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公开(公告)号：CN1841864B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200610066495.3
申请日：2006-03-31
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/30 , H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种在能够减小阈值电流的同时还能够提高发光效率的半导体激光元件及其制造方法。该半导体激光元件包括：具有主表面的半导体基板；以及形成在半导体基板的主表面上，并具有相对于半导体基板的主表面实质上倾斜的主表面，同时，包括发光层的半导体元件层。
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公开(公告)号：CN1744398B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN200510093867.7
申请日：2005-08-31
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4025 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置中使用的一芯片半导体激光元件。其中，红色半导体激光元件和红外半导体激光元件层叠在蓝紫色半导体激光元件上。蓝紫色半导体激光元件通过在GaN基板上形成半导体层来制造。红色半导体激光元件及红外半导体激光元件分别通过在GaAs基板上形成半导体层来制造。GaAs的弹性模量比GaN的弹性模量小。红色半导体激光元件及红外半导体激光元件的长度分别比蓝紫色半导体激光元件的长度长。
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公开(公告)号：CN101355232B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200810134056.0
申请日：2008-07-24
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0206 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S2301/173
Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件，其包括：由氮化物类半导体构成的基板；和在上述基板的主表面上形成的光波导，其中，基板包括以相对基板的主表面在倾斜方向上延伸的方式配置的位错集中区域，光波导以位于位错集中区域的上方，并位于基板的主表面中的除去出现位错集中区域的部分的区域上的方式形成。
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公开(公告)号：CN102227853A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200980147565.X
申请日：2009-09-11
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , B82Y20/00 , H01L2224/48091 , H01L2224/48111 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01S5/0216 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/22 , H01S5/24 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S5/405 , H01S5/4087 , H04N9/3161 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种在再现白色光时，即使在振荡波长不同的多个激光元件间要求较大的输出差的情况下，也能够柔软应对的半导体激光装置。该半导体激光装置(100)具备：具有一个或多个激光发光部的红色半导体激光元件(10)；具有一个或多个激光发光部的绿色半导体激光元件(30)；和具有一个或多个激光发光部的蓝色半导体激光元件(50)。而且，红色半导体激光元件、绿色半导体激光元件和蓝色半导体激光元件中至少两个半导体激光元件具有如下关系：射出相对长的波长的光的半导体激光元件的激光发光部的个数比射出相对短的波长的光的半导体激光元件的激光发光部的个数多。
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公开(公告)号：CN101202421A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710186168.6
申请日：2007-11-30
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物类半导体元件，该氮化物类半导体元件包括：由氮化物类半导体构成的基板；在基板上形成的、由形成有向第一方向延伸的光波导的氮化物类半导体构成的氮化物类半导体层；在至少除光波导的端面附近以外的区域，沿光波导延伸的第一方向，在与基板的形成有氮化物类半导体层的一侧相反的一侧的表面上形成的第一台阶部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1838494A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610067416.0
申请日：2006-03-27
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4043 , B82Y20/00 , G11B7/123 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/02212 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
Abstract: 半导体激光装置的蓝紫色发光点、红色发光点和红外发光点，配置成按该顺序沿Y方向大致排列在直线上。从蓝紫色发光点发射的蓝紫色激光和从红色发光点发射的红色激光，通过由偏振光束分离器、准直透镜、光束扩展器、λ/4片、物镜、柱面透镜和光轴校正元件构成的光学系统入射到光盘上，从光盘返回后被导向同一个光检测器。从红外发光点发射的红外激光，通过上述光学系统入射到光盘上，从光盘返回后被导向光检测器。
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公开(公告)号：CN1677782A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510053944.6
申请日：2005-03-11
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/40
CPC classification number: H01S5/02212 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/042 , H01S5/22 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供具有振荡波长不同的多个半导体激光元件、并可使用产生低电压的电源电路驱动短波长的半导体激光元件的半导体激光装置和光装置。半导体激光装置(500)具有射出蓝紫色激光的第一半导体激光元件(11)、射出红色激光的第二半导体激光元件(12)、导电性组件主体(19)。第一半导体激光元件(11)具有p侧衬垫电极和n侧电极。第一半导体激光元件(11)的p侧衬垫电极和n侧电极与组件主体(19)绝缘。产生正电位的驱动电路(501)连接于第一半导体激光元件(11)的p侧衬垫电极，产生负电位的直流电源(502)连接于第一半导体激光元件(11)的n侧电极上。
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公开(公告)号：CN1447485A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03108827.9
申请日：2003-03-26
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , B82Y20/00 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01S5/0425 , H01S5/2201 , H01S5/305 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，它可降低氮化物系半导体基板等的氮面与电极之间的接触电阻。该方法具有浸蚀由纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层的背面的工序和在该浸蚀过的第1半导体层背面上形成n侧电极的工序。
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公开(公告)号：CN1302103A
公开(公告)日：2001-07-04
申请号：CN00137722.1
申请日：2000-12-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/06226 , H01S5/2206 , H01S5/2222 , H01S5/2226 , H01S5/2227
Abstract: 在具有突出部分的p－涂层上依次形成在突出部分上具有带状开口的载流子积蓄防止层、低载流子浓度层及n－电流阻挡层。低载流子浓度层具有比n－电流阻挡层更低的载流子浓度。载流子积蓄防止层的禁带宽度设定为p－涂层的禁带宽度与低载流子浓度层的禁带宽度之间的值。或,在n－载流子积蓄防止层上形成低载流子浓度第1电流阻挡层及反向导电型第2电流阻挡层,在反向导电型第2电流阻挡层以及p－接触层上形成p－接触层。
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公开(公告)号：CN101521254B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200910005133.7
申请日：2004-02-06
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
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