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公开(公告)号：CN107947631A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711206727.5
申请日：2017-11-27
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
CPC分类号： H02N2/166 , B81B7/02 , H02N2/0055 , H02N2/12 , H02N2/123
摘要： 本发明公开了一种MEMS行波型微马达结构，包括转子结构、定子行波驱动器结构和预紧力结构，所述定子行波驱动器结构下端与所述预紧力结构固定连接，所述转子结构包括转子壳体和转子，所述转子与所述定子行波驱动器结构紧密压紧在一起，所述转子壳体套设在所述转子的外面。通过以上结构设计，基于MEMS工艺的马达包括转子结构、定子行波驱动器结构和预紧力结构，信号互连不需要键合引线，使得器件结构更加紧凑尺寸更加小，本发明提出的马达结构通过键合即可完成组装，因此具有装配少，方便批量化生产的优势。
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公开(公告)号：CN103367463B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310310173.9
申请日：2013-07-23
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L21/329
摘要： 本发明公开了一种太赫兹横向肖特基二极管，包括半绝缘层、有源区N+层、有源区N-层、钝化层、欧姆接触区、肖特基接触区、阴极和阳极。其主要制作方法为：刻蚀有源区台阶后，依次离子注入Si形成有源区N+层和有源区N-层，退火后淀积钝化层，在钝化层的保护下光刻欧姆接触区，然后再通过电子束光刻技术光刻肖特基接触区，淀积接触金属后，最后光刻阴极和阳极。本发明采用横向二极管结构，不仅制作工艺简单，精确控制晶体管的尺寸，有效降低阴阳极之间的寄生电容，提高二极管工作的截止频率和可靠性，而且将所有寄生参量相互隔离，在保证可靠性的基础上降低了寄生参量间的关联性，使器件的设计更加灵活，可用于实现太赫兹频段信号的混频或倍频。
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公开(公告)号：CN107947631B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201711206727.5
申请日：2017-11-27
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
摘要： 本发明公开了一种MEMS行波型微马达结构，包括转子结构、定子行波驱动器结构和预紧力结构，所述定子行波驱动器结构下端与所述预紧力结构固定连接，所述转子结构包括转子壳体和转子，所述转子与所述定子行波驱动器结构紧密压紧在一起，所述转子壳体套设在所述转子的外面。通过以上结构设计，基于MEMS工艺的马达包括转子结构、定子行波驱动器结构和预紧力结构，信号互连不需要键合引线，使得器件结构更加紧凑尺寸更加小，本发明提出的马达结构通过键合即可完成组装，因此具有装配少，方便批量化生产的优势。
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公开(公告)号：CN111957544B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202010810942.1
申请日：2020-08-13
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： B06B1/06
摘要： 本发明公开一种压电微机械超声换能器背衬结构，包括相连的填充部和倾斜部，填充部设置于压电微机械超声换能器的背腔中，倾斜部远离填充部的一侧具有倾斜面，倾斜面与压电微机械超声换能器的压电薄膜所在平面之间具有夹角。本发明的压电微机械超声换能器背衬结构，倾斜部设置倾斜面，传播的声波经过填充部和倾斜部吸收的同时，在倾斜面被反射，减少反射回压电薄膜的声波，提升压电微机械超声换能器的分辨率。压电微机械超声换能器阵列中，多个倾斜面与其相对应的压电微机械超声换能器的压电薄膜所在平面之间的夹角相一致，使压电微机械超声换能器阵列各个单元间具有相同的背衬衰减特性，提升压电微机械超声换能器阵列各单元的一致性。
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公开(公告)号：CN109163653A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811050042.0
申请日：2018-09-10
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： G01B7/16
摘要： 本发明提供了一种图案化石墨烯柔性应变传感器的制备方法，首先使用光刻法在硬性基底材料表面制备预定图形，得到图案化模具，然后将高分子材料弹性体和固化剂的混合浆料倾倒在图案化模具表面进行固化，得到微流道模具；然后使用微流道模具覆盖在柔性基底表面，使用多巴胺对柔性基底进行图案化改性，再在改性后的基底表面制备石墨烯敏感层，最后涂刷导电银胶、粘结导线，得到图案化石墨烯柔性应变传感器。本发明提供的制备方法无需对柔性基底进行光刻、不破坏柔性基底本体结构、适应复杂曲面、适用于大面积制造、适合于精细化图案加工，降低了对柔性基底自身材质、形状、表面结构的要求。
