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公开(公告)号:CN113097298B
公开(公告)日:2024-09-17
申请号:CN202110354871.3
申请日:2021-03-30
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/45 , H01L29/10 , H01L23/48 , H01L21/331
Abstract: 一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法,绝缘栅双极型晶体管包括:半导体层,半导体层包括漂移区和位于漂移区顶部的阱区;栅极结构,栅极结构贯穿阱区且延伸至漂移区中,栅极结构具有相对的第一侧和第二侧;发射掺杂区,位于栅极结构的第一侧的阱区中部分顶部区域且与栅极结构邻接,发射掺杂区的导电类型和阱区的导电类型相反;所述栅极结构的第二侧的部分阱区中的凹槽;位于凹槽底部阱区中的欧姆接触区,欧姆接触区与栅极结构的第二侧的部分侧壁接触,欧姆接触区的导电类型和阱区的导电类型相同。绝缘栅双极型晶体管在保证阈值电压较小的同时能增强抗栓锁效应的能力。
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公开(公告)号:CN117154833A
公开(公告)日:2023-12-01
申请号:CN202311108287.5
申请日:2023-08-30
Applicant: 国家电网有限公司技术学院分公司 , 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本申请提供一种基于多参数两阶段优化的逆变器并网控制系统及控制方法,所述控制系统包括VDP虚拟振子单元,用于对并入电网的逆变器进行渐近同步控制;以及多参数优化单元,用于在逆变器并入电网后的电压建立阶段及电压维持阶段优化VDP虚拟振子单元的多个控制参数。本申请的技术方案,既能够满足不同阶段VDP虚拟振子控制逆变器的输出要求,又能够在提高电压响应速度与抑制三次谐波含量之间取得较好的平衡。
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公开(公告)号:CN109494762B
公开(公告)日:2021-01-26
申请号:CN201811197774.2
申请日:2018-10-15
Applicant: 国网陕西省电力公司电力科学研究院 , 国网陕西省电力公司 , 西安五常电力技术有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了基于多主站协调控制的光伏电站一次调频控制方法及系统,首先实时采集光伏电站的并网点有功功率,由于AGC减载控制为光伏电站预留功率备用容量,光伏电站并网点有功功率即为光伏电站具备的减载水平时的有功功率Pref。当电网频率出现超过一次调频人工死区DB扰动时,PFC控制系统计算出频率波动后的有功功率变化量ΔP,则需要下发给逆变器群的有功功率给定目标值Pset=Pref+ΔP,以此来改变光伏电站的有功功率从而达到一次调频的效果。该方案只需对常规的光伏电站逆变器控制软件进行算法升级,并在电站现有AGC功能的基础上加入PFC主站协调机制,从而实现AGC与PFC多主站协调控制,可最大限度的降低成本,同时发挥光伏电站的一次调频功能,加快电网频率恢复速度。
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公开(公告)号:CN111260150A
公开(公告)日:2020-06-09
申请号:CN202010083913.X
申请日:2020-02-10
Applicant: 国网辽宁省电力有限公司信息通信分公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本申请提供了一种通信设备运行风险预警方法及通信管理系统,所述通信设备运行风险预警方法包括:基于预设信息提取规则,从获取的工单信息中提取目标通信设备的历史运行信息,所述历史运行信息根据目标通信设备生命周期的延续而持续更新;基于目标通信设备的历史运行信息,确定所述目标通信设备的家族性缺陷;根据所确定的家族性缺陷,针对所述目标设备的运行风险进行预警。与现有技术相比,本发明能够对通信设备的风险进行有效预警。
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公开(公告)号:CN117748516A
公开(公告)日:2024-03-22
申请号:CN202311447209.8
申请日:2023-11-02
Applicant: 中国电力科学研究院有限公司 , 国网陕西省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H02J3/12 , G06F18/2135 , G06F18/211 , G06Q50/06 , H02J3/38
Abstract: 本发明专利申请提供了一种双馈风机并网暂态电压稳定性评估方法和系统,包括:基于电网运行数据,在根据核主成分分析法筛选出的有效维度上采集特征构成有效维度特征集;基于有效维度特征集,通过预先构建的双馈风机并网暂态电压稳定性评估模型,获得稳定性评估结果;本发明专利申请的有效维度特征集中的有效维度特征是从多个维度筛选出来的适用于大部分双馈风机并网暂态电压稳定性评估的重要特征,可以提高评估结果的准确率,双馈风机并网暂态电压稳定性评估模型采用自注意力机制,针对每次的电网运行数据,提取出电网运行数据在有效维度特征中的重要特征,过滤掉无关信息,并提高双馈风机并网暂态电压稳定性评估模型的工作效率和准确性。
