-
公开(公告)号：CN117450931A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311406142.3
申请日：2023-10-25
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国网(嘉兴)综合能源服务有限公司 , 浙江泰仑电力集团有限责任公司送变电工程分公司 , 国网浙江省电力有限公司温州供电公司
Abstract: 本发明公开了一种避雷器爬电距离检测方法和仪器，属于避雷器检测技术领域。本发明的一种避雷器爬电距离检测方法，通过建立图像获取模型、深度感知模型、容积重建模型、避雷器合成模型、几何距离计算模型，识别和标注避雷器图像中的表面特征和边缘信息，得到避雷器表面信息，进而重建出避雷器的内部结构特征；再耦合避雷器的内部结构特征和避雷器表面信息，生成避雷器三维数字孪生数据；最后根据避雷器三维数字孪生数据，准确检测出避雷器爬电距离，可以有效解决凹凸表面存在的大量噪声和冗余数据问题，使得爬电距离检测效率得到大幅提升，减少了人工的主观随意性和误差，数据精度以及可靠性更高。
-
公开(公告)号：CN116125352A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202210976565.8
申请日：2022-08-15
Applicant: 中国电力科学研究院有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司武汉分院 , 国网湖北省电力有限公司电力科学研究院 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Inventor： 周玮 , 张军 , 姜春阳 , 刁赢龙 , 韦谦 , 王斯琪 , 贺家慧 , 陈海宾 , 王异凡 , 王一帆 , 童歆 , 孙明 , 龙嘉川 , 付济良 , 汪泉 , 卢冰 , 金淼 , 陈习文 , 聂高宁 , 王旭 , 陈卓 , 郭鹏 , 王欢
Abstract: 本申请公开了一种过回路噪声消元法测量电荷量积分的方法及系统。其中，该方法包括：判断电路的时间常数RC0是否小于脉冲上升时间tr；若RC0小于脉冲上升时间tr，通过回路噪声消元法测量电荷量积分，并采用移动平均消除脉冲电压波形不平滑的随机性影响；若RC0不小于脉冲上升时间tr，退出测量电荷量积分。
-
公开(公告)号：CN114966160B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210901906.5
申请日：2022-07-29
Applicant: 浙江大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 杭州飞仕得科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种基于隧道磁电阻传感器的叠层母排及功率器件电流检测装置，涉及电力设备领域，解决测量功率器件电流时的共模噪声高，寄生电感高，或者不能测量直流的问题，基板的内部设置容纳腔，容纳腔位于电容安装孔对和功率器件安装孔对之间，容纳腔用于安装隧道磁电阻传感器，当接线端子连接至电源，在电容与功率器件之间形成回路，第一导电层和第二导电层的电流产生的磁场在基板处相互增强，隧道磁电阻传感器通过检测电流产生的磁场以检测电流。两个导电层还可以一定程度为隧道磁电阻传感器屏蔽高频磁场，两个磁场相互增强，信噪比高，隧道磁电阻传感器体积较小，不会增加环路面积，寄生电感低，与功率器件无电气连接，共模噪声低。
-
公开(公告)号：CN114966160A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210901906.5
申请日：2022-07-29
Applicant: 浙江大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 杭州飞仕得科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种基于隧道磁电阻传感器的叠层母排及功率器件电流检测装置，涉及电力设备领域，解决测量功率器件电流时的共模噪声高，寄生电感高，或者不能测量直流的问题，基板的内部设置容纳腔，容纳腔位于电容安装孔对和功率器件安装孔对之间，容纳腔用于安装隧道磁电阻传感器，当接线端子连接至电源，在电容与功率器件之间形成回路，第一导电层和第二导电层的电流产生的磁场在基板处相互增强，隧道磁电阻传感器通过检测电流产生的磁场以检测电流。两个导电层还可以一定程度为隧道磁电阻传感器屏蔽高频磁场，两个磁场相互增强，信噪比高，隧道磁电阻传感器体积较小，不会增加环路面积，寄生电感低，与功率器件无电气连接，共模噪声低。
-
公开(公告)号：CN114824777A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210569779.3
申请日：2022-05-24
Applicant: 西安交通大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种镜面单锥天线的圆弧型电路，包括：单锥天线垂直倒立放置在镜像地的中央，匹配负载均匀设置在镜像地的周围，所述匹配负载的一端连接单锥天线的底座上，匹配负载的另一端连接镜像地的边缘上；馈线通过SMA接头连接馈源，所述馈源为电路提供信号；馈线连接单锥天线倒立的顶端和镜像地；单锥天线的母线与镜面地的半径相等；本发明能够改善镜面单锥天线的低频匹配特性及空间场特性，将单锥天线的低频下限拓展至直流。本发明所设计的圆弧型加载镜面单锥天线能够用于高空电磁脉冲、雷电电磁脉冲、超宽带高功率微波等多类型瞬态电磁脉冲传感器的标定，对于复杂电磁环境的测量及电磁环境效应防护的研究具有重要意义。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114414975A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210047622.4