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公开(公告)号：CN108519547A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810266737.6
申请日：2018-03-28
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
摘要： 本发明提出了一种基于DTW和SVM的SiC-GTO器件状态监测方法，其步为：在SiC-GTO器件测试结构中，将第3个P区作为功能管脚引出，定义为Base极，并采用嵌入式电路设计的方法在低压情况下测量器件任意两端的伏安特性曲线，将其在不同环境下得到的器件伏安特性曲线作为监测对象。并提出新的动态时间规整改进方法，对其搜索路径进行优化，可有效的避免算法中路径规整不准确和搜索宽度需人为设置的问题，同时降低计算复杂度减少计算量。最后基于SVM将最小失真度总和作为样本特征进行分类，实现高压SiC-GTO器件健康状态监测。
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公开(公告)号：CN108306548A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810320767.0
申请日：2018-04-11
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
摘要： 本发明公开一种行波微马达的驱动结构，包括环形支撑框和放置于环形支撑框内的圆环体，环形支撑框与圆环体通过若干个支撑梁连接；圆环体由上到下分别为第一电极层和基体，第一电极层包括若干个呈环形排列的扇环形电极，相邻两个扇环形电极间具有间隔，扇环形电极的外径小于基体的外径；基体的侧壁设置有若干个凹槽，凹槽的开口处位于扇环形电极的中线以及相邻两个扇环形电极的交界线上，支撑梁均匀分布于凹槽中。本发明行波微马达的驱动结构通过支撑梁和环形支撑框将驱动结构振动的能量限制在框能，支撑梁固定于行波微马达的节圆处，进一步避免了振动能量向外扩散，大幅度降低了能量的损耗，提高了驱动结构的Q值。
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公开(公告)号：CN107324274A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710570485.1
申请日：2017-07-13
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： B81B7/00
CPC分类号： B81B7/0032 , B81B7/007 , B81B7/0074
摘要： 本发明一种用于SIP三维集成的封装载体，包括管壳、基板、金属盖板，所述基板设置于所述管壳上，并且在所述基板和所述管壳之间形成用于容纳芯片的空腔，所述管壳、基板均采用非导电材料，并且所述管壳和基板之间的电信号相互连通，所述金属盖板放置于所述管壳上并且所述金属盖板位于所述基板外侧，所述金属盖板和所述管壳之间相互密封。本发明用于SIP三维集成的封装载体实现了带空腔的3D封装，并且基板和管壳可分别组装、分开测试，分开测试标定好后再组合成一个系统整体，提高了系统的成品率，降低成本。
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公开(公告)号：CN103746157A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410033579.1
申请日：2014-01-24
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
摘要： 本发明公开了一种移相单元及其构成的MEMS太赫兹移相器，主要解决了现有太赫兹移相器寄生参数过多、工艺敏感性强、驱动电压过大等问题。该移相单元包括基底，设置在基底相对两侧的CPW信号线地线，开设于CPW信号线地线相对端的凹槽，通过该凹槽插入CPW信号线地线之中的具有开路终端的CPW信号线，两端分别与具有开路终端的CPW信号线连接的MEMS可动梁，以及设置于基底上并位于MEMS可动梁下方的CPW信号线；在其中一条CPW信号线地线上沿其长度方向开设有与该CPW信号线地线上的凹槽连通的槽，槽内放置有静电驱动偏置线，该静电驱动偏置线的一端连接具有开路终端的CPW信号线，另一端连接有偏置电极正极焊盘；CPW信号线与具有开路终端的CPW信号线共用CPW信号线地线。
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公开(公告)号：CN103367463A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310310173.9
申请日：2013-07-23
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L21/329
摘要： 本发明公开了一种太赫兹横向肖特基二极管，包括半绝缘层、有源区N+层、有源区N-层、钝化层、欧姆接触区、肖特基接触区、阴极和阳极。其主要制作方法为：刻蚀有源区台阶后，依次离子注入Si形成有源区N+层和有源区N-层，退火后淀积钝化层，在钝化层的保护下光刻欧姆接触区，然后再通过电子束光刻技术光刻肖特基接触区，淀积接触金属后，最后光刻阴极和阳极。本发明采用横向二极管结构，不仅制作工艺简单，精确控制晶体管的尺寸，有效降低阴阳极之间的寄生电容，提高二极管工作的截止频率和可靠性，而且将所有寄生参量相互隔离，在保证可靠性的基础上降低了寄生参量间的关联性，使器件的设计更加灵活，可用于实现太赫兹频段信号的混频或倍频。
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