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公开(公告)号：CN102868013B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201210384068.5
申请日：2012-10-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01P11/00
Abstract: 本发明公开了一种新型太赫兹超宽通带滤波器的制造方法，包括如下步骤：清洗基片；在所述基片上涂覆聚酰亚胺膜；在所述聚酰亚胺膜上涂覆光刻胶LOR并烘干；在所述光刻胶LOR上涂覆光刻胶AZ1500并烘干；对光刻胶进行曝光；对曝光后的光刻胶进行显影和烘干；在所述光刻胶AZ1500和露出的聚酰亚胺膜上蒸发第一层金属；将蒸发第一层金属的基片浸泡在丙酮溶液中剥离；在所述基片上涂覆聚酰亚胺膜并进行固化；在所述光刻胶AZ1500和露出的聚酰亚胺膜上蒸发第二层金属；将蒸发第二层金属的基片浸泡在丙酮溶液中剥离；在所述基片上涂覆聚酰亚胺膜并进行固化；去除基片：将基片和聚酰亚胺膜剥离。本发明实现频带的拓展。
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公开(公告)号：CN104052552A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410265234.9
申请日：2014-06-13
Applicant: 南京大学
IPC: H04B10/67
Abstract: 本发明公开了一种大口径超导弱光接收机，包括光纤和超导探测器，依序设置于所述光纤和超导探测器之间的与准直透镜和光束压缩单元；所述光束压缩单元包括若干个依序设置并与所述光纤同轴固定的光学元件；沿光子传输的方向，光学元件的数值口径逐渐增大。本发明的探测范围是15-200微米，可以提高超导探测器对于空间分布较大的光信号检测的系统效率，并可以将现有的单模光纤耦合模式提高到多模光纤耦合模式，因此大大提高了超导探测器对空间光子探测的系统性能，促进其在荧光检测、空间通信等基础研究、工业和国防等领域的应用。
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公开(公告)号：CN103956637A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410202463.6
申请日：2014-05-14
Applicant: 南京大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种高频率BSCCO-THz源，包括BSCCO-THz源；在所述的BSCCO-THz源上设有上基片；所述的上基片通过导热胶粘贴在BSCCO-THz源的下基片上，所述的BSCCO-THz源的BSCCO被包裹在导热胶内部。本发明的高频率BSCCO-THz源，其BSCCO-THz源被导热胶和上下方的基片包裹着，确实有效的改善BSCCO-THz源的导热，从而大大增加其偏置电压，提高了其辐射太赫兹信号的频率，可得到1THz以上太赫兹辐射；有效突破目前的技术瓶颈，填补该部分的技术空白，具有广阔的应用前景，在BSCCO-THz源领域将得到广泛的应用，具有不可比拟的实用性。
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公开(公告)号：CN102738381A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210238011.4
申请日：2012-07-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明公开了一种高温超导Josephson双晶结的制备方法，采用酸法刻蚀和离子刻蚀相结合，进行高温超导Josephson双晶结的微桥刻蚀，既解决了由于薄膜过厚，单纯用酸刻工艺时侧向腐蚀严重的问题，又避免了单纯用离子刻蚀工艺时长时间温度过高的问题。同时，在刻蚀后利用离子刻蚀工艺再对薄膜进行适当的减薄处理，使微桥晶界处的弱连接性能进一步增强，保证了结的良好超导Josephson效应，增强了结的非线性。采用四端子法在液氮条件下测量了TlBaCaCuO双晶结的电流电压关系曲线，在60K时，临界电流Ic约为200µA；加上210G的微波辐照后，有明显的Shapiro台阶出现；进行了210G的混频实验，得到了14次谐波混频中频输出，具有良好的应用开发前景。
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公开(公告)号：CN102620820A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210084940.4
申请日：2012-03-28
Applicant: 南京大学
IPC: G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种复合结构的超导单光子探测器，包括超导单光子探测器器件，其特征在于：所述超导单光子探测器器件为多层，多层器件的探测区域重叠但保持一定的间距，多层器件的周边通过光刻胶支撑并调节多层器件的探测区域之间的间距；多层器件的纳米线之间通过金属铟块串联。本发明还公开这种复合结构的超导单光子探测器的制备方法。本发明通过电路模型研究了该探测器的光子响应过程，采用传输矩阵方法研究了该探测器的系统效率，和传统单光子探测器相比，该探测器通过一个探测器就可以实现光子数分辨，并且提高了探测器效率，该探测器的系统效率提高了21.6%。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101614594A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910181576.1
