-
公开(公告)号：CN115542583A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211112142.8
申请日：2022-09-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明提供一种电光调制器、调制方法及系统，包括：微腔光耦合装置及超导热电极；所述微腔光耦合装置包括微环谐振腔及波导，所述微环谐振腔与所述波导耦合；所述超导热电极覆盖于所述微环谐振腔的部分上方区域，接收直流偏置信号及射频调制信号，用于在所述超导热电极呈有阻态时将所述射频调制信号加载到所述微腔光耦合装置中的光信号中。本发明的电光调制器、调制方法及系统适用于极低温的工作环境(低于超导热电极材料的超导临界温度)；通过将微弱高频电流信号加载到光信号上，实现高频微弱电流信号的电光转换；而且本发明叠加了微腔光耦合装置的高灵敏度和超导材料失超突变的高灵敏度优势，使得高频微弱电流信号的传输高效稳定。
-
公开(公告)号：CN115274211A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210975359.5
申请日：2022-08-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01B12/06
Abstract: 本发明提供一种用于跨温区微波信号传输的铁基超导传输线及制备方法，采用BaKFeAs铁基超导带制备微带线或带状线，提供了一种具有跨温区互联功能的低温超导柔性传输线，能够实现mK温区至18K温区的互联，传输信号支持数十GHz；能够制备数十cm长度的传输线，且占有空间小、柔韧性好、漏热小、集成度高，适用于极低温的跨温区互联。
-
公开(公告)号：CN111443442B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010192524.0
申请日：2020-03-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种SNSPD阵列与光波导阵列的耦合装置及方法，该耦合装置包括金属底座、硅衬底层、DBR介质层和上表面刻蚀有SNSPD阵列的氮化铌层，光波导阵列和固定座，其中，单元光波导与单元SNSPD一一对应，固定座的一端与光波导阵列的侧表面连接另一端与金属底座的上表面连接。本申请相较于传统的单个SNSPD器件与单根光纤耦合的方法，本申请具有提高SNSPD集成度、拓展器件规模等优点，并且还有助于提高工作效率和实现SNSPD大批量生产，此外，相较于片上集成斜入射耦合或射倏逝波耦合方法，采用分离式垂直耦合的方法将SNSPD阵列与光波导阵列直接耦合，能够有效减少光路损耗，提高光耦合效率。
-
公开(公告)号：CN111220854B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201911122728.0
申请日：2019-11-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十九研究所 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提出了一种基于二阶相干性测量的单微波量子检验装置，采用微波量子源、单微波量子放大器、微波功分器，然后经两路微波/光学上转换装置、光学滤波、延迟、单光子探测器和同时对两路信号进行量子处理的量子处理器等装置，对微波量子的二阶相干性进行测量，进而能够实现对单微波量子探测器特性的检验以及对微波量子源特性的检验。本发明在微波单量子源后直接进行微波功分，分两路进行微波光学上转换，光学滤波等处理。本发明所使用的全部电学、光学器件与设备均可以在室温条件下工作，对于开展微波量子计量、自由空间微波量子探测研究具有重要意义。
-
公开(公告)号：CN111933349B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202010838618.0
申请日：2020-08-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种低温超导薄膜，包括：n层电隔离层及n+1层超导材料层，所述超导材料层与所述电隔离层依次交替叠置；通过改变各超导材料层的厚度调整所述低温超导薄膜的超导转变温度，所述低温超导薄膜的总厚度在相干长度比拟范围内；其中，各超导材料层的材料相同，具有两层以上电隔离层时各电隔离层的材料相同，n为大于等于1的自然数。本发明的低温超导薄膜基于多层超薄的超导材料层及电隔离层调控低温超导薄膜的转变温度，通过调整单层超导材料层的厚度得到不同转变温度的超导材料，调控精度高、操作简单；本发明的低温超导薄膜的超导转变温度原则上与单层超导薄膜的转变温度一致，从而远小于体超导或较厚超导薄膜的转变温度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112781725A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201911089065.7
