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公开(公告)号：CN114724956A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210343693.9
申请日：2022-03-31
IPC: H01L21/365 , H01L29/24 , H01L29/66 , H01L29/786 , C23C16/30
Abstract: 本发明公开了一种单层二硫化钼的化学气相沉积制备方法及其在薄膜晶体管中的应用；本发明以三氧化钼和硫单质作为反应物，在三氧化钼中加入氢氧化钠，生长得到了质量更好的单层MoS2，晶畴大于100μm，且不局限于一种或者几种衬底材料，在多种单晶和多晶衬底材料上均可稳定生长，本发明还将制备出的单层MoS2应用于薄膜场效应晶体管中，并对薄膜晶体管进行电学测试，获得转移特性曲线，计算出迁移率达121cm2V‑1s‑1，证明该方法制备出的单层MoS2符合半导体器件的应用需求。
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公开(公告)号：CN114675409A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210202478.7
申请日：2022-03-03
Abstract: 本发明涉及一种内窥镜用4K变焦耦合器，包括前保护片到探测器芯片之间的光学成像镜组。所述光学成像镜组从前保护片到探测器芯片之间沿光轴方向排布顺序是第一胶合透镜、第二胶合透镜、第三胶合透镜、第一正透镜、第二正透镜、第一负透镜。第三胶合透镜与第一正透镜组成变倍镜组，第二正透镜与第一负透镜组成补偿镜组；变倍镜组与补偿镜组沿光轴方向联动实现变焦效果。所述变焦耦合器的每个所述透镜具有相适配的参数以使所述4K变焦耦合器具备焦距从14mm到32mm的变焦效果，入瞳直径3.5mm。使用4K分辨率1/1.8英寸探测器芯片，畸变小于2％。该耦合器全部采用球面透镜，并且能较好的配合目视内窥系统进行无级变焦实现对物方的变倍观察。
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公开(公告)号：CN114121620B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202111445763.3
申请日：2021-12-01
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种减小接触电阻提高碲烯场效应晶体管性能的方法，包括以下步骤：S1：合成二维碲烯，并转移到基底上，清洗得到含有二维碲烯的基底；S2：将所述含有二维碲烯的基底上旋涂光刻胶，旋涂后烘焙光刻胶，待烘焙完冷却后准备图案化电极图形，得到图形化后的二维碲烯基底；S3：配置氯化钯溶液；S4：将所述图形化后的二维碲烯基底浸渍于氯化钯溶液中，然后清洗，吹干，得到碲烯场效应晶体管半成品；S5：用磁控溅射的方法在碲烯场效应晶体管半成品上生长一层高功函的金属材料，最后用丙酮清洗，得到碲烯场效应晶体管。本发明降低电子跨越的势垒，起到减小接触电阻的效果，提高晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN112630952B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202011531173.8
申请日：2020-12-22
Abstract: 本发明涉及一种超薄小口径高分辨率内窥显微物镜，包括从物侧依次设置的第一透镜、光阑、第二透镜、第三透镜、第四透镜，各透镜均为球面透镜且均以空气为间隔分离设置，第一透镜具有负光焦度，其物侧面为平面，像侧面为凹面；第二透镜具有正光焦度，其物侧面为凸面，像侧面为凸面；第三透镜具有正光焦度，其物侧面为凸面，像侧面为凹面；第四透镜具有正光焦度，其物侧面为凸面，像侧面为凸面且最大通光口径≤0.6，第一透镜物侧面至成像面的轴上距离≤4.0mm，且满足1.1
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公开(公告)号：CN114531555A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210434036.5
申请日：2022-04-24
Applicant: 之江实验室
IPC: H04N5/32 , H04N5/33 , H04N5/369 , H01L31/0352 , H01L31/112 , H01L31/119
Abstract: 本发明公开了一种端侧轮廓增强的仿生视觉传感器，包括：传感器主体元件模块，包含一个或多个像素，每个像素包含多个用于将光信号转换为电信号的元件，每个像素内的元件间具有光强度信息交换能力，通过光强度信息交换实现元件灵敏度调控，实现元件间光强度差异的放大，达到轮廓增强的目的。本发明中的视觉传感器基于人视网膜中水平细胞的侧抑制功能，在图像采集的基础上，可通过像素内元件间拮抗作用，从而在硬件层面上达到端侧轮廓增强，实现图像特征的提取，从而减少信息冗余，加快成像速度，且自适应、自调控、无需人为调控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114441440A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111589118.9
