公开(公告)号：CN106960896A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201710182670.3

申请日：2017-03-24

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 樊勇

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/36 ,  H01L33/34 ,  H01L21/84 ,  H01L27/15

CPC分类号： H01L33/0041 ,  H01L27/156 ,  H01L27/3262 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/06 ,  H01L33/34 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/5253 ,  H01L2227/323 ,  H01L2933/0016 ,  H01L21/84 ,  H01L33/36

摘要： 本发明涉及显示技术领域，尤其是一种石墨烯发光显示器的制备方法，包括如下步骤：在形成有薄膜晶体管的基板表面，制备氧化石墨烯薄膜；提供一光掩膜版与所述氧化石墨烯薄膜对应，使光通过所述光掩膜版辐射到所述氧化石墨烯薄膜上，形成石墨烯发光晶体管的源极、漏极和石墨烯量子点层；其中，所述光掩膜版包括：全透明部，其对应于所述源极、漏极所在区域；遮光部，其对应于所述薄膜晶体管所在区域；半透明部，其对应于所述石墨烯量子点层的所在区域；在形成石墨烯发光晶体管的基板表面依次形成绝缘层和隔水隔氧层。本发明还提供这种石墨烯发光显示器的结构。本发明石墨烯发光晶体管的源漏极采用相同的电极材料，制备工艺一道光掩膜版即可成型。

公开(公告)号：CN105070848B

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201510575611.3

申请日：2015-09-11

申请人： 上海天马有机发光显示技术有限公司 ,  天马微电子股份有限公司

发明人： 谢再锋

IPC分类号： H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L51/0045 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/5004 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/508 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/5369 ,  H01L2251/552

摘要： 本公开提供了一种显示面板、高分子有机发光器件及其制备方法。该高分子有机发光器件包括：有机发光层，具有相对的第一面和第二面；空穴传输部，叠设于所述有机发光层第一面；电子传输部，叠设于所述有机发光层第二面，所述电子传输部包括混合纳米膜层。本公开可以提高高分子有机发光器件的电流效率。

公开(公告)号：CN103633244B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310351161.0

申请日：2013-08-13

申请人： 索尼公司

发明人： 石井由威 ,  小野秀树

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0545 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0041 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/105 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/303 ,  H01L2251/308

摘要： 本发明提供能够抑制有机半导体膜因应力而产生特性劣化的半导体器件及其制造方法以及电子装置，所述半导体器件包括：门电极；用于形成沟道的有机半导体膜；以及一对源漏电极，其形成于所述有机半导体膜上，所述一对源漏电极分别包括依次层叠的连接层、缓冲层及布线层。

公开(公告)号：CN105845827A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610198297.6

申请日：2016-04-01

申请人： 桂林理工大学

发明人： 利明 ,  袁小亲 ,  阮浩然 ,  邓晓宁

IPC分类号： H01L51/46 ,  H01L51/42 ,  C01G21/21 ,  B82Y30/00

CPC分类号： Y02E10/549 ,  H01L51/0045 ,  C01G21/21 ,  C01P2002/82 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64 ,  H01L51/42 ,  H01L2251/301

摘要： 本发明公开了一种无衬底PbS/CH3NH3PbX3核壳纳米材料的制备方法。以分散在CH3NH3PbX3前驱液中的PbS纳米颗粒为种子，由于CH3NH3PbX3在非极性溶剂中的溶解度不高，通过滴入非极性溶剂的方法改变前驱液的极性使CH3NH3PbX3在PbS纳米颗粒表面析出，从而得到独立的无衬底PbS/CH3NH3PbX3核壳纳米材料。本发明方法操作简单，能够通过改变前驱液的浓度和成分配比控制CH3NH3PbX3壳层的厚度和成分，从而调节材料的吸光度和吸光范围，所制备的PbS/CH3NH3PbX3核壳纳米材料能够用于太阳能电池等光电领域。

公开(公告)号：CN102893421B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180024130.3

申请日：2011-04-26

申请人： 默克专利股份有限公司

发明人： W·斯托库姆 ,  A·梅热尔 ,  I·科勒

IPC分类号： H01L51/00 ,  H01L51/44

CPC分类号： H01L51/0019 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/444

摘要： 本发明涉及选择性结构化在柔性塑料底材结构上的包含CNT（碳纳米管）的聚合物基质的方法。所述方法还包括合适的蚀刻组合物，其允许在大规模生产中进行该方法。

公开(公告)号：CN103081027B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201180040066.8

申请日：2011-06-07

申请人： 国际商业机器公司

发明人： A·A·伯尔 ,  A·阿夫扎利-阿尔达卡尼 ,  G·S·图尔维斯基

IPC分类号： H01B1/04 ,  H01L51/00 ,  H01L51/44 ,  C01B31/04

CPC分类号： H01B1/04 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/194 ,  C01B2204/22 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/442 ,  Y02E10/549

