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公开(公告)号：CN115781946B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202211507374.3
申请日：2022-11-29
申请人： 山东大学
摘要： 本发明属于压电晶体应用技术领域，具体涉及一种铌酸锂晶体的压缩式高温压电敏感切型及制备与应用。本发明提供了一种铌酸锂晶体的压缩式高温压电敏感切型，切型为YXl/θ，200°≤θ≤250°。本发明针对铌酸锂晶体纵向伸缩振动模式d22，设计了适用于宽温域范围内压电性能优异且温度稳定性高的切型；对于同成分铌酸锂晶体，在室温至600℃范围内，有效压电常数d’22的绝对值大于23pC/N，d’22随温度的变化率均小于17％；对于近化学计量比铌酸锂晶体，在室温至700℃范围内，该切型有效压电常数d’22的绝对值均大于24pC/N，d’22随温度的变化率均小于16％，表明本发明的铌酸锂晶体的压缩式高温压电敏感切型适合高温压电传感器件的研制。
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公开(公告)号：CN117661121A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311599203.2
申请日：2023-11-27
申请人： 山东大学
摘要： 本发明公开了一种硅酸铋晶体压电切型及其应用，本发明提供的硅酸铋晶体压电切型具有高压电活性和低串扰响应的优势，同时具有良好的温度稳定性，在25～650℃温度范围内实现了稳定的信号输出，有利于提高压电传感器件的灵敏度和服役温度，在压电传感技术领域具有明朗的应用前景。本发明提供的硅酸铋晶体压电切型的加工方法简单，特别是厚度切变振动模态晶体切型，只需绕Y轴或Z轴旋转一次即可直接加工出最优晶体切型，样品制备简便。
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公开(公告)号：CN113007195A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110397826.6
申请日：2021-04-14
申请人： 山东大学
摘要： 本发明涉及一种连接件，尤其是基于压电薄膜的在线监测、离线诊断、离线快速装载的智能螺栓及螺栓阵列。一种高温多模式永久禁固型智能螺栓，包括螺栓和预紧力监控装置，所述螺栓上设有压电传感器；所述的压电传感器从上到下依次为金属电极层、保护层和压电层；所述的压电层为掺杂有居里温度高的微粒的锆钛酸铅基复合薄膜。本发明高温多模式永久禁固型智能螺栓及螺栓阵列，通过实时监测装载螺栓准确的预紧力，离线快速装载，离线诊断获取编辑存储预紧力值，达到精确控制螺栓预紧力，快速装载目的。由于压电复合薄膜中加入居里温度高的微粒如钛酸铋微粒，使螺栓能够在高温环境下工作。压电复合薄膜通过溶胶凝胶法喷涂或旋涂制备，通过多次喷涂和旋涂的方式实现一定范围内的薄膜厚度控制，避免了耦合剂的使用。
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公开(公告)号：CN109338473B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201811197979.0
申请日：2018-10-15
申请人： 山东大学
摘要： 本发明涉及一种硅酸钛钡压电晶体切型，所述的硅酸钛钡压电晶体切型为任意沿偏离Z轴θ角切割即可获得具有较高压电常数和线性的热膨胀系数的切型，记为(θ，ψ)，其中45°≤θ≤50°，‑180°≤ψ≤180°。该切型在室温到500℃范围内，线性热膨胀系数为8.0‑8.2ppm/℃，有效压电常数d*33为>8.5pC/N且在室温到500℃范围变化率低于13％。本发明不仅克服了硅酸钛钡晶体应用中热膨胀的不匹配问题，而且提高了压电性能的温度稳定性，特别适合研制成宽温度范围内使用的压电传感器件。
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公开(公告)号：CN106768289B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201611236683.6
申请日：2016-12-28
申请人： 山东大学 , 山东本源晶体科技有限公司
IPC分类号： G01H11/08 , H01L41/18 , H01L41/047 , H01L41/053
摘要： 本发明涉及一种高温压电振动传感器，包括：底座；外壳，底座上连接外壳，形成压电振动传感器的密封内腔；固定在底座上的陶瓷棒；依次套放在陶瓷棒上的多片压电晶片、金属块、绝缘片、穿有高温引线的预紧件；两路电极线，放置在压电晶片之间；压电晶片为(XYw/45°)切YGdCOB晶片。(XYw/45°)切YGdCOB晶片的有效压电常数为～5pC/N，室温到1000℃范围，压电常数变化率低于5％，加工平整度误差小于0.02mm，具有特别优异的高温压电性能及温度稳定性，使得压电振动传感器耐高温高达600℃以上。