申请日：2009-07-28
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种超导单光子探测器，包括：芯片固定平台、光纤固定平台、对光系统。本发明还公开了一种基于上述超导单光子探测器的封装方法，包括以下步骤：(a)将芯片的探测区域对准芯片固定平台的中间小孔；(b)固定尾纤，并通过光纤的另外一个接口输入一可见参考光；(c)在对光系统观察下，微调光纤出光口和芯片探测区域之间的位置，将光纤固定平台和芯片固定平台固定；本发明的单光子探测器可工作在1.8K－300K温度范围，升降温度不会影响光束和器件的对准；利用本发明的超导单光子探测器和方法封装好的探测器光子耦合效率高、工作稳定、可靠性高，可用于多次测量，可重复性好。
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公开(公告)号：CN101349712A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810022876.0
申请日：2008-07-31
Applicant: 南京大学
IPC: G01R23/16
Abstract: 本发明公开了一种利用超导约瑟夫森结检测太赫兹信号频谱的装置，其主要改进：1.是利用小型制冷机替代了原系统中的液氮杜瓦制冷。2.由DSP系统中的扫描电压模块，与一个外接的电压－电流转换电路，组成电压控制的电流源，替代原系统中超导约瑟夫森结的电流偏置电路。3.利于DSP数据采集和处理系统替代原系统中锁相放大器，数字万用表。本发明采用先进的DSP技术，将扫描信号的产生，自动化测量控制、锁相放大器等主要功能进行了集成，从而大大减小了仪器的体积，降低了成本，实现了仪器的智能化和小型化。
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公开(公告)号：CN100442659C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200410064686.7
申请日：2004-09-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于NbN、AlN单晶薄膜制备技术的多层异质结构组成的体声波器件。采用射频磁控溅射和MOCVD的方法，以MgO单晶基片作为薄膜生长的种子层，在其上外延生长SiC、MgO、NbN、AlN多层异质外延薄膜，用微加工技术手段制备成器件。它包括MgO单晶衬底基片，NbN、AlN与NbN三层外延结构为体声波谐振器，其中NbN为器件电极；MgO、SiC和NbN外延薄膜组成的多层异质结构为体声波器件的布拉格反射器。本发明晶格失配小、能量损耗低，是一种具有极大实用价值和经济价值的体声波器件，广泛适用于微电子材料领域中。
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公开(公告)号：CN1471180A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN03131922.X
申请日：2003-06-18
Applicant: 南京大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明公开了一种高温超导材料本征结的制备方法，包括以下步骤：(1)手工剥离；(2)金属层保护；(3)固定；(4)光刻图形；(5)离子刻蚀；(6)绝缘保护；(7)超声清洗；(8)电极构造和连接；其特征是：在(5)中，采用低能离子刻蚀；在(8)中，在台式结构上构造两个顶电极。本发明的优点是：采用低能离子刻蚀，通过精确控制金属层厚度、刻蚀时间等参数，实现了对本征结结数目的初步控制，并进一步利用第二次离子刻蚀和采用补加刻蚀的方法，实现了对结数目的精确控制。该方法适用于各种高温超导材料本征结结数目的控制。
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公开(公告)号：CN120018765A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510099978.6
申请日：2025-01-22
Abstract: 本发明公开了一种基于NbN膜的高集成度超导量子器件倒装芯片及其制备方法，芯片从下到上依次设置为：下层芯片包括下层衬底、第一超导薄膜，第一金属柱子，上层芯片包括上层衬底、第二超导薄膜和第二金属柱子，其中：第一超导薄膜上制作共面波导传输线、第一套刻对准标记，第二超导薄膜上制作谐振器、第二套刻对准标记；上层芯片和下层芯片之间采用倒装技术，通过将下层芯片的第一套刻对准标记与上层芯片的第二套刻对准标记一一对准，将第一金属柱子与第二金属柱子连接在一起，从而使上下层芯片实现电性连接。本发明有助于减小器件的占地面积和提高集成度。
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