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公开(公告)号：CN102034933B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201010297157.7
申请日：2010-09-28
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L51/46 , H01L27/30 , C07D333/36 , C07D409/04 , C07D495/04 , C07D495/14 , C07D333/66 , C07D409/12 , C07D333/56 , C07D409/06 , C07D333/76
CPC classification number: H01L51/42 , B82Y10/00 , C07D333/36 , C07D333/56 , C07D333/72 , C07D409/04 , C07D409/06 , C07D409/12 , C07D495/04 , C07D495/14 , C09B3/00 , C09B23/105 , C09B57/008 , H01L27/307 , H01L51/0046 , H01L51/0053 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0068 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/4253 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及光电转换装置，光电转换装置材料，光传感器和成像装置。光电子转换装置包括导电膜，有机光电转换膜和透明导电膜，其中所述有机光电转换膜含有由下式(1)表示的化合物和n型有机半导体，式(1)中R1和R2中的每一个独立地表示被取代的芳基，未被取代的芳基，被取代的杂芳基或未被取代的杂芳基，R3至R11中的每一个独立地表示氢原子或取代基，m表示0或1，n表示0以上的整数，R1和R2，R3和R4，R3和R5，R5和R6，R6和R8，R7和R8，R7和R9，或R10和R11可以彼此结合形成环，并且当n为2以上的整数时，在多个R7和R8中，一对R7，一对R8，或一对R7和R8可以彼此结合形成环。式(1)：
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公开(公告)号：CN104919609A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201480004536.9
申请日：2014-01-23
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C08G61/10 , C08G61/12 , C08G61/122 , C08G61/123 , C08G61/124 , C08G2261/124 , C08G2261/1412 , C08G2261/148 , C08G2261/312 , C08G2261/314 , C08G2261/3142 , C08G2261/3162 , C08G2261/3241 , C08G2261/3245 , C08G2261/3246 , C08G2261/55 , H01L35/22 , H01L35/24
Abstract: 本发明涉及热电转换材料、热电转换元件以及使用其的热电发电用物品和传感器用电源。本发明的热电转换元件(1)是在基材(12)上具有第一电极(13)、热电转换层(14)和第二电极(15)的热电转换元件(1)，在该热电转换层(14)中含有纳米导电性材料、以及至少含有通式(1A)或(1B)所表示的芴结构作为重复结构的高分子；本发明的热电发电用物品和传感器用电源使用了该热电转换元件(1)；本发明的热电转换材料含有该高分子和纳米导电性材料。式中，R11和R12各自独立地表示取代基。R13和R14各自独立地表示芳香族烃环基、芳香族杂环基、烷基或烷氧基。此处，R13与R14可以相互键合而形成环。n11和n12b各自独立地表示0～3的整数，n12表示0～2的整数。La表示单键、-N(Ra)-或将选自由2价芳香族烃环基、2价芳香族杂环基以及-N(Ra)-组成的组中的基团组合而成的连接基团。Lb表示单键、2价芳香族烃环基、2价芳香族杂环基、-N(Ra)-、或者将这些基团组合而成的连接基团。此处，Ra表示取代基。Xb表示3价芳香族烃环基、3价芳香族杂环基或>N-。*表示键合位置。
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公开(公告)号：CN102460760A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080024598.8
申请日：2010-06-03
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L51/42 , H01L27/146 , H01L31/10
CPC classification number: H01L27/14632 , B82Y10/00 , H01L27/1462 , H01L27/14647 , H01L51/0047 , H01L51/005 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/0094 , H01L51/4253 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光电转换元件，其能够当将具有特定结构的化合物用于光电转换元件时起着光电转换元件的作用，使元件显示出低暗电流并且即使当热处理元件时也减小暗电流增加的范围，并且提供一种配备有该光电转换元件的成像装置。一种光电转换元件，所述光电转换元件具有光电转换膜，所述光电转换膜被夹在透明导电膜与导电膜之间，并且含有光电转换层和电子阻挡层，其中所述电子阻挡层包含具有含三个以上环结构的取代氨基作为取代基的化合物。
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公开(公告)号：CN104119265B
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201410310213.4
申请日：2010-06-03
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C07D209/86 , C07D219/02 , C07D265/38 , C07D279/26 , C07D279/28 , C07D401/14 , C07D405/14 , C07D223/22 , C07D417/14 , C07D413/14 , C07D409/14 , C07F7/10
CPC classification number: H01L27/14632 , B82Y10/00 , H01L27/1462 , H01L27/14647 , H01L51/0047 , H01L51/005 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/0094 , H01L51/4253 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光电转换元件，其能够当将具有特定结构的化合物用于光电转换元件时起着光电转换元件的作用，使元件显示出低暗电流并且即使当热处理元件时也减小暗电流增加的范围，并且提供一种配备有该光电转换元件的成像装置。一种光电转换元件，所述光电转换元件具有光电转换膜，所述光电转换膜被夹在透明导电膜与导电膜之间，并且含有光电转换层和电子阻挡层，其中所述电子阻挡层包含具有含三个以上环结构的取代氨基作为取代基的化合物。
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公开(公告)号：CN104937734A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201480005086.5
申请日：2014-03-19
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C08K3/04 , C08G2261/124 , C08G2261/1424 , C08G2261/3142 , C08G2261/3223 , C08G2261/3246 , C08G2261/344 , C08G2261/55 , C08G2261/794 , C08K3/08 , C08K2201/001 , C08K2201/011 , C08L65/00 , C08L101/00 , H01L35/20 , H01L35/24 , H01L37/00
