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公开(公告)号：CN117247276A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311244553.7
申请日：2023-09-25
申请人： 山东大学
IPC分类号： C04B35/50 , C04B35/447 , C04B35/626
摘要： 本发明属于热防护陶瓷材料的制备技术领域，具体涉及一种共沉淀法合成粉体制备正磷酸盐热障涂层陶瓷材料的方法。正磷酸盐的化学通式为REM3P3O12，RE为稀土元素，M为碱土金属。本发明中将含RE稀土的盐和含碱土金属M的盐溶解得到混合溶液，将磷酸盐溶解得到含P并加入氨水以调节pH；将混合溶液滴加到含P溶液中并不断搅拌，经陈化、过滤和洗涤得到REM3P3O12前驱体沉淀物，进一步烘干后煅烧得到REM3P3O12粉体。REM3P3O12粉体研磨过筛后，压制成型得到坯体；将坯体煅烧得到正磷酸盐热障涂层陶瓷材料。本发明获得粉体粒径小且分布均匀，且合成温度相对较低。此外，合成过程中主要以常见的无机盐试剂为主，操作简单，能耗小。
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公开(公告)号：CN116022777A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310071729.7
申请日：2023-01-16
申请人： 山东大学
IPC分类号： C01B32/186 , C01B32/194
摘要： 本发明属于二维材料制备领域，具体涉及一种易剥离近自由态石墨烯及其制备方法和应用。本发明首先通过控制工艺选择性制备具有不同指数面的金属衬底，并以此为衬底经过化学气相沉积生长石墨烯薄膜，生长完成后进行后处理，通过调控后处理的反应温度和时间，在石墨烯与金属衬底界面处发生反应，于界面处形成钝化层，从而直接削弱石墨烯与金属衬底之间的强相互作用，实现石墨烯在金属衬底上的解耦，得到易剥离近自由态石墨烯。本发明通过设计并调整生长工艺和后处理过程，在不引入其他杂质的前提下，显著降低了石墨烯与衬底之间的相互作用，直接制备得到易剥离近自由态石墨烯，剥离转移后的石墨烯能够广泛应用在半导体电子器件及能源转化领域。
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公开(公告)号：CN115124016A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210535488.2
申请日：2022-05-17
申请人： 山东大学
摘要： 本发明涉及一种稀土磷酸盐晶体的压电切型及其在高温传感领域中的应用，所述稀土磷酸盐晶体的压电切型兼具高压电活性和低串扰响应特征，同时具有良好的温度稳定性，有利于提高压电传感器件的灵敏度。本发明的压电加速度传感器在25‑650℃温度范围内实现了较为稳定的信号输出，在压电传感技术领域具有明朗的应用前景。本发明所提出的具有最优切变振动模态晶体切型，加工方法简单，只需绕X轴旋转一次即可直接加工出最优晶体切型，样品制备简便。
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公开(公告)号：CN109573991B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201811625245.8
申请日：2018-12-28
申请人： 山东大学
IPC分类号： C01B32/186 , C01B32/194
摘要： 本发明涉及一种利用复合金属模板制备阵点厚度不同石墨烯阵列的方法，该方法用掩模版在铜箔上镀金属镍阵列(或在镍箔上镀金属铜阵列)，然后高温加热使其表面变成铜镍合金阵列，然后在CVD工艺的生长温度下，通入碳源，降温时在复合金属薄膜表面生长出石墨烯阵列，利用复合金属薄膜来控制不同区域石墨烯的层数，制备出高品质的中间厚边缘薄石墨烯阵列或中间薄边缘厚的石墨烯阵列，解决了现有方法得到石墨烯阵列每个阵点厚度均匀的问题，满足了加速度传感器、压力传感器等应用对石墨烯的特殊需要，能够得到高质量的石墨烯阵列。
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公开(公告)号：CN112830479A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110210910.2
申请日：2021-02-25
申请人： 山东大学
IPC分类号： C01B32/19
摘要： 本发明涉及一种利用硫束流解耦技术制备易剥离近自由态石墨烯的方法，本发明的方法在传统CVD制备石墨烯方法的基础上，采用双温区CVD管式炉进行，在管式炉的低温区放置硫源使硫蒸发以提供硫束流，通过控制反应温度和反应时间，使高温区的石墨烯和金属界面形成硫化层，硫化层的形成削弱了石墨烯与衬底的耦合作用，实现了石墨烯在金属衬底上的解耦，使石墨烯很容易从衬底上剥离，从而制备得到近自由态的高质量石墨烯。
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公开(公告)号：CN109338473A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811197979.0