摘要： 提供一种通过化学掺杂来增加石墨烯膜的导电性的技术。在本发明的一个方面中，一种用于增加石墨烯膜的导电性的方法包括以下步骤。通过一个或多个石墨烯片形成石墨烯膜。将石墨烯片暴露到具有单电子氧化剂的溶液，所述溶液被配置为掺杂石墨烯片从而增加石墨烯片的导电性，进而增加膜的总导电性。石墨烯膜可以在将石墨烯片暴露到单电子氧化剂溶液之前形成。可选地，在形成石墨烯膜之前将石墨烯片暴露到单电子氧化剂溶液。还提供一种用于通过石墨烯膜在光伏器件上制造透明电极的方法。

公开(公告)号：CN104364298A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201380031669.0

申请日：2013-05-17

申请人： 陶氏环球技术有限责任公司

发明人： H·拉克劳特 ,  M·J·马克斯 ,  L·瓦勒特

IPC分类号： C08J3/00 ,  C04B35/524 ,  C04B35/83 ,  C08L63/00

CPC分类号： C09D5/24 ,  B82Y10/00 ,  C03C17/22 ,  C03C2217/28 ,  C04B35/524 ,  C04B35/6269 ,  C04B35/63452 ,  C04B2235/9653 ,  C08J3/00 ,  C08L63/00 ,  H01B1/04 ,  H01B1/24 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/442 ,  Y10T428/265

摘要： 制备导电碳化层状制品的方法，所述包括以下步骤：(I)提供液态碳前体制剂，其包含(a)至少一种芳族环氧树脂；和(b)(i)至少一种芳族共反应性固化剂，(b)(ii)至少一种催化固化剂，或(b)(iii)其混合物；其中所述液态前体组合物在添加任选的组分之前、在固化之前和在碳化之前，在25℃时具有小于10,000 mPa-s的净粘度；并且其中经受固化的液态前体组合物具有至少35重量％的碳收率，不考虑衬底和存在于所述组合物中的任何任选组分的重量；(II)将步骤(I)的液态制剂作为薄涂层施加到衬底的至少一部分表面上；(III)固化步骤(II)的液态制剂以形成固化产物；其中所述固化产物具有至少35重量％的碳收率，不考虑衬底和存在于所述组合物中的任何任选组分的重量；和(IV)碳化步骤(III)的固化产物以形成导电碳化层状制品；以及通过上述方法制备的导电碳化层状制品，例如光学透明碳电极(COTE)。

公开(公告)号：CN103635423A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201280031850.7

申请日：2012-04-27

申请人： 康奈尔大学

发明人： W·R·迪希特尔 ,  H·阿斯兰 ,  F·J·乌里贝-罗莫

IPC分类号： C01B31/02 ,  C08G61/12 ,  H01L51/50 ,  H01L31/042 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： C07C2/84 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/184 ,  C01B2204/06 ,  C01B2204/065 ,  C07C15/20 ,  C08G61/02 ,  C08G61/10 ,  C08G2261/148 ,  C08G2261/3422 ,  C08G2261/72 ,  C08G2261/91 ,  C08G2261/92 ,  C08G2261/95 ,  H01B1/04 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1606 ,  H01L31/1884 ,  H01L51/0045 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/549 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/932 ,  Y10T428/2982

摘要： 本申请提供一种石墨烯纳米带（GNR）、GNR的制备方法和GNR的用途。所述方法能够控制GNR的参数，例如长度、宽度和边缘组成（例如，边缘的官能团）。所述方法基于聚苯撑乙炔聚合物的碳碳三键在金属催化下的环加成反应。所述GNR能够用于设备中，例如微电子设备中。

公开(公告)号：CN103563080A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201280024107.9

申请日：2012-05-18

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 郭德超 ,  汉述仁 ,  K·K·H·黄 ,  袁骏

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L29/66515 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78684 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0525 ,  H01L51/0545

摘要： 一种器件及器件制造方法包括在电介质衬底中形成（202）掩埋栅电极以及对在所述掩埋栅电极之上的包括高介电常数层、基于碳的半导电层和保护层的叠层进行构图（212）。对形成在所述叠层之上的隔离电介质层进行开口（216）以在与所述叠层相邻的区域中界定凹部。蚀刻所述凹部（218）以形成腔并且去除所述高介电常数层的一部分以在所述掩埋栅电极的相反侧暴露所述基于碳的半导电层。在所述腔中沉积导电材料（224）以形成自对准的源极区和漏极区。

公开(公告)号：CN103503147A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280018940.2

申请日：2012-03-05

申请人： 国际商业机器公司

发明人： G·科恩 ,  C·D·迪米特罗普洛斯 ,  A·格里尔

IPC分类号： H01L29/15

CPC分类号： H01L29/66795 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1025 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0558

摘要： 从碳化硅（SiC）鳍或纳米线的模板提供半导体结构，所述半导体结构包括沿晶向取向的平行石墨烯纳米带或碳纳米管。首先提供SiC鳍或纳米线，然后通过退火在所述鳍或所述纳米线的暴露表面上形成石墨烯纳米带或碳纳米管。在其中形成闭合的碳纳米管的实施例中，纳米线在退火之前被悬置。所提供的石墨烯纳米带和碳纳米管的位置、取向和手征性由形成该石墨烯纳米带和碳纳米管所使用的对应碳化硅鳍和纳米线确定。