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公开(公告)号：CN116184146A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211476746.0
申请日：2022-11-23
Applicant: 华北电力大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Inventor： 郭亚慧 , 孙鹏 , 李焕林 , 蔡雨萌 , 赵志斌 , 王异凡 , 邵先军 , 郑一鸣 , 刘黎 , 王少华 , 曾明全 , 孙明 , 张恬波 , 骆丽 , 王尊 , 王一帆 , 宋琦华 , 龚金龙 , 杨青
Abstract: 碳化硅MOSFET结温在线测量方法、系统及其应用，所述方法包括构建碳化硅MOSFET器件温敏电参数值与结温的线性解析模型；获得改变碳化硅MOSFET器件外部电路寄生参数后，室温下温敏电参数值；依不同寄生参数条件常温下温敏电参数值计算校准系数；依校准系数得到外部电路寄生参数改变，修正后的温敏电参数值与结温的线性解析模型；根据修正后温敏电参数值与结温的线性解析模型以及待测工况下温敏电参数的值，求取改变器件运行平台寄生参数后在线运行的结温。本发明能够间接测量碳化硅MOSFET在不同寄生参数条件下运行的结温，为碳化硅在实际应用中可靠性研究，状态监测以及健康管理提供依据。
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公开(公告)号：CN115166601A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210703998.6
申请日：2022-06-21
Applicant: 华北电力大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Inventor： 齐磊 , 刘一阳 , 张翔宇 , 王异凡 , 邵先军 , 郑一鸣 , 刘黎 , 王少华 , 曾明全 , 孙明 , 张恬波 , 骆丽 , 王尊 , 王一帆 , 宋琦华 , 龚金龙 , 杨青
Abstract: 本发明涉及一种MMC子模块状态在线监测方法及系统，该方法通过测量负载电流及在IGBT器件导通过程中电容器的电压变化量，获得电容器的容值，通过测量IGBT器件关断过程中的电容器的电压过充峰值，获得IGBT器件的结温，实现了电容器的容值和IGBT器件的结温的一体化监测，而且本发明在电容器的容值的获取过程中无需改变换流器的工作状态，不会对变流器的运行产生影响，可实现在线监测。
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公开(公告)号：CN114414975A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210047622.4
申请日：2022-01-17
Applicant: 华北电力大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 碳化硅MOSFET结温在线测量方法及系统，包括绘制不同电流等级下碳化硅MOSFET器件动态温敏电参数值VDTSEP1、VDTSEP2与结温Tj的关系曲线；根据器件动态温敏电参数值、负载电流I和结温Tj的关系构建解析模型；根据器件动态温敏电参数值VDTSEP1和VDTESP2、负载电流I和结温Tj的解析模型以及待测工况下动态温敏电参数VDTSEP1和VDTESP2的值，求取器件不同工况在线运行的负载电流I、确定器件在线运行的结温。本发明能间接测量碳化硅MOSFET在任何工况下的结温，为碳化硅在实际应用中可靠性研究，状态监测以及健康管理提供依据，有利于保证电力系统的可靠运行。
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公开(公告)号：CN114414975B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202210047622.4
申请日：2022-01-17
Applicant: 华北电力大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 碳化硅MOSFET结温在线测量方法及系统，包括绘制不同电流等级下碳化硅MOSFET器件动态温敏电参数值VDTSEP1、VDTSEP2与结温Tj的关系曲线；根据器件动态温敏电参数值、负载电流I和结温Tj的关系构建解析模型；根据器件动态温敏电参数值VDTSEP1和VDTESP2、负载电流I和结温Tj的解析模型以及待测工况下动态温敏电参数VDTSEP1和VDTESP2的值，求取器件不同工况在线运行的负载电流I、确定器件在线运行的结温。本发明能间接测量碳化硅MOSFET在任何工况下的结温，为碳化硅在实际应用中可靠性研究，状态监测以及健康管理提供依据，有利于保证电力系统的可靠运行。
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公开(公告)号：CN109444781A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811058539.7
申请日：2018-09-11
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司 , 华北电力大学
Inventor： 王异凡 , 王一帆 , 龚金龙 , 刘江明 , 孙正竹 , 马涛 , 夏晓波 , 杜赟 , 楼钢 , 徐翀 , 朱亮 , 毛永铭 , 黄继来 , 周迅 , 盛骏 , 吴胥阳 , 吴尊东 , 汪桢毅 , 饶海伟 , 唐志国
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种基于信号传播特性的GIS局放特高频灵敏度校验方法。针对不同电压等级、不同结构的GIS、不同的传感器安装方式，局部放电特高频信号具有不同的衰减特性，而现有校验方法未能给出具体有效的注入信号电平确定方法。本发明采用的技术方案包括步骤：1)根据不同UHF传感器安装方式来确定UHF传感器的注入效率，即辐射电场注入脉冲电压的变换曲线；2)建立典型GIS结构UHF信号传播衰减数据库；3)确定现场校核脉冲注入量。本发明针对典型结构和电压等级GIS信号传播衰减特性建库，有效解决了现场局放检测系统灵敏度校核中信号注入的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119298185A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411331783.1
