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公开(公告)号：CN110799454A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201880043393.0
申请日：2018-07-13
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C01B21/064 , C01B21/072 , C08F2/44 , C08G59/50 , C09C1/00 , C09C3/08 , C09K5/14
Abstract: 本发明的课题在于提供一种分散性优异的表面修饰无机氮化物。并且，本发明的另一课题在于提供一种包含上述表面修饰无机氮化物的组合物、导热材料及带导热层的器件。本发明的表面修饰无机氮化物包含无机氮化物和吸附于上述无机氮化物表面上的下述通式(I)所表示的化合物。
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公开(公告)号：CN106716656B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201580047923.5
申请日：2015-09-01
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L35/22 , B82Y30/00 , C08K3/04 , C08L101/00 , H01L29/06 , H01L35/24 , H01L35/26 , H01L35/34 , H01L51/00 , H01L51/30
Abstract: 本发明提供一种导电率及热电动势优异且在高热环境下也抑制热电动势的变化的n型热电转换层及具有该n型热电转换层的热电转换元件、n型热电转换层形成用组合物。本发明的热电转换元件具有n型热电转换层及与n型热电转换层电连接的p型热电转换层，n型热电转换层含有碳纳米管与包含以通式(1)表示的重复单元的化合物。通式(1)中，L1表示2价烃基。n表示2以上的整数。X表示‑O‑、‑CH(OH)‑、‑S‑、‑OC(＝O)O‑、‑C(＝O)‑、‑OC(＝O)‑或或包含酰胺基的2价基团。
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公开(公告)号：CN105474417B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201480045581.9
申请日：2014-08-21
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 林直之
CPC classification number: H01L35/24 , H01L35/30 , H01L35/32 , H01L51/0034 , H01L51/0045 , H01L51/0575
Abstract: 本发明涉及一种热电转换性能的经时劣化得到抑制的热电转换装置。本发明的热电转换装置具备：基板；热电转换元件，配置于基板上，并具有含有有机热电转换材料的热电转换层及一对电极；及外敷层，以覆盖热电转换元件的方式配置，并含有劣化抑制剂及有机粘合剂。
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公开(公告)号：CN104919609B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201480004536.9
申请日：2014-01-23
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C08G61/10 , C08G61/12 , C08G61/122 , C08G61/123 , C08G61/124 , C08G2261/124 , C08G2261/1412 , C08G2261/148 , C08G2261/312 , C08G2261/314 , C08G2261/3142 , C08G2261/3162 , C08G2261/3241 , C08G2261/3245 , C08G2261/3246 , C08G2261/55 , H01L35/22 , H01L35/24
Abstract: 本发明涉及热电转换材料、热电转换元件以及使用其的热电发电用物品和传感器用电源。本发明的热电转换元件(1)是在基材(12)上具有第一电极(13)、热电转换层(14)和第二电极(15)的热电转换元件(1)，在该热电转换层(14)中含有纳米导电性材料、以及至少含有通式(1A)或(1B)所表示的芴结构作为重复结构的高分子；本发明的热电发电用物品和传感器用电源使用了该热电转换元件(1)；本发明的热电转换材料含有该高分子和纳米导电性材料。式中，R11和R12各自独立地表示取代基。R13和R14各自独立地表示芳香族烃环基、芳香族杂环基、烷基或烷氧基。此处，R13与R14可以相互键合而形成环。n11和n12b各自独立地表示0～3的整数，n12表示0～2的整数。La表示单键、‑N(Ra)‑或将选自由2价芳香族烃环基、2价芳香族杂环基以及‑N(Ra)‑组成的组中的基团组合而成的连接基团。Lb表示单键、2价芳香族烃环基、2价芳香族杂环基、‑N(Ra)‑、或者将这些基团组合而成的连接基团。此处，Ra表示取代基。Xb表示3价芳香族烃环基、3价芳香族杂环基或>N‑。*表示键合位置。
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公开(公告)号：CN103828081B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201280046622.7
申请日：2012-09-28
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L35/24 , C08G61/123 , C08G61/124 , C08G61/126 , C08G2261/1412 , C08G2261/3142 , C08G2261/3221 , C08G2261/3223 , C08G2261/3229 , C08G2261/3243 , C08G2261/3246 , C08G2261/3422 , C08G2261/55 , C08K3/041 , H01L35/32 , C08L65/00