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公开(公告)号:CN117060382A
公开(公告)日:2023-11-14
申请号:CN202310863097.8
申请日:2023-07-14
Applicant: 中国电力科学研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网陕西省电力有限公司
Inventor: 葛路明 , 曲立楠 , 汤涌 , 朱凌志 , 吴福保 , 陈宁 , 王晶 , 贺静波 , 何飞 , 张青蕾 , 王康 , 李立 , 姜达军 , 张红颖 , 贾一超 , 彭佩佩 , 秦昊 , 胡东平 , 陆菲菲 , 宋紫岚
IPC: H02J3/00 , H02J3/38 , G06F30/18 , G06F30/367 , G06F113/04
Abstract: 本发明提供了一种用于虚拟节点电压反馈方案的序阻抗建模方法和系统,应用于逆变器,所述逆变器的并网端与电网连接,包括:基于获取的逆变器并网端的电压得到逆变器并网端的正序谐波电压和负序谐波电压;基于虚拟节点电压反馈方案得到的逆变器的桥臂电压、逆变器中的滤波器、正序谐波电压以及负序谐波电压得到逆变器并网端的正序谐波电流和负序谐波电流;基于逆变器并网端的正序谐波电压、负序谐波电压、正序谐波电流以及负序谐波电流计算并构建导纳模型;基于导纳模型,结合电网导纳计算并构建得到序阻抗模型,本发明根据采集到的数据构建序阻抗模型,验证了含虚拟节点电压反馈方案的稳定性,弥补了含虚拟节点电压反馈方案没有序阻抗模型的缺陷。
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公开(公告)号:CN117012805A
公开(公告)日:2023-11-07
申请号:CN202310602819.4
申请日:2023-05-26
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种适用于高压功率芯片的终端结构,包括围绕高压功率芯片有源区以及过渡区的多个同心浮空场限环,在所述场限环上方覆盖有钝化层。本发明可以提高高压大功率芯片的终端可靠性,提高终端效率,同时,兼顾安全工作区,工艺简单,适合大规模产品应用。本发明通过优化场环设计,提高高压功率芯片的终端效率,保证可靠性的同时,优化安全工作区。
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公开(公告)号:CN115020488A
公开(公告)日:2022-09-06
申请号:CN202210646218.9
申请日:2022-06-08
Applicant: 国网智能电网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L23/48 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法,绝缘栅双极晶体管包括:体层,所述体层包括元胞区和环绕元胞区的过渡区,所述过渡区包括汇流区;栅极结构,位于部分元胞区上或者部分元胞区中;位于汇流区上的栅汇流条,所述栅汇流条与栅极结构的部分边缘之间具有第一开口;镇流结构,位于汇流区中且延伸至第一开口底部的部分元胞区中;阱区,位于栅极结构周围的部分元胞区中,第一开口底部的体层中具有阱区,所述阱区的导电类型与所述镇流结构的导电类型相同;位于阱区的顶部区域中的源掺杂区,所述源掺杂区的导电类型与所述阱区的导电类型相反,所述源掺杂区与所述镇流结构间隔。上述绝缘栅双极晶体管能够缓解元胞区电流集中,降低闩锁风险。
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公开(公告)号:CN114156338A
公开(公告)日:2022-03-08
申请号:CN202111487931.5
申请日:2021-12-07
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。所述绝缘栅双极型晶体管包括:漂移层;位于所述漂移层一侧的集电层,所述集电层的导电类型与所述漂移层的导电类型相反;位于所述漂移层和所述集电层之间的缓冲层,所述缓冲层的导电类型与所述漂移层的导电类型相同,且所述缓冲层的掺杂浓度高于所述漂移层的掺杂浓度;在所述缓冲层的内部设置有浮置层,所述浮置层的导电类型与所述缓冲层的导电类型相反。所述缓冲层与所述浮置层的界面处形成结势垒,阻碍载流子的扩散,改变了绝缘栅双极型晶体管集电极一侧的载流子分布,降低了发射极漏电流,提高了绝缘栅双极型晶体管的正向击穿电压。
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公开(公告)号:CN113725292A
公开(公告)日:2021-11-30
申请号:CN202110792612.9
申请日:2021-07-14
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种具有低导通电压高抗闩锁能力的IGBT及其制备方法,在有源区沟槽栅之间设置分离的沟槽,沟槽可以在击穿特性,可靠性和关断损耗无明显变化的情况下允许载流子存储层有更高的掺杂,进一步降低导通电压,实现导通电压和关断损耗折中的提升;沟槽有助于将耗尽区和电势推入更深的衬底中,远离沟槽底端,降低沟槽底端电场强度,提高击穿特性,降低了与沟槽底部的高电场相关联的可靠性的影响,如热电载流子退化或者时间相关的介电击穿;在分离沟槽中间设置浅凹槽P+发射区,提高抗闩锁能力,提高器件安全工作区。
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