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公开(公告)号：CN109637766B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201811568487.8
申请日：2018-12-21
申请人： 广州天极电子科技有限公司
IPC分类号： H01C17/24
摘要： 本发明公开了一种氮化钽薄膜电阻器阻值的调整方法。所述调整方法包括：将氮化钽薄膜电阻器设于原子注入设备的工件放置区内；将原子注入设备的内部做真空处理，当真空压强达到第一真空压强阈值范围内时充入高于氩气纯度阈值的氩气，并保持原子注入设备的内部真空压强在第二真空压强阈值范围内；开启原子注入设备，氩气在电场被电离得到氩离子；在电场加速氩离子移动速率的情况下，氩离子加速撞击金属靶，得到脱离后的金属原子；在电场作用下，脱离后的金属原子持续注入到氮化钽薄膜电阻器的氮化钽薄膜上，以降低氮化钽薄膜电阻器的阻值。采用本发明所提供的调整方法能够实现氮化钽薄膜电阻器阻值由大到小的调整，降低氮化钽薄膜电阻器的电阻。
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公开(公告)号：CN110335730A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910383849.4
申请日：2019-05-09
申请人： 广州天极电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及电阻元件技术领域，尤其涉及一种薄膜电阻器及其制备方法。本发明提供的薄膜电阻器，包括基板、薄膜电阻层和电极层；所述薄膜电阻层包括NbN薄膜层和TaN薄膜层；所述NbN薄膜层与基板接触，所述TaN薄膜层与电极层接触。本发明所述的薄膜电阻层通过将NbN薄膜和TaN薄膜复合，可以显著提高氮化钽电阻材料的功率密度；根据实施例的记载，本发明所述的薄膜电阻器的功率密度可达到12.2～17.6W/mm2，较TaN薄膜单独作为电阻材料层时的功率密度提高了50～120％。
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公开(公告)号：CN109637809A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811570188.8
申请日：2018-12-21
申请人： 广州天极电子科技有限公司
摘要： 本发明公开一种陶瓷储能电容器及其制备方法。通过在陶瓷基片两面各包覆一层极薄的氧化物介质薄膜，在制备出的陶瓷储能电容器厚度较薄的情况下还能够保持电容器的电容量基本不变；本发明采用的氧化物介质薄膜的导热性比高分子材料导热性好，能够降低储能电容器重复使用过程中的热量积累，同时氧化物介质薄膜能适应更高的温度，降低了对使用环境的温度要求。此外，采用本发明方法制备出来的氧化物介质薄膜较致密，起到阻挡作用，能很好地解决储能电容器在重复循环使用过程中，电容器自身漏电流逐渐增大的问题，从而减小储能电容器在充放电循环过程中自身的漏电流变化，在能量释放过程中，维持相同的峰值电流。
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公开(公告)号：CN107516599B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201710707116.2
申请日：2017-08-17
申请人： 广州天极电子科技有限公司
摘要： 本发明公开一种三维结构陶瓷电容器的制备方法及电容器。所述方法包括以下步骤：将半导体陶瓷粉末流延膜通过热压成型为生坯片；在所述生坯片上冲出通孔；把未冲孔的所述生坯片和冲孔后的所述生坯片叠放在一起，分别通过热压和静水压形成成型坯片；将所述成型坯片放入还原气氛中烧结，得到半导化陶瓷片；对所述半导化陶瓷片进行表面氧化；将表面氧化后所述半导化陶瓷片未冲孔的一面研磨，去除表面氧化绝缘层；对研磨后的所述半导化陶瓷片两面进行金属化，得到三维结构表面层型半导体陶瓷电容器。采用本发明的方法或电容器，可以极大地增大电容器容量。
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公开(公告)号：CN103924281B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201410173140.9
申请日：2014-04-26
申请人： 广州天极电子科技有限公司
IPC分类号： C25D13/12
摘要： 本发明公开了一种以导电陶瓷为基底电泳制备功能薄膜的方法，包括：步骤1：提供物质A和物质B；步骤2：将物质A加入物质B中，形成溶液或悬浮液；步骤3：根据需要再加入物质C形成混合液；步骤4：连接好电泳装置和稳压电源进行电泳；步骤5：对电泳后的导电陶瓷进行风干或烘干处理即可获得功能薄膜。本发明以导电陶瓷为基底作为电泳的电极，不仅为电泳形成的功能薄膜提供了刚性基体，而且可与功能薄膜一起在高温下进行热处理，避免使用价格昂贵的铂等贵金属电极，降低了生产成本，且制得的功能薄膜品质优良。