Abstract: 本发明涉及一种热电转换元件，其为在基材上具有第1电极、热电转换层和第2电极的热电转换元件，其中，热电转换层含有纳米导电性材料、和具有稠多环结构的低分子共轭化合物，该稠多环结构是选自由芳香族烃环和芳香族杂环组成的组中的至少3环稠合而成的；本发明还涉及使用了热电转换元件的热电发电用物品和传感器用电源、以及含有纳米导电性材料和低分子共轭化合物的热电转换材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104119265A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410310213.4
申请日：2010-06-03
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C07D209/86 , C07D219/02 , C07D265/38 , C07D279/26 , C07D279/28 , C07D401/14 , C07D405/14 , C07D223/22 , C07D417/14 , C07D413/14 , C07D409/14 , C07F7/10
CPC classification number: H01L27/14632 , B82Y10/00 , H01L27/1462 , H01L27/14647 , H01L51/0047 , H01L51/005 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/0094 , H01L51/4253 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , C07D209/86 , C07D219/02 , C07D223/22 , C07D265/38 , C07D279/26 , C07D279/28 , C07D401/14 , C07D405/14 , C07D409/14 , C07D413/14 , C07D417/14 , C07F7/0816
Abstract: 本发明提供一种光电转换元件，其能够当将具有特定结构的化合物用于光电转换元件时起着光电转换元件的作用，使元件显示出低暗电流并且即使当热处理元件时也减小暗电流增加的范围，并且提供一种配备有该光电转换元件的成像装置。一种光电转换元件，所述光电转换元件具有光电转换膜，所述光电转换膜被夹在透明导电膜与导电膜之间，并且含有光电转换层和电子阻挡层，其中所述电子阻挡层包含具有含三个以上环结构的取代氨基作为取代基的化合物。
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公开(公告)号：CN101908597B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201010196428.X
申请日：2010-06-03
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L51/0072 , B82Y10/00 , H01L51/0046 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/4246 , H01L51/4253 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，其包括：透明导电膜；光电转换膜；和导电膜，其中所述的光电转换膜含有由下式(i)表示的化合物，其中R2至R9中的每一个独立地表示氢原子或取代基，条件是R3，R4，R7和R8中的至少两个中的每一个独立地表示芳基，杂环基或-N(Ra)(Rb)，Ra和Rb中的每一个独立地表示氢原子或取代基，并且至少Ra或Rb表示芳基或杂环基；并且R1表示烷基，芳基或杂环基。
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公开(公告)号：CN102034933A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010297157.7
申请日：2010-09-28
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L51/46 , H01L27/30 , C07D333/36 , C07D409/04 , C07D495/04 , C07D495/14 , C07D333/66 , C07D409/12 , C07D333/56 , C07D409/06 , C07D333/76
CPC classification number: H01L51/42 , B82Y10/00 , C07D333/36 , C07D333/56 , C07D333/72 , C07D409/04 , C07D409/06 , C07D409/12 , C07D495/04 , C07D495/14 , C09B3/00 , C09B23/105 , C09B57/008 , H01L27/307 , H01L51/0046 , H01L51/0053 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0068 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/4253 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及光电转换装置，光电转换装置材料，光传感器和成像装置。光电子转换装置包括导电膜，有机光电转换膜和透明导电膜，其中所述有机光电转换膜含有由下式(1)表示的化合物和n型有机半导体，式(1)中R1和R2中的每一个独立地表示被取代的芳基，未被取代的芳基，被取代的杂芳基或未被取代的杂芳基，R3至R11中的每一个独立地表示氢原子或取代基，m表示0或1，n表示0以上的整数，R1和R2，R3和R4，R3和R5，R5和R6，R6和R8，R7和R8，R7和R9，或R10和R11可以彼此结合形成环，并且当n为2以上的整数时，在多个R7和R8中，一对R7，一对R8，或一对R7和R8可以彼此结合形成环。
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公开(公告)号：CN106165105B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201580015681.1
申请日：2015-03-26
Applicant: 富士胶片株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: C07D495/14 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0074 , C07D495/14 , C09B57/00 , C09D5/24 , H01L51/0007 , H01L51/0558 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种非发光性有机半导体器件用涂布液，其含有通式(2)表示的化合物和沸点为100℃以上的溶剂(通式(2)中，R11和R12各自独立地表示氢原子、烷基、烯基、炔基或烷氧基，也可以具有取代基，通式(2)中的芳香族部分可以取代有卤原子)，该涂布液的载流子迁移率高。本发明提供有机晶体管、化合物、非发光性有机半导体器件用有机半导体材料、有机晶体管用材料、有机晶体管的制造方法和有机半导体膜的制造方法。
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公开(公告)号：CN105103316B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201480018506.3
申请日：2014-03-14
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L35/24 , C08G61/12 , C08G61/124 , C08G61/126 , C08G2261/11 , C08G2261/124 , C08G2261/1412 , C08G2261/1424 , C08G2261/1426 , C08G2261/1428 , C08G2261/148 , C08G2261/228 , C08G2261/312 , C08G2261/3142 , C08G2261/3162 , C08G2261/3221 , C08G2261/3223 , C08G2261/3243 , C08G2261/3244 , C08G2261/55 , H01L35/14 , H01L35/20 , H01L35/32
Abstract: 本发明涉及热电转换元件(1)、使用了该热电转换元件(1)的热电发电用物品和传感器用电源，所述热电转换元件(1)在基材(12)上具有第1电极(13)、热电转换层(14)和第2电极(15)，该热电转换层(14)含有纳米导电性材料和低能带隙材料；以及涉及一种含有该纳米导电性材料和该低能带隙材料的热电转换材料。
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