申请日：2019-11-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种多光谱超导纳米线单光子探测器、成像系统及成像方法，包括：衬底；薄膜叠层结构，位于衬底的上表面，薄膜叠层结构包括依次上下交替叠置的第一薄膜层及第二薄膜层，第一薄膜层的折射率与第二薄膜层的折射率不同，且第一薄膜层的厚度与第二薄膜层的厚度不同；中心波长优化层，位于薄膜叠层结构的上表面；超导纳米线，位于中心波长优化层薄膜层上表面。本发明可以获得多个中心波长的反射带，各反射带相当于对应其中心波长的反射镜，用于在其中心波长附近达到高效吸收；由于薄膜叠层结构中包括多个反射带，可以实现多个波段的高效吸收，从而可以满足用户对不同波段单光子探测器的应用需求，以及多波段成像或多波段探测等应用的需求。
-
公开(公告)号：CN110635021B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201910871389.X
申请日：2019-09-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器及其制备方法，飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器包括：二氧化硅衬底；光波导，位于二氧化硅衬底内，且光波导的一端面与二氧化硅衬底的一侧面相平齐，另一端面延伸至二氧化硅衬底的上表面；光波导基于飞秒激光直写工艺而形成；超导纳米线，位于二氧化硅衬底的上表面，且位于光波导延伸至二氧化硅衬底的上表面的端面上。本发明的飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器通过飞秒激光直写工艺形成于二氧化硅衬底内，制备工艺简单，器件集成度高；本发明的飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器中光波导的材料与光纤的材料相近，耦合效率较高。
-
公开(公告)号：CN109633491B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201910061775.2
申请日：2019-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种全张量磁梯度测量系统安装误差的标定装置及标定方法，所述标定装置包括：激励源，电连接于所述激励源的标定源，设于所述标定源下方的无磁安置台，设于所述标定源一侧的安装支架，设于所述安装支架上的全张量磁梯度测量组件，刚性连接于所述全张量磁梯度测量组件的组合惯导，电连接于所述全张量磁梯度测量组件及所述组合惯导的测控组件，及设于所述标定源一侧的姿态调整装置。通过本发明提供的全张量磁梯度测量系统安装误差的标定装置及标定方法，解决了现有技术无法提供一种简单、便捷的标定装置及标定方法的问题。
-
公开(公告)号：CN112082662A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010955982.5
申请日：2020-09-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明属于光探测技术领域，涉及一种检测超导纳米线单光子探测器件对准结果的方法、装置、设备及存储介质。所述方法包括：提供超导纳米线单光子探测器件，所述超导纳米线单光子探测器件包括探测芯片，所述探测芯片与入射光纤相对准；获取所述探测芯片的图像，所述图像包括所述探测芯片的探测面的中心和入射到所述探测面上的所述入射光纤的光斑；对所述图像进行处理，获取所述光斑的中心与所述探测面的中心之间的距离，以根据所述距离获取所述入射光纤与所述探测芯片的对准结果。本发明能够检测超导纳米线单光子探测器件的对准度，从而能够在一定程度上提高超导纳米线单光子探测器件的对准精度。
-
公开(公告)号：CN107507884B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201710678412.4
申请日：2017-08-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 浙江赋同科技有限公司
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , G01J11/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供一种宽谱超导纳米线单光子探测器件，所述宽谱超导纳米线单光子探测器件包括：衬底；反射镜，位于所述衬底表面；叠层结构，位于所述反射镜表面；所述叠层结构中包括至少两层上下间隔排布的超导纳米线。本发明的宽谱超导纳米线单光子探测器件通过在反射镜上设置包括至少两层上下间隔排布的超导纳米线的叠层结构，可以实现两层或多层超导纳米线的吸收，从而拓展所述宽谱超导纳米线单光子探测器件的高效吸收带宽，具有较高的吸收效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
145
records
(took 0.048 seconds)
