一种紫外发光二极管及其制作方法

    公开(公告)号:CN109449267B

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN201811277372.3

    申请日:2018-10-30

    IPC分类号: H01L33/32 H01L33/00

    摘要: 本发明公开了一种紫外发光二极管,包括蓝宝石衬底与GaN缓冲层,所述紫外发光二极管包括GaN纳米线层与GaN纳米线融合层;所述GaN纳米线层设置在所述紫外发光二极管的蓝宝石衬底表面;所述GaN纳米线层包括GaN纳米线,所述GaN纳米线的两端分别连接所述GaN纳米线融合层和所述蓝宝石衬底,实现所述GaN纳米线融合层与所述蓝宝石衬底间的电连接;所述GaN纳米线融合层设置在所述GaN纳米线层与所述紫外发光二极管的GaN缓冲层之间。本发明通过将传统的GaN层替换成GaN纳米线层,减少了GaN材料与衬底的接触面积,同时也就减少了接触面间的缺陷和位错,提升了内量子效率,进而提高了元件效率。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的紫外发光二极管的制作方法。

    一种Micro LED驱动电路及方法

    公开(公告)号:CN109640457A

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201910048573.4

    申请日:2019-01-18

    IPC分类号: H05B33/08 G09G3/32

    CPC分类号: H05B33/0845 G09G3/32

    摘要: 本发明公开了一种Micro LED驱动电路,包括:中央处理器及三路分支恒流电路;所述中央处理器,用于接收驱动指令并根据所述驱动指令分别输出对应的模拟控制信号至各所述分支恒流电路;以及接收各所述分支恒流电路返回的反馈电流并根据所述反馈电流调整所述模拟控制信号;各所述分支恒流电路,用于根据所述模拟控制信号输出对应的驱动电流至对应的发光二极管并返回对应的所述反馈电流至所述中央处理器;该Micro LED驱动电路可有效提高Micro LED的亮度均匀性与稳定性。本发明还公开了一种Micro LED驱动方法,同样具有上述技术效果。

    一种灯光控制方法、装置、设备及计算机可读存储介质

    公开(公告)号:CN109618475A

    公开(公告)日:2019-04-12

    申请号:CN201811494855.9

    申请日:2018-12-07

    IPC分类号: H05B37/02

    摘要: 本申请公开了一种灯光控制方法,通过检测预设区域内人员的活动轨迹;根据所述活动轨迹,输出控制信号至灯光开关,以控制所述预设区域内灯光的亮起或熄灭。本申请中检测预设区域内人员的活动轨迹,然后根据活动轨迹,输出控制信号至灯光开关,控制所述预设区域内灯光的亮起或熄灭,不需要在预设区域内的人员发出响声,只要检测到人员的活动轨迹便可以控制预设区域内灯光的亮起或者熄灭,控制更加智能化,非常适用于家居照明。此外,本申请还提供了一种具有上述优点的灯光控制装置、设备以及计算机可读存储介质。

    一种发光二极管及其制作方法

    公开(公告)号:CN109449263A

    公开(公告)日:2019-03-08

    申请号:CN201811278385.2

    申请日:2018-10-30

    IPC分类号: H01L33/02 H01L33/00

    CPC分类号: H01L33/02 H01L33/007

    摘要: 本发明公开了一种发光二极管,从蓝宝石衬底向外依次为成核层、粗糙层、第一本征半导体层、第一N型GaN层、量子阱结构、第二本征半导体层、P型GaN层及导电层,所述发光二极管包括第二N型GaN层;所述第二N型GaN层设置于所述P型GaN层与所述导电层之间。本发明通过在现有技术中的发光二极管的P型GaN层与导电层之间设置第二N型GaN层,避免了P层GaN与导电层的直接接触,改用N型GaN与导电层接触,而N型GaN极易与导电层实现欧姆接触,因此,第二N型GaN层与P型GaN层之间的电阻也小到可忽略不计,因此,对比现有技术,本发明提供的发光二极管的内量子效率大大提升,元件的工作效率也得到提高。本发明同时还停工了一种具有上述有益效果的发光二极管的制作方法。

    一种LED节能结构和一种LED节能灯
    35.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108506860A

    公开(公告)日:2018-09-07

    申请号:CN201810392384.4

    申请日:2018-04-27

    摘要: 本发明公开了一种LED节能结构和一种设置有该LED节能结构的LED节能灯。该LED节能结构包括LED芯片和温差发电片,以及与温差发电片连接的蓄电池。温差发电片的发电片热端相对靠近LED芯片,温差发电片的发电片冷端相对远离LED芯片。工作时,LED芯片散发出大量热能,此时,靠近LED芯片布置的发电片热端温度较高,远离LED芯片布置的发电片冷端温度较低,从而,LED芯片散发出的热能直接为温差发电片提供发电热源,从而令LED芯片散发出的热能转换为电能储存到蓄电池内,当用户突遭停电等特殊情况时,蓄电池可作为供电电源。可见,本发明能够减少能源浪费,提高能源利用率。

