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公开(公告)号：CN109979952B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201910126861.7
申请日：2016-02-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/621 , H04N25/771
Abstract: 本发明公开了一种成像设备。所述成像设备能够降低栅极驱动线的寄生电容。在所述成像设备中，具有在第一方向上彼此相邻排列的多个像素行，包括：第一像素行、与第一像素行相邻的第二像素行、与第一像素行相邻而不与第二像素行相邻的第三像素行。将为第一像素行设置的第一栅极驱动线和第二栅极驱动线设置在第一像素行和第二像素行之间，并将为第一像素行设置的第三栅极驱动线设置在第一像素行和第三像素行之间。所述第一、第二栅极驱动线驱动传输晶体管，所述第三栅极驱动线驱动溢出晶体管。
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公开(公告)号：CN108242451B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201711438507.5
申请日：2017-12-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开内容涉及成像设备和成像系统。在成像设备中，第一像素的光电转换器和第二像素的光电转换器沿着第一方向布置。第一像素的电荷蓄积部分的至少一部分被设置在第一像素的光电转换器与第二像素的光电转换器之间。第一像素的光引导路径的出射表面在平面视图中与第一方向正交的第二方向上比在第一方向上长。
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公开(公告)号：CN114429961A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202111265262.7
申请日：2021-10-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种光电转换设备、光电转换系统和移动体。该光电转换设备包括：具有第一半导体器件层的第一基板，该第一半导体器件层包括多个光电转换单元和阱；以及具有第二半导体器件层的第二基板，该第二半导体器件层包括被配置为对多个光电转换单元所获得的信号进行处理的电路，其中，第一基板和第二基板层压在一起，其中，第一半导体器件层包括有效像素区域、光学黑像素区域和外周区域，其中，在平面图中，由遮光层形成的遮光区域与光学黑像素区域重叠，并且该遮光区域不与外周区域重叠，其中，外周区域具有电荷排出区域，该电荷排出区域包括与信号电荷相同的导电类型的半导体区域，以及其中，向电荷排出区域供给固定电位。
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公开(公告)号：CN108122937B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201711200024.1
申请日：2017-11-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供一种成像器件，该成像器件包括：基板；在基板上以二维方式布置像素的像素阵列，各像素包括蓄积从入射光产生的电荷的光电转换单元、保持从光电转换单元传送的电荷的电荷保持单元和接收从电荷保持单元传送的电荷的放大单元；和被布置为至少覆盖电荷保持单元的遮光部分。在与基板正交的俯视图中，各像素的光电转换单元和电荷保持单元沿第一方向对准。在俯视图中，相邻像素的电荷保持单元沿与第一方向相交的第二方向对准。遮光部分沿第二方向且在电荷保持单元之上延伸，并且覆盖电荷保持单元之间的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110896083A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910845927.8
申请日：2019-09-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及光电转换装置和设备。硅化合物膜以及位于硅化合物膜和半导体层之间的金属化合物膜布置在主面上方，该硅化合物膜是氧化硅膜、氮化硅膜和碳化硅膜中的任何一种。硅化合物膜和金属化合物膜延伸到第一沟槽中，并且金属化合物膜延伸到第二沟槽中。当从第二沟槽的底部到硅化合物膜的距离表达为“Hb”并且从主面到硅化合物膜的距离表达为“Hd”时，各个距离满足条件“Hd
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公开(公告)号：CN109103083A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810610437.5
申请日：2018-06-14
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/266 , H01L27/146 , H04N5/235 , H04N5/361 , H04N5/374 , H04N5/3745
CPC classification number: H01L27/1461 , G06K9/00791 , G06T7/593 , G06T2207/10012 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L21/74 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H04N5/232 , H04N5/23229 , H04N5/353 , H04N5/37452 , H01L27/14687 , H01L27/14605 , H04N5/2353 , H04N5/361 , H04N5/374 , H04N5/3745
Abstract: 公开了成像装置、成像系统、移动体以及用于制造成像装置的方法。成像装置包括：第一导电类型的光电转换单元；第一导电类型的电荷保持单元，电荷保持单元被配置为保持从光电转换单元传输的电荷；第一导电类型的浮置扩散单元，浮置扩散单元被配置为接收从电荷保持单元传输的电荷；第二导电类型的击穿防止层，击穿防止层被设置在电荷保持单元和浮置扩散单元之间以接触浮置扩散单元；以及第一导电类型的传输辅助层，传输辅助层被设置在击穿防止层和半导体基板的表面之间。
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公开(公告)号：CN104754254B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201410808890.9
申请日：2014-12-23
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/378 , H01L27/14612 , H01L27/14643 , H04N5/374 , H04N5/3745
Abstract: 公开了成像设备和成像系统。多个像素电路中的每个都是绝缘栅晶体管,并包括第种晶体管,所述第种晶体管具有要施加的等于或高于第值的栅极电势差的最大值。多个模拟信号处理电路中的每个是绝缘栅晶体管,并包括第二种晶体管,所述第二种晶体管具有要施加的等于或低于比所述第值低的第二值的栅极电势差的最大值。多个模拟信号处理电路中的每个不包括具有要施加的不比第二值高的栅极电势差的最大值的绝缘栅晶体管。
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公开(公告)号：CN108322682A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810153224.4
申请日：2015-03-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/3745 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及图像拾取装置和图像拾取系统。图像拾取装置执行多个像素的曝光时段相互一致的全局电子快门动作。在像素中的至少一个的光电转换单元存储电荷的第一时段中，基于存储于像素的保持单元中的电荷的信号被依次输出到输出线。在终止从像素输出信号之后的第二时段中，像素的保持单元保持电荷。
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公开(公告)号：CN104917980B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201510103714.X
申请日：2015-03-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/374 , H01L27/148
CPC classification number: H04N5/361 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H04N5/37452
Abstract: 本发明涉及固态成像设备和成像系统。固态成像设备包括多个像素，像素包括：光电转换部；电荷保持部，积聚从光电转换部转移的信号电荷；以及浮置扩散区，电荷保持部的信号电荷被转移到浮置扩散区，其中，光电转换部包括第一导电类型的第一半导体区以及在第一半导体区下面形成的第二导电类型的第二半导体区，电荷保持部包括第一导电类型的第三半导体区以及在第三半导体区下面形成的第二导电类型的第四半导体区，并且第三半导体区与第四半导体区之间的p‑n结的位置比第一半导体区与第二半导体区之间的p‑n结深。
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