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公开(公告)号：CN1941526A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610159972.0
申请日：2006-09-28
Applicant: 三洋电机株式会社 , 鸟取三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/162 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3063 , H01S5/3211 , H01S5/34326 , H01S5/4031 , H01S5/4087
Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件，其利用窗结构充分地抑制激光的射出端面部由于热而破坏，同时能够进一步提高温度特性，该半导体激光元件包括：活性层，在激光的射出端面部具有窗结构；以及p型层，形成在活性层的表面上，含有作为杂质的Mg和Zn。另外，p型层所含有的Zn的杂质浓度，比p型层所含有的Mg的杂质浓度大。
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公开(公告)号：CN1941526B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200610159972.0
申请日：2006-09-28
Applicant: 三洋电机株式会社 , 鸟取三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/162 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3063 , H01S5/3211 , H01S5/34326 , H01S5/4031 , H01S5/4087
Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件，其利用窗结构充分地抑制激光的射出端面部由于热而破坏，同时能够进一步提高温度特性，该半导体激光元件包括：活性层，在激光的射出端面部具有窗结构；以及p型层，形成在活性层的表面上，含有作为杂质的Mg和Zn。另外，p型层所含有的Zn的杂质浓度，比p型层所含有的Mg的杂质浓度大。
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公开(公告)号：CN1534841B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200410031629.9
申请日：2004-03-31
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L24/83 , H01L2224/83192 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3211 , H01S5/34326
Abstract: 得到一种可实现放热特性和可靠性(寿命)提高、制造工序简化和制造合格率提高的半导体激光器元件。该半导体激光器元件具备形成于发光层上、构成凸状脊部的半导体层；至少覆盖脊部侧面来形成的、由半导体构成的电流阻挡层；接触脊部上面地形成的第一金属电极；和与脊部隔开规定间隔并配置在脊部两侧的凸状支承部。
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公开(公告)号：CN101582481A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910142480.4
申请日：2005-02-04
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供一种可以抑制光输出特性的降低和制造成品率的降低的氮化物系发光元件。所述氮化物系发光元件具有至少含一种金属和线膨胀系数低于金属的一种无机材料的导电性基板、和接合在所述导电性基板上的氮化物系半导体元件层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1604348A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410081030.6
申请日：2004-09-30
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L33/58 , H01L33/44 , H01L33/54 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及发光元件及其制造方法。它通过在基板背面涂布用于形成以具有透光性的无机材料为主要成分的层的固化前粘性溶液(前驱液)，然后一边用模的凹凸按压基板，一边加热或照射紫外线，再通过从基板上取下模，在基板上形成以具有透光性的无机材料为主要成分的无机材料层，从而利用模压法在基板的背面(拾光面)形成具有凹凸的有机材料层。
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公开(公告)号：CN1182637C
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN00137722.1
申请日：2000-12-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/06226 , H01S5/2206 , H01S5/2222 , H01S5/2226 , H01S5/2227
Abstract: 在具有突出部分的p-涂层上依次形成在突出部分上具有带状开口的载流子积蓄防止层、低载流子浓度层及n-电流阻挡层。低载流子浓度层具有比n-电流阻挡层更低的载流子浓度。载流子积蓄防止层的禁带宽度设定为p-涂层的禁带宽度与低载流子浓度层的禁带宽度之间的值。或，在n-载流子积蓄防止层上形成低载流子浓度第1电流阻挡层及反向导电型第2电流阻挡层，在反向导电型第2电流阻挡层以及p-接触层上形成p-接触层。
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公开(公告)号：CN101826703A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010164149.5
申请日：2005-09-23
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/40
CPC classification number: H01S5/4025 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48463 , H01L2224/48464 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种集成型半导体激光元件及其制造方法，在可以使激光的特性提高的同时，可以降低光轴调整所花费的成本。该集成型半导体激光元件包括：在包含第1发光区域的同时、具有凸部的第1半导体激光元件；和在包含第2发光区域的同时、具有凹部的第2半导体激光元件；并且，第1半导体激光元件在凸部的下方具有活性层，第1发光区域位于第1半导体激光元件的活性层内，凸部经接合层嵌入凹部中，第1发光区域和第2发光区域配置于半导体层的层叠方向的同一线上。
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公开(公告)号：CN101567417A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910137372.8
申请日：2009-04-24
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L29/2003 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L29/812 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L2224/32145 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/73265 , H01S5/0201 , H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2304/12 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供氮化物类半导体元件和其制造方法。该氮化物类半导体元件包括：基板；在基板的第一侧端面的主表面侧形成的第一台阶部；在第一侧端面的相反侧、并且在与第一侧端面大致平行的第二侧端面的主表面侧形成的第二台阶部；和在主表面上，具有由将第一台阶部的第一侧壁作为起点的(000－1)面构成的第一侧面、和将第二台阶部的第二侧壁作为起点的第二侧面的氮化物类半导体层。
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