一种适用于海上风电并网的新型直流输电系统

    公开(公告)号:CN110718931A

    公开(公告)日:2020-01-21

    申请号:CN201910885650.1

    申请日:2019-09-19

    摘要: 本发明公开了一种适用于海上风电并网的新型直流输电系统,其特征在于:包括:整流侧带补偿绕组的换流变压器、接在整流侧补偿绕组上的补偿变流器及其控制系统、晶闸管整流站、晶闸管逆变站、逆变侧带补偿绕组的换流变压器、接在逆变侧补偿绕组上的补偿变流器及其控制系统,晶闸管整流站、晶闸管逆变站之间通过直流输电线路连接;所述补偿变流器及其控制系统用于控制补偿绕组的补偿电流。本发明通过变压器补偿绕组侧对副边进行谐波和无功补偿,避免谐波进入原边及逆变侧电网,本发明兼具了常规高压直流输电和柔性直流输电技术二者之长,适用于海上风电功率外送。

    一种基于EMTC的变电站绝缘监测系统及方法

    公开(公告)号:CN110108988A

    公开(公告)日:2019-08-09

    申请号:CN201910378970.8

    申请日:2019-05-08

    IPC分类号: G01R31/12 G05B19/042

    摘要: 本发明公开了一种基于EMTC的变电站绝缘监测系统及方法,所述信息采集与通信终端设备连接变电站主板,并采集变电站浇铸绝缘件内部和绝缘表面的图片信息并发送至云端服务器管理平台;云端服务器管理平台接收并整理分类变电站实时运行数据与故障信息;移动APP终端通过运营商网络接受从云端服务器管理平台发送的图片数据,并判断图片中的浇铸绝缘件内部是否存在空洞或杂质,绝缘表面是否存在尖端突起,如果检测到,通过APP端提醒维保人员去检修变电站内的设备。本发明该系统能及时通知维修人员,便于维修人员实施及时的检修,极大缩短检修流程。

    一种虚拟沟槽栅结构
    34.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109545847A

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201811326034.4

    申请日:2018-11-08

    IPC分类号: H01L29/423 H01L29/739

    摘要: 本发明公开了一种虚拟沟槽栅结构,包括沟槽,沟槽内表面设有栅氧化层,其特征在于,所述沟槽内设有设有栅电极,所述栅电极包括连接的第一栅电极和第二栅电极,第一栅电极和第二栅电极的连接顶点能够连接成等边三角形,所述第一栅电极为依次连接的折线,第一栅电极和第二栅电极的宽度相等。通过第一栅电极和第二栅电极的连接顶点能够连接成等边三角形,基于减小连接顶点外切圆半径的原则提供一种实现P浮空区的连接栅电极结构,解决现有技术中工艺实现困难,达到了当沟槽多晶硅淀积时不易产生凹口,沟槽多晶硅淀积均匀,提高多晶硅填充质量和器件性能的有益效果。

    一种适用于电力线载波通信网络的路由方法

    公开(公告)号:CN106100995A

    公开(公告)日:2016-11-09

    申请号:CN201610402867.9

    申请日:2016-06-08

    摘要: 本发明公开了一种适用于电力线载波通信网络的路由方法,包括以下步骤:以主控节点为起始点广播带有度参数值的信标帧;普通节点依据信标帧中度参数值更新本节点的度参数值,循环整个通信网后建立以度参数值逐层递增的梯度拓扑网络;普通节点依据信标帧的源节点更新本节点的父子关系对,广播带有父子关系对的拓扑信息帧,循环直到主控节点接收到拓扑信息帧,建立整个通信网的路由表。当主控节点与终端节点通信时,主控节点查询路由表根据路由表和信道质量信息传递给中继节点,依次传递直至传递到终端节点;当终端节点与主控节点通信时,终端节点根据度参数值将数据包逐层广播传递给中继节点,依次传递直至传递到主控节点。

