-
公开(公告)号：CN110850688A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911192741.3
申请日：2019-11-28
Applicant: 清华大学 , 天通瑞宏科技有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种铌酸锂薄膜表面制作光学微纳图形的方法，属于微纳加工技术领域，包括：制作电子束曝光所需版图；对铌酸锂衬底进行清洗、烘干；在铌酸锂衬底上溅射金属导电层；在铌酸锂衬底上旋涂电子束胶；将铌酸锂衬底进行第一次电子束曝光制作标记；显影和定影；在铌酸锂衬底上磁控溅射金属制作金属标记；去胶剥离金属掩蔽的图形，制成带有金属突起标记的铌酸锂片；在铌酸锂片上旋涂电子束胶；将铌酸锂片进行第二次电子束曝光制作图形；显影和定影；进行图形转移，形成微纳结构。通过本发明所述方法，可在不导电的铌酸锂材料上制作侧壁陡直的图形，且可制作尺寸900nm以下的微纳图形，所制作的光波导折射率对比度大，可减小光器件尺寸，提高光器件性能。
-
公开(公告)号：CN116930629B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311188214.1
申请日：2023-09-15
Applicant: 清华大学
IPC: G01R29/12
Abstract: 本申请提供一种电场传感装置和方法。该装置包括：测量系统和薄膜铌酸锂制成的传感探头，两者通过光纤连接；传感探头包括薄膜铌酸锂环形波导、薄膜铌酸锂直波导、薄膜铌酸锂平板、缓冲层和支撑材料，薄膜铌酸锂环形波导、薄膜铌酸锂直波导组成谐振腔；测量系统用于输出频率锁定至谐振腔的谐振频率的激光信号至传感探头，并接收通过谐振腔后输出的光信号；测量系统还用于将光信号转换为电信号，并根据电信号，获取谐振腔的谐振峰在频率方向上的移动；根据谐振腔的谐振峰在频率方向上的移动，计算出外界电场变化值。本装置可提高电场传感器的灵敏度并减小器件体积，增加电场传感装置的环境稳定性。
-
公开(公告)号：CN114460378A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202111574849.6
申请日：2021-12-21
Applicant: 清华大学
IPC: G01R29/08
Abstract: 本发明公开了一种电光传感器静态偏置点工艺校正的方法和电光传感器，电光传感器静态偏置点工艺校正的方法，包括以下步骤：测量电光传感器的静态偏置点与π/2的偏差；调节光波导的有效折射率，使所述电光传感器的静态偏置点达到π/2。本发明通过在过渡族金属氧化物阻变材料两侧施加外电压，调节其介电常数，从而改变光波导的有效折射率，使静态偏置点达到π/2，校正电光传感器制作中难以避免的工艺误差；外电压在调节完成后会被撤掉，过渡族金属氧化物阻变材料介电常数不变，从而光波导的有效折射率保持不变，所以该技术是无源的；过渡族金属氧化物阻变材料具有连续光调节功能，在不同电压激励下连续改变介电常数，满足不同应用需求。
-
公开(公告)号：CN112557771B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202011389242.6
申请日：2020-12-02
Applicant: 清华大学
IPC: G01R29/12
Abstract: 本发明涉及一种温度稳定的高灵敏度微型电场传感器，所述电场传感器自下而上依次设有衬底、缓冲层和一维光子晶体；所述一维光子晶体由脊波导和在所述脊波导一个维度上呈周期性排列的微纳结构组成，所述脊波导为TiO2‑LN‑TiO2三层结构；在一维光子晶体的两侧分别设有天线和电极，所述天线和电极相连，其中所述天线用于感应外界的电场，所述电极将天线感应到的电场加载到一维光子晶体上。本发明所提供的电场传感器体积小、灵敏度高、动态范围大，且避免了温度变化对传感器测量准确性的影响。
-
公开(公告)号：CN107797043A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201711105338.3
申请日：2017-11-10
Applicant: 清华大学 , 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心
IPC: G01R31/16
CPC classification number: G01R31/16
Abstract: 本发明涉及一种湿度、气压可解耦调节的先导放电试验系统，属于空气间隙先导放电设备技术领域。包括罐体，嵌固在罐体顶部中心处的穿墙套管以及位于罐体外部的空气干燥装置、雾化器、温湿度及放电电场测量仪；其中，罐体外侧壁上分别安装有观察窗和透光镜、预留接口、多个阀门以及气压表；该罐体底部内侧中心通过一长度可调的支座设有平板电极，该支座下端与罐体底部外侧的皮带传输装置固连；穿墙套管垂直伸入罐体内部的下端安装有高压侧的放电电极，上端突出于罐体与高压引线连接，通过皮带传输装置调节穿墙套管下端与平板电极间的距离在10cm至70cm之间变动。本发明具有湿度和气压可解耦调节、耐气压和电压高间隙尺寸大且方便调节的特点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107797043B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN201711105338.3