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公开(公告)号：CN106637393A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610975425.3
申请日：2016-11-07
申请人： 山东大学 , 山东本源晶体科技有限公司
CPC分类号： C30B25/186 , C30B29/02
摘要： 本发明涉及一种利用金属辅助在6H/4H‑SiC碳面上外延生长石墨烯的方法，该方法通过高温加热将SiC晶片表面的Si‑C键部分裂解，生成极少量的以C原子为中心的成核位点，在到达成核点温度后，以金属薄膜为催化剂吸收多余的C原子，促进实现SiC晶片自身内部碳源处于合适的浓度，生长出质量优异的石墨烯，该方法不仅可以避免CVD方法转移过程中对石墨烯的破坏而且解决了在碳面上生长石墨烯的层数很难控制的问题，能够得到质量更好的石墨烯。
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公开(公告)号：CN104695012B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510128458.X
申请日：2015-03-24
申请人： 山东大学
摘要： 本发明涉及一种制备大尺寸高质量石墨烯单晶的装置及方法。该装置包括：壳体和顶盖，顶盖内设带布气管的气体喷头，使进入的高纯气体均匀分布进入反应腔体；反应腔体由密封石英管、插接在两段密封石英管中间的石墨发热体、放置在石墨发热体内部的石墨坩埚组成，石墨坩埚用于放置SiC晶片衬底；石墨发热体外有冷却水系统、中频线圈；壳体底部有出气口。本发明还提供利用该装置在SiC衬底上制备大尺寸高质量石墨烯单晶的方法。采用本装置及生长方法，在SiC衬底上制得高质量的石墨烯晶体，其迁移率比SiC高温热解方法制备的石墨烯提高近1～2个数量级。
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公开(公告)号：CN1563510A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410024017.7
申请日：2004-04-14
申请人： 山东大学
摘要： 高稳定电光Q开关铌酸锂晶体，属于晶体材料技术领域。原料摩尔比为[Li2CO3]/[Nb2O5]＝48～58∶42～50，可掺杂钙、钡、锶、锌、铟、铁、钴、铜、锰、铈、镱、铬、钕或铒的氧化物中的一种或几种，在熔融状态下，利用提拉法生长。本发明的铌酸锂晶体所制作的电光Q开关具有良好的温度稳定性，即在环境温度－40℃和50℃的条件下及温度变化情况下，晶体的椭圆度系数、对比度系数及电光系数均不发生明显变化，在－40℃～50℃的温度区间均能实现稳定开关。本发明的方法易于得到大块优质单晶体。
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公开(公告)号：CN113024244B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202110314700.8
申请日：2021-03-24
申请人： 山东大学
IPC分类号： C04B35/447 , C04B35/50 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及一种高热膨胀系数正磷酸盐热障涂层材料及其制备方法，本发明首次采用高温固相反应法制备出具有硅铋石结构的ReM3P3O12系列陶瓷。该ReM3P3O12陶瓷属于立方晶系‑43m点群，不仅具有较高的熔点和优异的高温相稳定性，同时具有较低的热导率和合适的热膨胀系数，可以有效地缓解由于基体材料与陶瓷层热膨胀系数不匹配产生的应力，以满足长期服役的热端部件的隔热与抗高温氧化腐蚀的需求，在热障涂层领域具有应用前景。
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公开(公告)号：CN110067024B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201910517509.6
申请日：2019-06-14
申请人： 山东大学
摘要： 本发明涉及光电功能晶体M3RE(PO4)3及其制备方法。所述M3RE(PO4)3晶体为非中心对称结构，属于立方晶系‑43m点群，其中，M＝Ba、Ca或Sr，RE＝Y、La或Gd。所述M3RE(PO4)3晶体生长方法包括(1)多晶料合成，采用化学计量比的MCO3、RE2O3和含磷化合物并使含磷化合物过量，将原料进行两次烧结，得到M3RE(PO4)3多晶料；(2)多晶料熔化，(3)提拉法晶体生长。本发明制备的M3RE(PO4)3晶体是高品质单晶，不仅具有较高的光学透过率和较宽的吸收边，而且从室温到熔点无相变，不潮解，具有压电活性和非线性变频特性。
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