的第二控制电极13，第一控制电极12与第二控制电极13的排列方向相互垂直，且该两排电极由介质14或真空隔离，用位于门电极5上方的第一控制电极12和第二控制电极13来控制微尖电子发射器4发的电子是否能够到达阳极，从而达到控制显示板某点亮度的作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1463020A
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN03131895.9
申请日：2003-06-16
Applicant: 东南大学
IPC: H01J9/02
Abstract: 降低阴极发射跌落和残余气体水平的方法涉及采用浸渍阴极的大尺寸、高亮度彩色显像管中降低阴极发射跌落并降低其对白场平衡影响的生产工艺技术。在对阴极射线管老炼的过程中，对阴极射线管的阴极加电压，使其发射电子，同时，在阴极射线管外的电子枪部位向管内施加外磁场，使电子枪发射的电子发生偏转，从而使电子轰击管内元件表面产生材料放气，用管内的消气剂吸收该材料放气，同时使发射的电子与管内的气体分子发生碰撞电离所产生的离子轰击电极或阴极中心以外的区域。对阴极射线管所施加外磁场为交流磁场，使电子枪金属部件产生涡流发热，形成材料的热除气。本发明可以使该器件中真空度提高，并且不损害器件中的材料特性和器件性能。
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公开(公告)号：CN1411016A
公开(公告)日：2003-04-16
申请号：CN02138642.0
申请日：2002-11-22
Applicant: 东南大学
IPC: H01J9/02
Abstract: 一种减小场发射阴极三极管中门栅电极截获电流的方法，涉及场发射器件，特别是对远门栅电极的场发射阴极三极管为提高阳极电流，减小门栅电极对电流的截获而采用的方法。它包括制作在阴极电极1上的微尖电子发射体2、一块控制微尖发射场强的带有电子引出孔的门栅电极3和将具有比门栅电极电位更高使电子从门栅电极抽出并加速的阳极4，其特征是在门栅电极3上，有为减小门栅电极3电流截获的介质层8，微尖电子发射体2上发射的电子，有部分轰击到门栅电极3的介质层8上而产生二次电子发射，在门栅电极3和阳极电位的共同作用下，产生的二次电子通过在介质层8表面的跳跃向阳极4方向运动，并达到阳极4，应用这种技术，可以降低门栅电极对阴极发射电子的截获，同时可以提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN1353440A
公开(公告)日：2002-06-12
申请号：CN01137348.2
申请日：2001-12-05
Applicant: 东南大学
IPC: H01J9/38
Abstract: 一种消除场发射显示器件中残余气体和材料出气的方法是一种应用磁离子阱消除场发射显示器中残余气体和材料放气的工艺方法,该方法是在场发射显示器件的老炼工艺中,采用磁离子阱除气的方式,即在场发射显示器的外部设有一组作为磁离子阱的磁场,该磁场穿过场发射显示器,在场发射显示器内部门电极上加比阴极电极电位高的正电位,使得当微尖电子发射器尖端的场达到一定的强度后,微尖电子发射器开始发射电子,从而使残余气体消除。作为磁离子阱的磁场可以是交流磁场,也可以是直流磁场。在对场发射显示器进行老炼的过程中,可以对整个场发射显示器同时老炼,也可将显示器分为几个区域分别老炼,而作为磁离子阱的磁场针对老炼的区域作用。
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公开(公告)号：CN119342977A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411449988.X
申请日：2024-10-17
Applicant: 苏州亿现电子科技有限公司 , 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于X射线的直接型钙钛矿单晶线列探测器及其制备方法，包括TFT读出电路基板、光电二极管传感层和顶面基板；所述光电二极管传感层为钙钛矿单晶二极管层；所述顶面基板上设置有顶电极；所述TFT读出电路基板的连接电极和光电二极管传感层之间设置有各向异性绑定层，所述顶面基板和光电二极管传感层之间设置有各向异性绑定层，光电二极管传感层固定在顶面基板和TFT读出电路基板之间；所述各向异性绑定层为钙钛矿晶体绑定层。本发明使钙钛矿晶体光电二极管和连接电极之间具有较好的纵向导电性，以及很强的横向绝缘性。
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公开(公告)号：CN119095397A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411407974.1
申请日：2024-10-10
Applicant: 苏州亿欧特光电科技有限公司 , 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种FA0.85Cs0.15PbI3光电探测器，包括透明玻璃衬底、透明底电极、FA0.85Cs0.15PbI3钙钛矿薄膜、顶电极和偏置电源；所述透明玻璃衬底上设置图案化的透明底电极，透明玻璃衬底和透明底电极上设置有FA0.85Cs0.15PbI3钙钛矿薄膜，所述FA0.85Cs0.15PbI3钙钛矿薄膜上沉积图案化顶电极，所述透明底电极和顶电极之间设置偏置电源。所述光电探测器具有良好的吸收性能，并且响应度高，结构比较稳定；FA0.85Cs0.15PbI3钙钛矿薄膜通过喷涂法制备，并采用辅助重结晶退火的方法对钙钛矿薄膜后处理，减少了晶粒的缺陷，增大了晶粒尺寸，提高了探测器性能。
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