半导体加工用带
    32.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110546735B

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN201880005323.6

    申请日:2018-07-18

    Abstract: 本发明提供能够在短时间充分加热收缩且能够保持切口(kerf)宽度的半导体加工用带。本发明的半导体加工用带(10)的特征为具有粘合带(15),该粘合带(15)具有基材膜(11)及形成于所述基材膜(11)的至少一面侧的粘合剂层(12),对于所述粘合带(15)而言,MD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃~80℃之间的每1℃的热变形率的平均值与TD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃~80℃之间的每1℃的热变形率的平均值之和为负值。

    半导体加工用带
    33.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110546737B

    公开(公告)日:2020-09-11

    申请号:CN201880005342.9

    申请日:2018-07-18

    Abstract: 本发明提供能够在短时间充分加热收缩、且能够保持切口(kerf)宽度的半导体加工用带。本发明的半导体加工用带(10)的特征为具有粘合带(15),该粘合带(15)具有基材膜(11)及形成于所述基材膜(11)的至少一面侧的粘合剂层(12),对于所述粘合带(15)而言,MD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃~80℃之间的每1℃的热变形率的微分值的总和与TD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃~80℃之间的每1℃的热变形率的微分值的总和之和为负值。

    半导体加工用带
    34.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110546736A

    公开(公告)日:2019-12-06

    申请号:CN201880005341.4

    申请日:2018-07-18

    Abstract: 本发明提供能够在短时间充分加热收缩且能够保持切口(kerf)宽度的半导体加工用带。本发明的半导体加工用带(10)的特征为具有粘合带(15),该粘合带(15)具有基材膜(11)及形成于所述基材膜(11)的至少一面侧的粘合剂层(12),对于所述粘合带(15)而言,MD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃~80℃之间的每1℃的热变形率的微分值的平均值与TD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃~80℃之间的每1℃的热变形率的微分值的平均值之和为负值。

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