申请日：2018-10-15
申请人： 山东大学
摘要： 本发明涉及一种硅酸钛钡压电晶体切型，所述的硅酸钛钡压电晶体切型为任意沿偏离Z轴θ角切割即可获得具有较高压电常数和线性的热膨胀系数的切型，记为(θ，ψ)，其中45°≤θ≤50°，-180°≤ψ≤180°。该切型在室温到500℃范围内，线性热膨胀系数为8.0-8.2ppm/℃，有效压电常数d*33为>8.5pC/N且在室温到500℃范围变化率低于13％。本发明不仅克服了硅酸钛钡晶体应用中热膨胀的不匹配问题，而且提高了压电性能的温度稳定性，特别适合研制成宽温度范围内使用的压电传感器件。
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公开(公告)号：CN106517165B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201610975637.1
申请日：2016-11-07
申请人： 山东大学 , 山东本源晶体科技有限公司
IPC分类号： C01B32/188 , C01B32/186
摘要： 本发明涉及一种在6H/4H‑SiC硅面上用金属辅助内外碳源结合法生长石墨烯的方法，该方法通过高温加热将SiC晶片表面的Si‑C键部分裂解，然后急剧降温至CVD工艺的生长温度，通过金属通道引入外部碳源并在SiC表面继续生长石墨烯，利用SiC内部碳源和外部气体碳源的协同作用制备大尺寸高品质石墨烯单晶。不仅可以避免CVD方法转移过程中对石墨烯的破坏而且减弱了衬底缓冲层的影响，能够得到质量更好的石墨烯。
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公开(公告)号：CN107244666A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710399638.0
申请日：2017-05-31
申请人： 山东大学
IPC分类号： C01B32/188
摘要： 本发明涉及一种以六方氮化硼为点籽晶在衬底上生长大尺寸石墨烯晶畴的方法，该方法以氮化硼作为点籽晶生长石墨烯，有利于与石墨烯形成异质结，石墨烯沿着氮化硼籽晶的外沿继续原位生长，控制六方氮化硼溶液的浓度，确保石墨烯的成核密度，避免了传统CVD工艺在衬底上生长石墨烯非相关成核点的自重构，显著提高了石墨烯生长质量。
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公开(公告)号：CN106517165A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610975637.1
申请日：2016-11-07
申请人： 山东大学 , 山东本源晶体科技有限公司
IPC分类号： C01B32/188 , C01B32/186
CPC分类号： C01B2204/04 , C01P2002/82 , C01P2004/04
摘要： 本发明涉及一种在6H/4H-SiC硅面上用金属辅助内外碳源结合法生长石墨烯的方法，该方法通过高温加热将SiC晶片表面的Si-C键部分裂解，然后急剧降温至CVD工艺的生长温度，通过金属通道引入外部碳源并在SiC表面继续生长石墨烯，利用SiC内部碳源和外部气体碳源的协同作用制备大尺寸高品质石墨烯单晶。不仅可以避免CVD方法转移过程中对石墨烯的破坏而且减弱了衬底缓冲层的影响，能够得到质量更好的石墨烯。
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公开(公告)号：CN104018225A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410258793.7
申请日：2014-06-11
申请人： 山东大学
摘要： 本发明涉及一种掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体，包括由化学式A3BGa3Si2O14系列晶体，其中，A为Ca或Sr，所述B为Nb或Ta；根据上述记载，掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体包括：Nd:Ca3TaGa3Si2O14、Nd:Sr3TaGa3Si2O14、Nd:Sr3NbGa3Si2O14和Nd:Ca3NbGa3Si2O14，该四种晶体均能实现自倍频。本发明还提供一种上述掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体的制备方法。本发明还提供一种上述掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体的应用，采用商用的中心波长为808nm的半导体激光器泵浦(LD),利用掺钕A3BGa3Si2O14(A＝Ca,Sr；B＝Nb,Ta)系列晶体其增益介质及非线性光学的性能，获得输出波长533nm的绿光自倍频激光，该激光器具有转化效率高、结构紧凑、小型化、可靠性高、寿命长等优点。
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