-
公开(公告)号：CN113416935A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110642910.X
申请日：2021-06-09
申请人： 季华实验室
摘要： 本发明提供了一种磁性本征拓扑绝缘体MnBi2Te4薄膜的制备方法，属于发光材料制备及应用技术领域，包括如下步骤：S1.清洁并干燥基片后，将其置于磁控溅射镀膜仪的真空腔内；S2.室温下，利用磁控多靶共溅射法，将Mn源、Bi源和Te源共溅射在所述基片上制备非晶态的薄膜；S3.共溅射结束后，原位溅射生长一层Al膜作为保护层；S4.将所述非晶态的薄膜移入真空退火炉中，退火保温一段时间后制得。本发明的磁性本征拓扑绝缘体MnBi2Te4薄膜的制备方法，仅需在目标温度下进行一轮退火便可得到，工艺简单，可操作性更强；能够最大限度地节约时间成本，使效率最大化，适用于大批量生产；无需进行任何人工转移操作可避免污染、损坏；降低了设备成本，有利于工业化生产。
-
公开(公告)号：CN118888255A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411394036.2
申请日：2024-10-08
申请人： 季华实验室
摘要： 本发明提供了一种CoFeB基磁性多层膜及其制备方法。本发明通过引入TiC层，TiC层可以有效地抑制Ta的扩散，使得Ta/CoFeB界面更加的平整，有利于获得垂直磁各向异性；TiC层可以有效在多层膜中引入C原子，引入C原子可以有效调控Fe和O之间的轨道杂化作用，进而可以有效通过C、O双离子的双层作用协同驱动多层膜的磁各向异性由面内向面外转化，即使得磁性多层膜获得垂直磁各向异性；本发明通过C、O双离子调控作用，增加材料调控的自由度，提高性能调控的幅度，从多角度出发，大大提高对薄膜垂直磁各向异性的调控，并且进一步提升了CoFeB基磁性多层膜的热稳定性。
-
公开(公告)号：CN118448281A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410630971.8
申请日：2024-05-21
申请人： 季华实验室
摘要： 本申请涉及芯片封装技术领域，具体提供了及一种多面管脚芯片封装方法及封装结构，该方法包括以下步骤：将多面管脚芯片的底面朝下贴附在芯片容置凹槽内的第一导电层上；在多面管脚芯片与芯片容置凹槽之间形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成分别与多面管脚芯片的两个侧面上的管脚电性连接的两个第二导电层，并在两个第二导电层之间形成第二绝缘层；在芯片容置凹槽的至少一侧形成贯通芯片容置层的第一导电柱，并在芯片容置层顶面形成电连接结构；去除载板和部分第一导电层，并在第一导电层上形成塑封层在载板上依次形成第一导电层和芯片容置层；该方法能够有效地降低多面管脚芯片的封装成本和提高多面管脚芯片封装结构的可靠性。
-
公开(公告)号：CN115157135B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202210641215.6
申请日：2022-06-08
申请人： 季华实验室
IPC分类号： B25B11/00
摘要： 本发明涉及工业工程技术领域，公开了一种快速装夹装置。快速装夹装置包括底座、安装结构、转动结构、第一复位弹性件和多个夹紧件，安装结构设置于底座上，安装结构对应设有多个径向滑槽；转动结构转动设置于安装结构上，位于安装结构和底座之间，转动结构对应多个径向滑槽设有多个偏心滑槽，偏心滑槽与径向滑槽在同一投影面上呈预设夹角设置；第一复位弹性件的一端设置于安装结构上，另一端设置于转动结构上；各夹紧件分别穿过径向滑槽并对应滑动设置于偏心滑槽上；在装夹工件时，转动转动结构带动夹紧件做径向远离圆心运动，松开转动结构，第一复位弹性件复位，带动夹紧件做径向靠近圆心运动快速将工件夹紧。装夹时间短、效率和通用性高。
-
公开(公告)号：CN117881268A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311737758.9
申请日：2023-12-15
申请人： 季华实验室
摘要： 本发明实施例涉及磁感应器技术领域，公开了一种磁阻元件以及各向异性磁电阻薄膜传感器，该磁阻元件包括第一平衡组以及第二平衡组，第一平衡组具有N个平行设置的第一磁阻条，第二平衡组具有N个平行设置的第二磁阻条，所述第一磁阻条之间均间隔两个所述第二磁阻条设置，且相邻的任意两个磁阻条之间的距离相等，相邻的所述第一磁阻条与所述第二磁阻条以并联或串联方式进行电连接，以减小所述第一平衡组和所述第二平衡组之间的电阻误差。从而解决现有技术中各向异性磁电阻薄膜传感器的制作工艺导致的电阻误差。