申请日：2021-12-23
Abstract: 本发明公开了一种晶圆缺陷检测系统及方法，系统包括处理单元、控制单元、信号采集单元、位移组件和检测组件；工作过程为位移组件带动晶圆移动，巡边探测单元将拍摄到的晶圆边缘信息结合位移台移动位置，得到晶圆相对于检测组件光轴的坐标位置，随后，根据晶圆的坐标位置移动位移台，线阵探测单元和面阵探测单元分别对晶圆表面进行扫描拍摄，采集得到的数据经信号采集单元传输给处理单元分析使用。本系统中包含了巡边探测单元，能够补偿由于晶圆放置位置的偏差带来的定位偏差，同时，线阵探测单元和面阵探测单元根据位移组件高精度的位置反馈，在不同位置拍摄图像，可以建立晶圆位置与图像的对应关系，有利于后续的图像拼接和缺陷识别处理。
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公开(公告)号：CN114355605A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210213832.6
申请日：2022-03-07
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及一种齐变焦耦合器用光学成像镜组，光学成像镜组从物方到像方依次包括前保护片、固定镜组、变倍镜组、补偿镜组、后保护片；在对焦处理的过程中，固定镜组、变倍镜组、补偿镜组同时沿光轴方向进行线性移动，且三者相对位置保持不变，以对焦不同物面位置。在调焦变倍处理的过程中，固定镜组保持不动，变倍镜组用于沿光轴方向进行线性移动以使得图像放大倍率进行变化；以及补偿镜组沿光轴方向进行非线性移动以补偿不同放大倍率下的焦点位置移动。本发明提供一种焦距从14mm到32mm的变焦效果，能够较好的耦合目视内窥系统进行齐变焦实现对物方的变倍观察。
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公开(公告)号：CN113984097B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111607828.X
申请日：2021-12-27
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及用于多芯光纤三维形状传感的片上解调系统及承载设备，包括如下过程：来自多芯光纤的四路波长信号通过光纤阵列入射到由三个马赫曾德干涉仪组成的通道切换单元，通过电极调控来选择其中一路进入特殊设计的大串扰阵列波导光栅，阵列波导出射的光经过光纤阵列用InGaAs探测器阵列探测，根据探测到的各个通道光功率结合重心算法来推算多芯光纤上光纤布拉格光栅的中心波长，最后根据多芯光纤所有FBG的中心波长结合弗莱纳算法去恢复多芯光纤的三维形状，本发明可以用一个阵列波导光栅同时解调多芯光纤多路传感信号并有效降低三维形状感知解调器的尺寸和成本。
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公开(公告)号：CN114121620A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111445763.3
申请日：2021-12-01
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种减小接触电阻提高碲烯场效应晶体管性能的方法，包括以下步骤：S1：合成二维碲烯，并转移到基底上，清洗得到含有二维碲烯的基底；S2：将所述含有二维碲烯的基底上旋涂光刻胶，旋涂后烘焙光刻胶，待烘焙完冷却后准备图案化电极图形，得到图形化后的二维碲烯基底；S3：配置氯化钯溶液；S4：将所述图形化后的二维碲烯基底浸渍于氯化钯溶液中，然后清洗，吹干，得到碲烯场效应晶体管半成品；S5：用磁控溅射的方法在碲烯场效应晶体管半成品上生长一层高功函的金属材料，最后用丙酮清洗，得到碲烯场效应晶体管。本发明降低电子跨越的势垒，起到减小接触电阻的效果，提高晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN113349708A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110639676.5
申请日：2021-06-08
Abstract: 本发明公开了一种基于大色散镜头的双模态高分辨大深度显微内窥成像系统，包括光纤束共聚焦模块，OCT成像模块和内窥探头模块；所述光纤束共聚焦模块包括：激光器模块、共聚焦扫描模块和共聚焦成像模块；所述OCT成像模块包括扫频激光模块、样品臂模块、参考臂模块和干涉探测模块。本发明一次下镜就可实现多种功能，既能对病变部位进行高分辨高精度二维成像，又能对病变组织进行大深度三维成像，从而使医师能够对病变的显微结构做出更加精确的判断，并且不会对组织部位造成伤害，提高癌症的检出率和诊断水平。
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