申请日：2024-09-24
Applicant: 华北电力大学 , 中电普瑞电力工程有限公司 , 国网电力科学研究院有限公司 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本申请涉及一种适用远程输电系统故障穿越控制方法，包括步骤：当远程输电系统发生故障时，系统受端换流站交流侧电压发生跌落，受端换流站直流侧电压持续升高；当受端换流站直流侧电压达到设定动作阈值时，直流限压装置的电力电子开关控制电阻投入；当交流耗能装置接收到系统故障信号被激活时，直流限压装置停止动作，交流耗能装置消纳盈余功率；当系统受端换流站交流侧电压逐步恢复至并网电压时，所述交流耗能装置停止动作。通过直流侧限压和交流侧耗能相结合可实现远程输电系统故障穿越控制，并且无需配置额外的水冷系统，进一步降低了系统损耗与成本，其改变了传统交、直流耗能装置相结合的耗能方式。
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公开(公告)号：CN119482357A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411359374.2
申请日：2024-09-27
Applicant: 国家电网有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网智能电网研究院有限公司 , 国网电力科学研究院有限公司 , 中电普瑞电力工程有限公司 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明提供了一种柔直系统的暂态冲击平抑控制方法、系统、设备和介质，柔直系统的暂态冲击平抑控制方法通过换流器中每相上下桥臂修正后的调制波指数，确定换流器中每个子模块最终的触发信号，使换流器子模块的平均运行电压降低，可以保证在换流器发生功率送出故障时，换流器中的盈余功率降低，使耗能装置吸收盈余功率实现故障穿越所需的容量需求降低，从而降低柔直系统的过压水平，避免柔直系统形成暂态冲击，有利于降低柔直系统的运行成本。
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公开(公告)号：CN118801453A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410747796.0
申请日：2024-06-11
Applicant: 中电普瑞电力工程有限公司 , 长沙理工大学 , 国网电力科学研究院有限公司 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明提供一种大规模风电柔直接入送受端交流故障暂态过压抑制方法，涉及电力电网技术领域。本发明通过检测新能源输送系统的传输数据，基于传输数据，对送端交流侧和受端交流侧两种故障类型进行判断，当确定发生受端交流侧故障时，在新能源输送系统的直流侧投入电流耗能装置，降低新能源输送系统中直流侧输送至交流侧的有功功率。当确定发生送端交流侧故障时，调整新能源输送系统中无功补偿装置的工作参数，减少换流站注入交流侧的无功功率。如此风电经柔直孤岛系统面临的交流电网短路故障情况下，降低受端交流侧的有功功率，减少送端交流侧的无功功率，保证故障时新能源输送系统的稳定性，提高故障处理的动态响应能力。
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公开(公告)号：CN118092547B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410487816.5
申请日：2024-04-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: G05D23/30 , H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种静电卡盘加热控制装置及静电卡盘，涉及半导体技术领域。控制装置包括：控制模块、脉冲宽度调制信号输出模块和脉冲宽度调制隔离驱动模块，脉冲宽度调制信号输出模块包括：信号转化模块，用于确定计数中数和计数周期；寄存器组，第1至n个寄存器与n个加热单元对应，用于存储计数中数，第n+1个寄存器用于存储计数周期；根据计数周期循环计数的计数器；n个比较器，在每一计数周期根据当前计数与计数中数的比较结果生成脉冲宽度调制信号。脉冲宽度调制隔离驱动模块用于发出脉冲宽度调制信号。通过本发明提供的装置，能够单独控制加热单元，保证静电卡盘加热均匀性，实现晶圆整体均热性，提高半导体制造工艺良率。
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公开(公告)号：CN118092547A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410487816.5
申请日：2024-04-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: G05D23/30 , H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种静电卡盘加热控制装置及静电卡盘，涉及半导体技术领域。控制装置包括：控制模块、脉冲宽度调制信号输出模块和脉冲宽度调制隔离驱动模块，脉冲宽度调制信号输出模块包括：信号转化模块，用于确定计数中数和计数周期；寄存器组，第1至n个寄存器与n个加热单元对应，用于存储计数中数，第n+1个寄存器用于存储计数周期；根据计数周期循环计数的计数器；n个比较器，在每一计数周期根据当前计数与计数中数的比较结果生成脉冲宽度调制信号。脉冲宽度调制隔离驱动模块用于发出脉冲宽度调制信号。通过本发明提供的装置，能够单独控制加热单元，保证静电卡盘加热均匀性，实现晶圆整体均热性，提高半导体制造工艺良率。
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