-
公开(公告)号：CN116936470A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311189724.0
申请日：2023-09-15
申请人： 季华实验室
IPC分类号： H01L21/768 , B44B5/02 , B44B5/00
摘要： 本申请属于集成电路制备技术领域，公开了一种循环印刷式集成电路制备方法，包括步骤：把待制备的芯片电路分解为多个子电路，记为实际子电路；根据所述实际子电路匹配出对应的标准子电路；选用与各所述标准子电路对应的标准压印滚轮，依次在半导体晶圆表面的介电层上滚压出对应各所述标准子电路的子电路凹槽，以组成所述待制备的芯片电路的整体电路凹槽；所述标准压印滚轮的周面上设置有与对应标准子电路匹配的微纳凸起；在所述整体电路凹槽中填充金属，得到芯片电路；从而能够降低芯片电路制备成本并提高总体生产效率。
-
公开(公告)号：CN115233089B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210529639.3
申请日：2022-05-16
申请人： 季华实验室
摘要： 本申请公开了一种柔轮用特殊钢及其制备工艺，所述柔轮用特殊钢采用中碳高强度特殊钢制成，所述中碳高强度特殊钢的化学成分按质量百分含量包括：C：0.38％‑0.40％、Si：0.15％‑0.25％、Mn：1.0％‑1.20％、Cr：0.8％‑2.20％、Ni：0.5％‑0.8％、Mo：0.20％‑0.25％、B：0.0005％‑0.0010％、Sn：0.01‑0.02％、P≤0.012％、S≤0.005％、Cu：0.30％‑0.40％，余量为Fe及不可避免的杂质。本申请解决了现有技术柔轮材料的耐候性较差的技术问题。
-
公开(公告)号：CN114606471A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210337334.2
申请日：2022-04-01
申请人： 季华实验室
摘要： 本发明提供了一种FeCoCr磁码盘薄膜材料，属于磁性材料技术领域，为多层膜结构，包括基底，以及在基底上依次制备的Bi掺杂的FeCoCr薄膜和保护层；其中，所述保护层用于防止Bi掺杂的FeCoCr薄膜被氧化。本发明还提供了一种FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法和应用。本发明的FeCoCr磁码盘薄膜材料，通过控制Bi元素在FeCoCr薄膜中的掺杂量，可以对FeCrCo薄膜的矫顽力进行有效地调控，使得薄膜的矫顽力由不掺杂Bi时的457Oe，提升为掺Bi之后的930Oe，矫顽力增幅达100％以上，满足磁编码器码盘材料对矫顽力的实际应用需求。并且，本发明的FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法，简单、控制方便、效率高且成本低。
-
公开(公告)号：CN113421733B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202110659746.3
申请日：2021-06-15
申请人： 季华实验室
摘要： 本发明涉及一种增加铁磁薄膜材料的垂直磁各向异性的方法，通过在经过表面抛光和氩离子轰击处理后的Si基片上，沉积Ta/TiC/Co/Ta多层膜结构的方式，并在沉积完毕后进行热处理和冷却降温的方式，制备得到铁磁薄膜材料，本发明通过在制备所述铁磁薄膜材料的Co薄膜的过程中，引入适当的TiC缓冲层的方式，显著增强了Co薄膜的垂直磁各向异性。
-
公开(公告)号：CN114279481A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111417615.0
申请日：2021-11-25
申请人： 季华实验室
IPC分类号： G01D18/00
摘要： 本发明涉及编码器测试技术领域，公开了一种编码器转速波动性测试系统及方法。该系统包括：伺服驱动器、伺服电机、待测编码器、差分转单端模块、数据采集卡、测试装置；所述待测编码器安装在所述伺服电机上；所述待测编码器与所述差分转单端模块信号连接；所述数据采集卡分别与所述差分转单端模块、所述测试装置信号连接；所述测试装置用于基于所述待测编码器产生的脉冲信号，对所述待测编码器进行转速波动性测试。本发明提供的编码器转速波动性测试系统，结构简单、操作方便，显著降低了编码器转速波动性测试的成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
42 条记录 (耗时 0.026 秒)