    一种应用于用电信息采集的电力线载波模块的组网方法

    公开(公告)号:CN106100698A

    公开(公告)日:2016-11-09

    申请号:CN201610407012.5

    申请日:2016-06-12

    IPC分类号: H04B3/54 G08C19/00

    CPC分类号: H04B3/544 G08C19/00 H04B3/546

    摘要: 本发明公开了一种应用于用电信息采集的电力线载波模块的组网方法,其组网初始化过程采用主节点主导式的组网方式,由主节点发送信标报文,对于接收到主节点发出的信标报文的从节点则发起入网申请,对于未接收到主节点发出的信标报文的从节点则保持静默而不去访问信道。本发明经重新设计组网的流程,提供一种应用于用电信息采集的电力线载波模块的组网方法,采用主节点主导式的组网方式,并引入时隙分配机制为组网分配专用的竞争时隙和非竞争时隙,不仅降低了节点对信道的访问次数,而且整个组网过程更调理有序,可大幅有效的缩短组网时间。

    一种半桥IGBT模块的芯片布局结构

    公开(公告)号:CN112185950A

    公开(公告)日:2021-01-05

    申请号:CN201910589696.9

    申请日:2019-07-02

    IPC分类号: H01L25/18 H01L23/49

    摘要: 本发明公开了一种半桥IGBT模块的芯片布局结构,包括上桥IGBT芯片和下桥IGBT芯片分别与FRD芯片通过键合线组实现芯片正面连接,栅极均位于IGBT芯片的左侧位置,上桥FRD芯片和下桥FRD芯片反面均焊接于上桥DCB衬底上;下桥IGBT芯片栅极均位于IGBT芯片的右侧位置,上、下半桥的IGBT芯片与FRD芯片分别关于模块呈中心对称分布。上、下半桥信号端子键合线的落点分别在上、下半桥的栅极信号铜层上,其落点位于在栅极信号铜层上的非相邻两颗IGBT芯片的栅极键合线落点的中间位置。通过仿真得出,本发明的三颗IGBT芯片的峰值电流差异率由30%降低至9.3%,使芯片的均流性能得到提升;芯片最大峰值电流的降低减小了开通电流对芯片的冲击,有利于芯片的长期稳定运行。

    一种IGBT沟槽栅末端结构
    39.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111009578A

    公开(公告)日:2020-04-14

    申请号:CN201911043605.8

    申请日:2019-10-30

    摘要: 本发明公开了一种IGBT沟槽栅末端结构,包括衬底、虚拟沟槽区、多晶硅块、介质层、接触窗口、发射极金属层。虚拟沟槽区设于衬底端面上,虚拟沟槽区包括两条以上相互平行的虚拟沟槽,虚拟沟槽内填充有多晶硅,多晶硅块设于衬底端面上,用于并联虚拟沟槽区内的虚拟沟槽,介质层覆设于衬底端面上,且多晶硅块位于衬底与介质层之间,接触窗口贯穿介质层并延伸至多晶硅块上,接触窗口中填充有导体,发射极金属层覆设于介质层外表面,并通过接触窗口中的导体使得位于介质层上方的发射极金属层和介质层下方的多晶硅块及虚拟沟槽相连。由于采用添加多晶硅块并直接在多晶硅块上方开接触窗口保证了足够的接触面积,使得电场更加分散,增加了门极击穿电压。

    一种适应整流负载的变压器磁性补偿装置及方法

    公开(公告)号:CN110148942A

    公开(公告)日:2019-08-20

    申请号:CN201910495848.9

    申请日:2019-06-10

    IPC分类号: H02J3/01 H02J3/18

    摘要: 本发明公开了一种适应整流负载的变压器磁性补偿装置及方法,变压器磁性补偿装置,包含带有补偿绕组的变压器,以及连接在补偿绕组上的电力电子补偿电路及其控制系统;变压器原边绕组接入电网,变压器副边绕组为整流负载供电。本发明利用变压器补偿绕组调节变压器铁芯磁通,对副边进行磁性补偿,避免和减少整流负载引起的谐波进入变压器原边侧,同时补偿变压器副边绕组和变压器漏抗引起的无功损耗,实现整流负载的谐波治理和无功补偿。