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公开(公告)号：CN112573936A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011474068.5
申请日：2020-12-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/81 , C04B35/584 , C04B35/638 , C04B35/645
Abstract: 本发明提供了一种氮化硅陶瓷基片的制备方法，包括如下步骤：步骤S1、将α‑Si3N4粉末、β‑Si3N4晶须、h‑BN粉末、烧结助剂和粘结剂通过辊压成型，制备得到β‑Si3N4晶须定向排列的片状坯体；步骤S2、将所述片状坯体经过脱脂处理后，得到脱脂坯体；步骤S3、将所述脱脂坯体进行气压烧结，使α‑Si3N4在所述β‑Si3N4晶须的诱导下发生相变并促进β‑Si3N4晶粒的取向生长，制备得到β‑Si3N4棒状晶粒定向排列的氮化硅陶瓷基片。本发明解决了现有的氮化硅陶瓷基片中氮化硅棒状晶粒杂乱排布，导致氮化硅陶瓷基片材料的散热性能不佳的问题。
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公开(公告)号：CN111960827A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010876714.4
申请日：2020-08-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/626
Abstract: 本发明提供了一种多元BCN系高熵陶瓷粉体及其制备方法，涉及陶瓷粉体材料技术领域，所述多元BCN系高熵陶瓷粉体的制备方法，包括：将非金属陶瓷粉体与过渡金属均匀混合后经高能球磨后得到多元BCN系高熵陶瓷粉体。与现有技术比较，本发明一种多元BCN系高熵陶瓷粉体制备方法操作简单，可在常温下制备出具有单相面心立方结构的高熵陶瓷粉体，避免了其他制备工艺需要高温处理的步骤，且晶粒尺寸在5-20nm，粉体纯度高，同时具有较高的热稳定性，其中四元、五元高熵陶瓷粉体在1300℃保温30min仍可保持晶粒细小的单相固溶体结构。
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公开(公告)号：CN111410539A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010141645.2
申请日：2020-03-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/5835 , C04B35/5833 , C04B35/645
Abstract: 一种Y-Al-Si-O多元玻璃相增强六方氮化硼基复相陶瓷及其制备方法，本发明涉及六方氮化硼基复相陶瓷及其制备方法。本发明要解决现有六方氮化硼陶瓷难于烧结致密化及力学性能低的问题。方法：一、称取；二、混合；三、冷压成型；四、热压烧结。本发明用于Y-Al-Si-O多元玻璃相增强六方氮化硼基复相陶瓷及其制备。
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公开(公告)号：CN111196726A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN202010025977.4
申请日：2020-01-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种SiBCN-Ta4HfC5复相陶瓷及其制备方法，所述制备方法包括：制备Ta4HfC5单相纳米晶粉体；将所述Ta4HfC5单相纳米晶粉体、六方氮化硼、立方硅粉和石墨混合后进行高能球磨，得到非晶-纳米晶复合粉体；将所述非晶-纳米晶复合粉体进行烧结，即制得SiBCN-Ta4HfC5复相陶瓷。本发明通过两步机械合金化将Ta4HfC5作为添加相引入SiBCN系列陶瓷中，超高温相Ta4HfC5以纳米晶的形式均匀分散于非晶的SiBCN基体当中，提高了复相陶瓷的力学和耐高温性能，使其在可在更高的温度下服役。
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公开(公告)号：CN110195248A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910547630.3
申请日：2019-06-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种改性的金属材料及金属表面的改性方法，涉及金属表面改性技术领域，所述金属表面的改性方法包括：以金属基体为阳极，以等离子体辅助烧结溶液为电解液，在脉冲电压作用下，进行液相等离子体辅助烧结反应，在所述金属基体的表面制备纳米陶瓷涂层，其中，所述等离子体辅助烧结溶液含有纳米陶瓷粒子。本发明提供的金属表面的改性方法，制备过程便捷、高效，且可根据对金属基体进行表面改性的需求来选择不同的纳米陶瓷粒子，从而使本发明提供的金属表面的改性方法具有较强的可设计性，能够对金属基体的多种表面性能进行改善，进而扩大金属基体的使用范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110194667A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910553317.0