申请日：2022-01-17
Applicant: 华北电力大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 碳化硅MOSFET结温在线测量方法及系统，包括绘制不同电流等级下碳化硅MOSFET器件动态温敏电参数值VDTSEP1、VDTSEP2与结温Tj的关系曲线；根据器件动态温敏电参数值、负载电流I和结温Tj的关系构建解析模型；根据器件动态温敏电参数值VDTSEP1和VDTESP2、负载电流I和结温Tj的解析模型以及待测工况下动态温敏电参数VDTSEP1和VDTESP2的值，求取器件不同工况在线运行的负载电流I、确定器件在线运行的结温。本发明能间接测量碳化硅MOSFET在任何工况下的结温，为碳化硅在实际应用中可靠性研究，状态监测以及健康管理提供依据，有利于保证电力系统的可靠运行。
-
公开(公告)号：CN113359080A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110773681.5
申请日：2021-07-08
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种电缆故障闪测仪故障测试距离误差校准方法。本发明将数字示波器作为时间间隔测量的标准装置，校准时，将被校电缆故障闪测仪置于低压脉冲法测量模式，在电缆故障模拟装置上设置单个模拟故障点，也可根据被校电缆故障闪测仪标称的最远故障测试距离调整该模拟故障点；被校电缆故障闪测仪向电缆故障模拟装置注入测量脉冲信号，同时记录波形并进行故障距离测量显示，通过数字示波器读取入射波与故障反射波的时间间隔值△t；计算模拟故障点对应的故障距离标准值，计算被校电缆故障闪测仪的故障距离测量显示值误差。本发明可校准电缆故障闪测仪对模拟故障距离测量的准确度，从而可有效地评估电缆故障闪测仪的性能。
-
公开(公告)号：CN109581258B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201811324511.3
申请日：2018-11-08
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种镜面‑单锥标准脉冲场复现系统及方法。本发明的镜面‑单锥标准脉冲场复现系统，包括镜面‑单锥子系统、位移量监控‑自动调整子系统、馈源‑射频子系统和软件控制子系统；所述的馈源‑射频子系统，包括脉冲信号源、示波器、阻抗变换器以及同轴电缆，通过同轴电缆把脉冲信号源与阻抗变换器连接，阻抗变换器作为馈源使用；所述的软件控制子系统，用于控制脉冲信号源和示波器，并且采集位移监控装置的数据；当锥尖相对于镜面的位移量超过设定范围时，软件控制子系统控制自动调整机构对锥体角度进行微调，减小锥尖与镜面之间的变形量。本发明确保标准脉冲场所依赖的几何外形不变，具有实现方式简单、成本低等优点。
-
公开(公告)号：CN110926762A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911157148.5
申请日：2019-11-22
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种紫外成像仪带外抑制能力的检测系统及方法。本发明的检测系统，其包括光源、积分球、光功率计和计算控制系统；所述的积分球设有一个入光口和两个出光口，所述的入光口与光源连接，一个出光口用于与待测设备连接，另一个出光口与光功率计连接；所述的计算控制系统，其包括光源控制单元，光功率计数据采集、处理、显示单元和校验处理单元；所述的校验处理单元，通过分析待测设备光子数和光功率计的数据，选择光子数评价标准，评估待测设备的带外抑制能力。本发明检测系统构造简单，对检测环境要求低，对检测人员要求低，便于广泛普及应用。
-
公开(公告)号：CN114414975B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202210047622.4
申请日：2022-01-17
Applicant: 华北电力大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 碳化硅MOSFET结温在线测量方法及系统，包括绘制不同电流等级下碳化硅MOSFET器件动态温敏电参数值VDTSEP1、VDTSEP2与结温Tj的关系曲线；根据器件动态温敏电参数值、负载电流I和结温Tj的关系构建解析模型；根据器件动态温敏电参数值VDTSEP1和VDTESP2、负载电流I和结温Tj的解析模型以及待测工况下动态温敏电参数VDTSEP1和VDTESP2的值，求取器件不同工况在线运行的负载电流I、确定器件在线运行的结温。本发明能间接测量碳化硅MOSFET在任何工况下的结温，为碳化硅在实际应用中可靠性研究，状态监测以及健康管理提供依据，有利于保证电力系统的可靠运行。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
75
records
(took 0.07 seconds)