申请日：2017-11-10
Applicant: 清华大学 , 南方电网科学研究院有限责任公司
IPC: G01R31/16
Abstract: 本发明涉及一种湿度、气压可解耦调节的先导放电试验系统，属于空气间隙先导放电设备技术领域。包括罐体，嵌固在罐体顶部中心处的穿墙套管以及位于罐体外部的空气干燥装置、雾化器、温湿度及放电电场测量仪；其中，罐体外侧壁上分别安装有观察窗和透光镜、预留接口、多个阀门以及气压表；该罐体底部内侧中心通过一长度可调的支座设有平板电极，该支座下端与罐体底部外侧的皮带传输装置固连；穿墙套管垂直伸入罐体内部的下端安装有高压侧的放电电极，上端突出于罐体与高压引线连接，通过皮带传输装置调节穿墙套管下端与平板电极间的距离在10cm至70cm之间变动。本发明具有湿度和气压可解耦调节、耐气压和电压高间隙尺寸大且方便调节的特点。
-
公开(公告)号：CN110850688B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201911192741.3
申请日：2019-11-28
Applicant: 清华大学 , 天通瑞宏科技有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种铌酸锂薄膜表面制作光学微纳图形的方法，属于微纳加工技术领域，包括：制作电子束曝光所需版图；对铌酸锂衬底进行清洗、烘干；在铌酸锂衬底上溅射金属导电层；在铌酸锂衬底上旋涂电子束胶；将铌酸锂衬底进行第一次电子束曝光制作标记；显影和定影；在铌酸锂衬底上磁控溅射金属制作金属标记；去胶剥离金属掩蔽的图形，制成带有金属突起标记的铌酸锂片；在铌酸锂片上旋涂电子束胶；将铌酸锂片进行第二次电子束曝光制作图形；显影和定影；进行图形转移，形成微纳结构。通过本发明所述方法，可在不导电的铌酸锂材料上制作侧壁陡直的图形，且可制作尺寸900nm以下的微纳图形，所制作的光波导折射率对比度大，可减小光器件尺寸，提高光器件性能。
-
公开(公告)号：CN109507490B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201811405897.0
申请日：2018-11-23
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种静态工作点温度稳定的共路干涉电场传感器，属于光学电场测量技术领域。所述传感器包括铌酸锂晶体、钛扩散铌酸锂波导、电极和天线，以所述钛扩散铌酸锂波导的传播方向为z轴，将二氧化钛作为磁控溅射靶，在所述钛扩散铌酸锂波导的上表面进行磁控溅射，磁控溅射的压强为2.5～5毫托，磁控溅射时间为2～16.5小时，在钛扩散铌酸锂波导的上表面得到二氧化钛薄膜。本发明所述传感器，在铌酸锂波导上镀了一层二氧化钛薄膜，在不影响已有传感器原有测量灵敏度和准确性的基础上，对铌酸锂波导的正温度系数进行了补偿，从而大大提升了传感器静态工作点的温度稳定性。
-
公开(公告)号：CN116930629A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311188214.1
申请日：2023-09-15
Applicant: 清华大学
IPC: G01R29/12
Abstract: 本申请提供一种电场传感装置和方法。该装置包括：测量系统和薄膜铌酸锂制成的传感探头，两者通过光纤连接；传感探头包括薄膜铌酸锂环形波导、薄膜铌酸锂直波导、薄膜铌酸锂平板、缓冲层和支撑材料，薄膜铌酸锂环形波导、薄膜铌酸锂直波导组成谐振腔；测量系统用于输出频率锁定至谐振腔的谐振频率的激光信号至传感探头，并接收通过谐振腔后输出的光信号；测量系统还用于将光信号转换为电信号，并根据电信号，获取谐振腔的谐振峰在频率方向上的移动；根据谐振腔的谐振峰在频率方向上的移动，计算出外界电场变化值。本装置可提高电场传感器的灵敏度并减小器件体积，增加电场传感装置的环境稳定性。
-
公开(公告)号：CN116908959A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310458881.0
申请日：2023-04-25
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请提供一种铌酸锂薄膜芯片、光学器件及光学器件的耦合方法。其中，铌酸锂薄膜芯片，包括：衬底层、缓冲层以及铌酸锂层，缓冲层设置在衬底层的上方，铌酸锂层设置在缓冲层的上方；光波导，设置在铌酸锂层上，光波导与铌酸锂层为一体成形结构，光波导包括第一波导段以及与第一波导段连接的第二波导段，第二波导段具有靠近第一波导段的第一端和远离第一波导段的第二端，第二波导段的横截面积在从第二波导段的第一端至第二波导段的方向上逐渐增大，第一波导段的横截面积与第二波导段的第一端的横截面积相同。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的单模光纤与铌酸锂薄膜芯片的光波导光学耦合困难的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.027 seconds)