Abstract: 本发明涉及一种热电转换材料，其为含有导电性高分子与热激发辅助剂的热电转换材料，其中，热激发辅助剂为在导电性高分子中不形成掺杂级的化合物；热激发辅助剂的LUMO(最低未占分子轨道)的能级与导电性高分子的HOMO(最高占据分子轨道)的能级满足下述数学式(I)。数学式(I)中，｜导电性高分子的HOMO｜表示导电性高分子的HOMO的能级的绝对值，｜热激发辅助剂的LUMO｜表示热激发辅助剂的LUMO的能级的绝对值。数学式(I)0.1eV≤｜导电性高分子的HOMO｜‑｜热激发辅助剂的LUMO｜≤1.9eV。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106716656A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580047923.5
申请日：2015-09-01
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L35/22 , B82Y30/00 , C08K3/04 , C08L101/00 , H01L29/06 , H01L35/24 , H01L35/26 , H01L35/34 , H01L51/00 , H01L51/30
CPC classification number: H01L35/22 , B82Y30/00 , C08K3/041 , C08K7/24 , C08K2201/001 , C08K2201/011 , C08L101/00 , H01L35/24 , H01L35/26 , H01L35/34
Abstract: 本发明提供一种导电率及热电动势优异且在高热环境下也抑制热电动势的变化的n型热电转换层及具有该n型热电转换层的热电转换元件、n型热电转换层形成用组合物。本发明的热电转换元件具有n型热电转换层及与n型热电转换层电连接的p型热电转换层，n型热电转换层含有碳纳米管与包含以通式(1)表示的重复单元的化合物。通式(1)中，L1表示2价烃基。n表示2以上的整数。X表示‑O‑、‑CH(OH)‑、‑S‑、‑OC(＝O)O‑、‑C(＝O)‑、‑OC(＝O)‑或或包含酰胺基的2价基团。
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公开(公告)号：CN105324861A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201480033507.5
申请日：2014-06-04
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种热电转换元件及使用该热电转换元件的热电转换模块，所述热电转换元件在基板上形成电极对，在电极对之间形成绝缘层，分别在一个电极上形成包含有机n型热电转换材料的n型热电转换层，在另一个电极上形成包含有机p型热电转换材料的p型热电转换层，并且n型热电转换层及有机p型热电转换层具有被绝缘层隔开的隔开区域、以及其上部的彼此接合的接触区域。
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公开(公告)号：CN105103317A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201480018311.9
申请日：2014-03-25
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明涉及一种热电转换元件的制造方法，其为在基材上具有第1电极、热电转换层和第2电极的热电转换元件的制造方法，该制造方法具有以下工序：至少对纳米导电性材料和分散介质进行高速旋转薄膜分散法，制备含有纳米导电性材料的热电转换层用分散物；和将所制备的热电转换层用分散物涂布至基材上，并进行干燥；另外涉及一种热电转换层用分散物的制造方法，其中，至少对纳米导电性材料和分散介质进行高速旋转薄膜分散法。
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公开(公告)号：CN103828081A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201280046622.7
申请日：2012-09-28
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L35/24 , C08G61/123 , C08G61/124 , C08G61/126 , C08G2261/1412 , C08G2261/3142 , C08G2261/3221 , C08G2261/3223 , C08G2261/3229 , C08G2261/3243 , C08G2261/3246 , C08G2261/3422 , C08G2261/55 , C08K3/041 , H01L35/32 , C08L65/00
Abstract: 本发明涉及一种热电转换材料，其为含有导电性高分子与热激发辅助剂的热电转换材料，其中，热激发辅助剂为在导电性高分子中不形成掺杂级的化合物；热激发辅助剂的LUMO(最低未占分子轨道)的能级与导电性高分子的HOMO(最高占据分子轨道)的能级满足下述数学式(I)。数学式(I)中，｜导电性高分子的HOMO｜表示导电性高分子的HOMO的能级的绝对值，｜热激发辅助剂的LUMO｜表示热激发辅助剂的LUMO的能级的绝对值。数学式(I)0.1eV≤｜导电性高分子的HOMO｜-｜热激发辅助剂的LUMO｜≤1.9eV。
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公开(公告)号：CN101393361A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810211147.X
申请日：2008-08-28
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G02F1/1337 , C09K19/02
CPC classification number: C09K19/3003 , C09K19/3068 , C09K19/586 , C09K19/60 , C09K2019/3021 , G02F1/13725
Abstract: 本发明公开了一种液晶装置，其包括：一对具有垂直取向膜的电极和所述电极对之间设置的液晶层，并且所述液晶层包括具有正介电各向异性的液晶、二色性染料和手性试剂的液晶组合物，其中液晶组合物的手性螺距(P)与电极对之间的间隙(G)的比值(P/G)为0.06至小于1.0。
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