    一种带有温差发电片的节能LED装置

    公开(公告)号:CN108443817A

    公开(公告)日:2018-08-24

    申请号:CN201810462237.X

    申请日:2018-05-15

    摘要: 本发明公开了一种带有温差发电片的节能LED装置,包括驱动电源,LED芯片,基板,基板一侧连接有LED芯片;还包括蓄电池和温差发电片,温差发电片连接于基板另一侧并用以将LED产生的热能转化为电能储存于蓄电池;还包括与驱动电源和蓄电池连接的控制模块,控制模块用以控制驱动电源与蓄电池;在停电状态下,控制模块控制蓄电池供电;在供电状态下,当蓄电池储存的电能达到预设上限时,控制模块控制蓄电池供电;当蓄电池储存的电能低于预设下限时,控制模块控制驱动电源供电。通过此带有温差发电片的节能LED装置将散发的热能再利用,使LED的使用寿命得到有效的提高,并且使得生产成本得到进一步的降低。

    一种可供家用的LED智能调光调色系统及方法

    公开(公告)号:CN108112139A

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:CN201810102308.5

    申请日:2018-02-01

    IPC分类号: H05B33/08

    摘要: 本发明公开了一种可供家用的LED智能调光调色系统及方法,通过主控制器与驱动器之间通信连接,驱动器与LED灯电连接,通过APP终端作为用户操作端,路由器与主控制器之间相互通信,使得用户可移动化、实时、简单方便的参与系统对家居LED灯的调节控制;同时,照度计与主控制器之间电连接,通过照度计实时的将LED灯的状态信息传送至主控制器,使得主控制器自适应调节控制信息,实现了LED灯的灯光精准性。解决了现有的家居灯光控制系统灯光调节精确率低、实时性差的技术问题。

    一种游泳池安全监控系统
    38.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107967788A

    公开(公告)日:2018-04-27

    申请号:CN201711396420.6

    申请日:2017-12-21

    发明人: 何苗 王润 熊德平

    IPC分类号: G08B21/08

    CPC分类号: G08B21/088

    摘要: 本发明实施例公开了一种游泳池安全监控系统包括用于发射信号的发送设备、用于接收信号的第一接收设备、用于接收信号的第二接收设备和角度可调的LED聚光灯;设备之间具有通信连接;发送设备可拆卸的固定于游泳者的手腕上;第一接收设备设置于游泳池侧壁的第一位置;第二接收设备设置于游泳池侧壁的第二位置,与第一接收设备相距预设距离,这两个接收设备可以分别计算出其与发送设备之间的距离;第一接收设备与LED聚光灯连接,可以依据这些距离计算出发送设备的目标位置,并控制LED聚光灯向目标位置投射光束。通过将光束照射在溺水者身上,可以便于救援人员及时发现出现溺水者,并快速确定溺水者所在的位置,及时实施救助。

    一种倒装HV‑LED光源及其制备方法

    公开(公告)号:CN107195762A

    公开(公告)日:2017-09-22

    申请号:CN201710565522.X

    申请日:2017-07-12

    IPC分类号: H01L33/52 H01L33/60 H01L33/00

    摘要: 本申请公开了一种倒装HV‑LED光源及其制备方法,其中,所述倒装HV‑LED光源的反射膜和金属层共同构成了所述倒装HV‑LED光源中的HV‑LED芯片的反光面,提升了HV‑LED芯片的光源利用率,从而提升了所述倒装HV‑LED光源的出光效率;另外,所述倒装HV‑LED光源中的封装层与所述基板表面所成角度为预设角度,为所述HV‑LED芯片提供了一个反光杯结构,使得所述HV‑LED芯片的出射光线在其出射光路上能够被该反光杯结构反射向所述倒装HV‑LED光源的出光面,从而进一步增强所述倒装HV‑LED芯片的出光效率。

    一种易封装易散热倒装高压LED芯片

    公开(公告)号:CN106981550A

    公开(公告)日:2017-07-25

    申请号:CN201710197858.5

    申请日:2017-03-29

    摘要: 本发明提出了一种易封装、易散热的倒装高压LED芯片及其制作方法,包含蓝宝石衬底、外延层、p和n电极、封装基板,对这种结构芯片进行倒装封装时,能够避免芯片电极过小和基板电路焊点过密所造成的对准难问题,使封装更容易实现;此外,各子芯片都做成窄长条形,既有利于电流的均匀分布,又有利于各子芯片的散热,各子芯片的p电极外面有绝缘层包覆,在倒装封装时可使各子芯片与基板紧密接触,避免形成空气间隙,使整个芯片的散热更快。在制作芯片时,对金属薄膜的外绝缘层刻蚀,只需要把第一子芯片的p电极和第N子芯片的n电极部分暴露出即可,这些使得高压芯片制作更简单。