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公开(公告)号：CN1302103A
公开(公告)日：2001-07-04
申请号：CN00137722.1
申请日：2000-12-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/06226 , H01S5/2206 , H01S5/2222 , H01S5/2226 , H01S5/2227
Abstract: 在具有突出部分的p－涂层上依次形成在突出部分上具有带状开口的载流子积蓄防止层、低载流子浓度层及n－电流阻挡层。低载流子浓度层具有比n－电流阻挡层更低的载流子浓度。载流子积蓄防止层的禁带宽度设定为p－涂层的禁带宽度与低载流子浓度层的禁带宽度之间的值。或,在n－载流子积蓄防止层上形成低载流子浓度第1电流阻挡层及反向导电型第2电流阻挡层,在反向导电型第2电流阻挡层以及p－接触层上形成p－接触层。
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公开(公告)号：CN101276990A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810086910.0
申请日：2008-03-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0213 , H01S5/0216 , H01S5/0217 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2216 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3063 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 本发明提供一种能够提高半导体激光元件的波导路的解理面的平坦性的半导体激光元件。该半导体激光元件具有：支撑基板；具有设有沿第一方向延伸的波导路的端部的一对共振器面的半导体激光元件部；以及粘接支撑基板和半导体激光元件部的粘接层。粘接层在共振器面附近具有在所述波导路的至少是端部附近的区域上形成的空隙部。
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公开(公告)号：CN1937271A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610154363.6
申请日：2006-09-22
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363
Abstract: 本发明提供一种氮化物类半导体元件的制造方法，其包含：在基板上形成含有In的剥离层的工序，在上述剥离层上形成氮化物类半导体层的工序，由上述剥离层的温度上升、产生上述剥离层分解的工序，在上述剥离层上照射激光的工序，和将上述氮化物半导体从上述基板分离的工序。
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公开(公告)号：CN1215620C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN01131277.7
申请日：2001-08-29
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/16 , H01S5/0425 , H01S5/168
Abstract: 本发明涉及半导体激光元件及其制造方法。P型AlGaInP第1覆盖层上，在脊部的侧面及开孔区域的上方的脊部的上表面区域形成有n型GaAs电流阻挡层。端面近旁的区域上的p型GaAs顶盖层上形成隆起部，端面近旁的第1电极区域上形成隆起区域。第1电极的隆起区域间的区域上形成具有比隆起区域的高度大的厚度的第2电极。
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公开(公告)号：CN101361203B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200780001749.6
申请日：2007-10-12
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/0079 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2933/0075 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体发光元件、照明装置和半导体发光元件的制造方法。能够抑制支撑基板和半导体元件层的剥离的产生，并得到可靠性高的半导体发光元件。该半导体发光元件包括：支撑基板(1)；在支撑基板(1)上形成的第一接合层(2a)；在第一接合层(2a)上形成的第二接合层(2b)；在第二接合层(2b)上形成的第三接合层(2c)；和在第三接合层(2c)上形成的半导体元件层(3)。并且，第二接合层(2b)的熔点低于第一接合层(2a)和第三接合层(2c)的熔点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101960683A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980107116.2
申请日：2009-02-25
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/10 , B82Y20/00 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01S5/0202 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/0224 , H01S5/02276 , H01S5/028 , H01S5/1064 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S5/4031
Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件及其制造方法，得到一种可抑制在活性层附近的包层产生裂缝的半导体激光元件。该半导体激光元件(100)具备：第一半导体元件部(120)、与第一半导体元件部接合的支承基板(10)，第一半导体元件部具备：谐振器；在与谐振器延伸的第一方向(B方向)交叉的第二方向(A方向)具有第一宽度的第一区域(22a)；在第二方向具有拥有比形成于第一区域上的第一宽度小的第二宽度的第二区域(22b)的第一导电型第一包层(22)；形成于第一包层的第二区域上的第一活性层(23)及第二导电型第二包层(24)。
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公开(公告)号：CN1534841B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200410031629.9
申请日：2004-03-31
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L24/83 , H01L2224/83192 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3211 , H01S5/34326
Abstract: 得到一种可实现放热特性和可靠性(寿命)提高、制造工序简化和制造合格率提高的半导体激光器元件。该半导体激光器元件具备形成于发光层上、构成凸状脊部的半导体层；至少覆盖脊部侧面来形成的、由半导体构成的电流阻挡层；接触脊部上面地形成的第一金属电极；和与脊部隔开规定间隔并配置在脊部两侧的凸状支承部。
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公开(公告)号：CN1182637C
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN00137722.1
申请日：2000-12-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/06226 , H01S5/2206 , H01S5/2222 , H01S5/2226 , H01S5/2227
Abstract: 在具有突出部分的p-涂层上依次形成在突出部分上具有带状开口的载流子积蓄防止层、低载流子浓度层及n-电流阻挡层。低载流子浓度层具有比n-电流阻挡层更低的载流子浓度。载流子积蓄防止层的禁带宽度设定为p-涂层的禁带宽度与低载流子浓度层的禁带宽度之间的值。或，在n-载流子积蓄防止层上形成低载流子浓度第1电流阻挡层及反向导电型第2电流阻挡层，在反向导电型第2电流阻挡层以及p-接触层上形成p-接触层。
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公开(公告)号：CN1937271B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200610154363.6
申请日：2006-09-22
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363
Abstract: 本发明提供一种氮化物类半导体元件的制造方法，其包含：在基板上形成含有In的剥离层的工序，在上述剥离层上形成氮化物类半导体层的工序，由上述剥离层的温度上升、产生上述剥离层分解的工序，在上述剥离层上照射激光的工序，和将上述氮化物半导体从上述基板分离的工序。
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公开(公告)号：CN1340890A
公开(公告)日：2002-03-20
申请号：CN01131277.7
申请日：2001-08-29
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/16 , H01S5/0425 , H01S5/168
Abstract: 本发明涉及半导体激光元件及其制造方法。P型AlGaInP第1覆盖层上,在脊部的侧面及开孔区域的上方的脊部的上表面区域形成有n型GaAs电流阻挡层。端面近旁的区域上的p型GaAs顶盖层上形成隆起部,端面近旁的第1电极区域上形成隆起区域。第1电极的隆起区域间的区域上形成具有比隆起区域的高度大的厚度的第2电极。
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