申请日：2019-06-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: 一种超硬五组元过渡金属碳化物单相高熵陶瓷材料及其制备方法，本发明属于超硬陶瓷材料技术领域，具体涉及一种超硬单相高熵陶瓷材料及其制备方法。本发明的目的是要解决现有多组元碳化物的制备方法难以避开氧污染和致密度较难提高的问题。一种超硬五组元过渡金属碳化物单相高熵陶瓷材料的化学式为(Tix1Zrx2Nbx3Tax4Mx5)C。方法：一、称料；二、混合；三、煅烧；四、高温烧结；五、脱模。本发明提高了碳化物的致密度和力学性能，显著的固溶强化作用和高致密度使材料的硬度明显提升。本发明可获得一种超硬五组元过渡金属碳化物单相高熵陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN110156483A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910503209.2
申请日：2019-06-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/628 , B33Y70/00 , B33Y30/00 , B33Y10/00
Abstract: 一种使用挤出式3D打印技术制备连续纤维增强陶瓷的方法，本发明涉及一种制备连续纤维增强陶瓷的方法。解决现有连续纤维增强陶瓷能大幅度提升陶瓷本身的韧性，但其制备方法工艺复杂，成型性能差，对于复杂形状成型难度较大的问题。制备方法：一、制备3D打印用同轴双针头；二、将连续纤维进行表面润湿性处理；三、制备陶瓷浆料；四、设置打印路径；五、连续纤维穿出同轴双针头；六、3D打印。本发明用于使用挤出式3D打印技术制备连续纤维增强陶瓷的方法。
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公开(公告)号：CN106633074B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201611227224.1
申请日：2016-12-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C08G77/388 , C08G77/392 , C07D209/86 , C07D279/26 , C07C231/02 , C07C233/44
Abstract: 一种具有电致变色性能的聚硅氧烷及其制备方法，它涉及一种聚硅氧烷及其制备方法。本发明的目的是要解决现有聚合物薄膜在有机溶液中容易脱落，难以测定其电致变色性能的问题。一种具有电致变色性能的聚硅氧烷的结构式为：制备方法：一、合成单体；二、合成聚硅氧烷，得到具有电致变色性能的聚硅氧烷。本发明合成的具有电致变色性能的聚硅氧烷颜色变化的响应时间快；着色时间为3.2s～4.3s，褪色时间为3.5s～4.2s。本发明可获得一种具有电致变色性能的聚硅氧烷。
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公开(公告)号：CN109734453A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910099421.7
申请日：2019-01-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/5835 , C04B35/195 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开一种航天防热用氮化硼-锶长石陶瓷基复合材料及其制备方法，涉及陶瓷基复合材料的制备领域，所述复合材料的制备方法包括：S1：称取锶长石粉体与六方氮化硼粉体进行混合，得到原料粉体；S2：对所述原料粉体进行球磨，得到球磨粉末；S3：对所述球磨粉末进行搅拌烘干，得到原料粉末；S4：对所述原料粉末进行冷压，得到块体原料；S5：对所述块体原料进行热压烧结，得到航天防热用氮化硼-锶长石陶瓷基复合材料。本发明提供的航天防热用氮化硼-锶长石陶瓷基复合材料的制备方法，在保证氮化硼-锶长石陶瓷基复合材料介电性能的前提下，使得制备的氮化硼-锶长石陶瓷基复合材料具有良好的力学及可加工性能。
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公开(公告)号：CN109704780A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910098698.8
申请日：2019-01-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/583 , C04B35/195 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开一种耐热冲击氮化硼-锶长石陶瓷基复合材料及其制备方法，涉及陶瓷基复合材料技术领域，该制备方法包括：S1：称取h-BN粉、SrCO3粉、Al2O3粉和SiO2粉并混合，制得原料粉体；S2：将所述原料粉体进行球磨，制得球磨粉末；S3：将所述球磨粉末进行搅拌烘干，制得原料粉末；S4：将所述原料粉末放入石墨模具中，进行冷压，制得块体原料；S5：对所述块体原料进行烧结，得到耐热冲击氮化硼-锶长石陶瓷基复合材料。本发明提供的耐热冲击氮化硼-锶长石陶瓷基复合材料的制备方法，将氮化硼引入锶长石中，在不影响锶长石本身介电性能的前提下，提高锶长石的可加工性。
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