一种四端口直流断路器控制方法

    公开(公告)号:CN113972635B

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202111281275.3

    申请日:2021-11-01

    IPC分类号: H02H7/26

    摘要: 本发明提供一种四端口直流断路器及其控制方法,所述四端口直流断路器中,第一端口、第二端口、第三端口和第四端口依次连接,构成4条支路:第一支路(Path1)、第二支路(Path2)、第三支路(Path3)和第四支路(Path4),所述第一端口和第三端口连接构成第五支路(Path5),所述第二端口和第四端口连接构成第六支路(Path6);所述第五支路(Path5)中设有第一电力电子开关;所述第六支路(Path6)中设有第二电力电子开关。本发明通过拓扑优化来减少电力电子开关的数量,系统成本将显著下降。此外,通过本发明可在四端口直流断路器所连的任一线路发生故障时,实现故障电流多路协调关断。

    电场传感装置和方法
    32.
    发明授权

    公开(公告)号:CN116930629B

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202311188214.1

    申请日:2023-09-15

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: G01R29/12

    摘要: 本申请提供一种电场传感装置和方法。该装置包括:测量系统和薄膜铌酸锂制成的传感探头,两者通过光纤连接;传感探头包括薄膜铌酸锂环形波导、薄膜铌酸锂直波导、薄膜铌酸锂平板、缓冲层和支撑材料,薄膜铌酸锂环形波导、薄膜铌酸锂直波导组成谐振腔;测量系统用于输出频率锁定至谐振腔的谐振频率的激光信号至传感探头,并接收通过谐振腔后输出的光信号;测量系统还用于将光信号转换为电信号,并根据电信号,获取谐振腔的谐振峰在频率方向上的移动;根据谐振腔的谐振峰在频率方向上的移动,计算出外界电场变化值。本装置可提高电场传感器的灵敏度并减小器件体积,增加电场传感装置的环境稳定性。

    一种可关断换流器的缓冲均压电路及换流器拓扑结构

    公开(公告)号:CN117013817A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202210493884.3

    申请日:2022-04-28

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: H02M1/34 H02M1/32

    摘要: 本发明适用于换流器领域,提供了一种可关断换流器的缓冲均压电路及换流器拓扑结构,所述缓冲均压电路包括缓冲电路和均压电路,所述缓冲电路和均压电路并联;所述缓冲电路包括与可关断器件并联的电容电阻支路和缓冲支路;所述电容电阻支路包括相互串联的缓冲电容和缓冲电阻;所述缓冲支路与缓冲电阻并联;所述缓冲支路在可关断器件关断时导通,将缓冲电阻短路。通过设置与缓冲电阻Rs并联的缓冲支路,在可关断器件关断时,通过控制缓冲支路的导通,对缓冲电阻造成短路,避免缓冲电阻上的电压过高,损坏可关断器件。

    一种模块化多电平换流器子模块及其控制方法

    公开(公告)号:CN112909986B

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202110164454.2

    申请日:2021-02-05

    申请人: 清华大学

    摘要: 本发明提供一种模块化多电平换流器子模块及其控制方法,所述子模块包括:上下管主电路,上下管主电路包括上管半导体器件S1和下管半导体器件S2*;所述上管半导体器件S1反并联第一开关器件D1;上管半导体器件S1的第二电极连接下管半导体器件S2*的第一电极;所述上管半导体器件S1的第一电极连接直流电容CDC的一端;下管半导体器件S2*反并联第二开关器件D2*;下管半导体器件S2*的第二电极连接直流电容CDC的另一端;所述下管半导体器件S2*中设有中心可控击穿区域。本发明的模块化多电平换流器子模块完全省略传统MMC模块方案中的出口处的旁路晶闸管,从而降低子模块制造的体积和成本并简化系统的运行控制方案。

    功率半导体器件及其制作方法
    36.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116504825A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310762806.3

    申请日:2023-06-27

    申请人: 清华大学

    摘要: 本申请提供了一种功率半导体器件及其制作方法,该功率半导体器件包括第一材料层以及形成于所述第一材料层上下两侧的第二材料层和第三材料层;所述功率半导体器件包括有源区和终端区;有源区包括位于所述第一材料层的第一掺杂区、位于所述第二材料层的第二掺杂区、位于所述第三材料层的第三掺杂区、阳极区以及阴极区;终端区包括位于所述第一材料层的第一终端区以及位于所述第二材料层和所述第三材料层的第二终端区和第三终端区;其中,所述第一终端区的厚度大于所述第一掺杂区的厚度,并且所述第二终端区和所述第三终端区的至少之一的表面高于对应的掺杂区的表面。本申请可提升功率半导体器件的阻断能力和最高运行结温。

    一种基于边缘检测的输电线路短路故障定位方法

    公开(公告)号:CN113376478B

    公开(公告)日:2023-06-16

    申请号:CN202110693367.6

    申请日:2021-06-22

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: G01R31/08 G01R31/52 G01R31/58

    摘要: 本发明提供一种基于边缘检测的输电线路短路故障定位方法,所述故障定位方法包括步骤:对故障起始时刻t进行标定:利用Canny算子求取去工频暂态波形的Canny能量谱;计算Canny能量谱阈值及标定出目标信号的故障起始时刻t,依据所述标定步骤,计算出输电线路的两端的暂态信号分别到达信号测量点的时间差,利用双端测距公式进行故障定位。本发明所提供的基于边缘检测的输电线路雷击或短路故障定位方法可对雷击线路、低阻接地短路故障、高阻接地短路故障等都具有较高的定位精度。本发明所提供的基于边缘检测的输电线路雷击或短路故障定位方法受故障类型的影响小,抗噪能力强,定位精度高,具有较强的鲁棒性。