公开(公告)号：CN1290055A

公开(公告)日：2001-04-04

申请号：CN00130582.4

申请日：2000-09-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 广山良治 ,  野村康彦 ,  古沢浩太郎 ,  竹内邦生 ,  冈本重之

IPC: H01S5/00

CPC classification number: H01S5/2231 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/221 ,  H01S5/222 ,  H01S5/2227 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明揭示一种半导体激光器件及其制造方法,其特征是脊部侧面与该脊部下部形成的倾斜角度θ为70°以上、117°以下,p型包层由Alx1Ga1－x1As构成,第1电流阻档层由Alx2Ga1－x2As构成,发光层与第1电流阻挡层间的距离t满足关系式t≤0.275/(1－(X2－X1))μm,脊部下部宽度W为2μm以上、5μm以下。具有在提高激光输出的同时可抑制激光水平散布角减小且水平散布角调整容易的优点。