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公开(公告)号：CN103325507B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201310250721.3
申请日：2013-06-21
申请人： 广州天极电子科技有限公司
摘要： 本发明提供一种高稳定性的薄膜电阻器及其制造方法，其中，薄膜电阻器由基板，附着于基板上表面的薄膜电阻层，附着于基板下表面的下电极，以及附着于薄膜电阻层上表面的上电极组成。其方法是通过对电阻器的电阻温度系数进行特殊的控制，从而大幅降低电阻温度系数的薄膜电阻器。本发明解决现有薄膜电阻器稳定性比较差，不能满足高稳定性的要求的技术问题。本发明具有精度高、频率高，以及体积小等优点。
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公开(公告)号：CN103601488B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201310643754.4
申请日：2013-12-03
申请人： 广州天极电子科技有限公司
IPC分类号： H01G4/12 , C04B35/47 , C04B35/50 , C04B35/622 , C04B41/85
摘要： 本发明中，在陶瓷粉体A中加入陶瓷粉体B，陶瓷粉体B的质量与陶瓷粉体A的质量比大于0小于等于0.30，二者混合并超细磨制得均匀的陶瓷粉体C，陶瓷粉体C干燥后过筛，在得到的粉体中加入PVA，经流延成型工艺得到陶瓷生坯，陶瓷生坯排胶后在NH3中或N2和H2组成的混合气体中在1100~1400℃的温度范围内进行烧结，形成陶瓷介质D，在陶瓷介质D表面被覆氧化剂层得到陶瓷介质E，陶瓷介质E置于热等静压烧结炉内，经过热等静压处理后得到陶瓷介质F。借助本发明得到的陶瓷介质F的电介质微观结构及介电性能得到调控，从而使陶瓷电介质的介电性能得到显著的提高，介电常数和电阻率显著提高，介质损耗降低。
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公开(公告)号：CN104361967A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410662340.0
申请日：2014-11-19
申请人： 广州天极电子科技有限公司
IPC分类号： H01C17/075
摘要： 本发明公开一种离子注入调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法，将需要注入氮离子的氮化钽薄膜电阻放置于离子注入设备的工件放置区，将离子注入设备抽真空达到1.0×10-4-1.0×10-5Pa之间，向离子注入设备中充入纯度大于等于99.99%的高纯氮气，使离子注入腔体的真空度维持在0.1-10Pa之间，启动注入电源，氮气电离，氮离子进入氮化钽薄膜，即完成注入，关闭离子注入电源，腔体继续充入氮气直到1.01×105Pa，打开腔体，取出薄膜电阻器；该离子注入调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法通过离子注入调控N原子的含量，从而达到控制氮化钽薄膜电阻器电阻值的目的。
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公开(公告)号：CN104361963A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410659189.5
申请日：2014-11-19
申请人： 广州天极电子科技有限公司
摘要： 本发明公开一种表面贴装型的薄膜电阻器及其制造方法，包括陶瓷基片、金属材料和电阻材料，所述电极和电阻材料分别附着于陶瓷基片上，所述陶瓷基片的表面和端面加工成圆角，所述金属材料的表面和端面电极也加工成圆角；该表面贴装型的薄膜电阻器及其制造方法对表面贴装型薄膜电阻器进行了改进，将表面的电极与侧面的电极交接的区域的直角设计加工成圆角，从而大大提高了表面的电极与侧面的电极交接的区域的强度，同时减少了电信号传输的损耗。
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公开(公告)号：CN204257627U
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201420757915.2
申请日：2014-12-04
申请人： 广州天极电子科技有限公司
IPC分类号： H01L23/492
摘要： 本实用新型公开一种带金锡共晶焊盘的薄膜集成电路，包括陶瓷基片，所述陶瓷基片表面覆有金属电极，所述金属电极在陶瓷基片上形成电路图形，所述陶瓷基片上还设有待电镀金锡共晶焊盘窗口，所述待电镀金锡共晶焊盘窗口上电镀有金锡合金层；该带金锡共晶焊盘的薄膜集成电路提高了薄膜电路金锡共晶封装的效率以及降低封装所用金锡焊料成本。
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