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公开(公告)号：CN118762896A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410821594.6
申请日：2024-06-24
申请人： 广东省埃森塔科技有限公司
IPC分类号： H01C17/08 , H01C17/02 , H01C17/12 , H01C17/28 , H01C7/00 , H01C1/012 , H01C1/16 , H01C1/144 , H01C1/02
摘要： 本发明涉及传感器技术领域，特别是一种高精度铂电阻的制造方法及其结构，方法是：首先选用热膨胀系数与铂相同或相近的绝缘材料制备基板；然后通过物理气相沉积在基板上方制备热膨胀系数与铂相同或相近的第一过渡层以及在铂薄膜层的电阻部制备第二过渡层，其中铂薄膜层通过脉冲直流或高功率磁控溅射工艺在第一过渡层的上方制备；最后通过丝网印刷工艺在第二过渡层的上方制备保护层，并在铂薄膜层的第一焊盘部和第二焊盘部制备引线焊盘层以及引线的一端焊接在引线焊盘层后，丝网印刷制备焊盘保护层包封引线的一端和引线焊盘层；从而铂薄膜层杂质少，各层间热膨胀系数相匹配，消除了层间热应力，提高了铂电阻的精度、稳定性和可靠性，且生产效率高。
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公开(公告)号：CN117637266A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311684305.4
申请日：2023-12-11
申请人： 南京大学
IPC分类号： H01C7/00 , H01C17/075 , H01C17/12
摘要： 本发明涉及一种双层膜结构的埋嵌电阻薄膜材料，所述材料包括衬底、铝‑镍铬双层薄膜，其中双层膜结构插入层薄膜为铝薄膜，顶层薄膜为镍铬薄膜，所述双层膜结构埋嵌式薄膜电阻材料沉积于衬底上，通过电子界面散射效应，实现了器件方阻的调控，调控范围从24至478Ω/sq，可重复性高，在‑20～200℃升降温循环测试过程中同一温度下方阻变化不超过±0.2％，相较于同等条件下的单层NiCr埋阻其电阻温度系数最多可降低50％。
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公开(公告)号：CN117457305A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311304545.7
申请日：2023-10-10
申请人： 福建毫米电子有限公司
摘要： 一种片式高功率金刚石芯片电阻器的制备工艺，采用磁控溅射法分别在金刚石基板表面及背面上溅射氮化钽电阻层、钛金属层、铂金属层和金层形成电极层与背电极，然后对电极层依次完成曝光显影、刻蚀工序以在金刚石基板表面形成膜状电阻、第一电极及第二电极；膜状电阻，设置在金刚石基板的中部；第一电极，设置在膜状电阻的一侧，一端与膜状电阻连接，另一端向外蜿蜒延伸；第二电极，设置在膜状电阻另一侧，一端与膜状电阻连接，另一端沿其侧面向下延伸与背电极连接；本发明制备的金刚石芯片电阻器优化了金刚石芯片电阻器在整个频段下的电性能指标，提高了产品可应用的频段，同时500W的高功率可以满足多种场景下的使用，满足了需要的设计要求。
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公开(公告)号：CN117292909A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311179284.0
申请日：2023-09-13
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司
摘要： 本发明属于薄膜片式电阻领域，具体公开一种薄膜片式电阻及其制备方法。本发明通过双靶磁控溅射沉积技术，利用两种不同方阻和TCR的靶材，性能上取长补短，在基板上原位条件下交替沉积和/或共沉积多层膜或混合膜制得了高阻值低TCR的薄膜片式电阻，其平均方阻1～2kΩ/sq，TCR≤±10ppm/℃，厚度≥50nm，同时利用该薄膜片式电阻制备的电阻器可靠性良好，满足各项电气性能和环境测试要求。
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公开(公告)号：CN117116580A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202210527834.2
申请日：2022-05-16
申请人： 安徽翔胜科技有限公司
发明人： 孙标
IPC分类号： H01C7/00 , H01C17/12 , H01C17/075
摘要： 本发明属于电子元器件技术领域，具体涉及一种LED薄膜电阻及其制备方法，所述LED薄膜电阻，包括基板，所述基板上下表面分别设置电阻层和背电极，所述电阻层的上方对应背电极的位置设置正电极，所述正电极和背电极之间通过基板端部的导电层进行连接，所述电阻层的上方还设有调阻结构和保护层，所述基板表面设置第一电镀层和第二电镀层，第一电镀层与保护层的端面连接，第二电镀层覆盖第一电镀层，且第二电镀层也与保护层的端面连接。本发明利用陶瓷基板为载体，分别对陶瓷基板的背面电极和正面电阻采用真空溅镀，能够减少金属离子活动，增加高温老化，释放内应力；同时能够去除昂贵的电阻油墨，达到降低制造成本的效果，从而具有较低的成本优势。
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公开(公告)号：CN113257503B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202110520560.X
申请日：2021-05-13
申请人： 中国科学院新疆理化技术研究所
摘要： 本发明公开了一种全无机柔性热敏器件及其制备方法，该器件由柔性衬底，沉积于衬底上的缓冲层，沉积于缓冲层上的热敏薄膜，沉积于薄膜上的分形电极及沉积于电极上的绝缘层组成，采用的溅射方法为直流溅射或射频溅射制成，该器件结构简单，质量轻薄，同时薄膜结晶度较好，粗糙度较小，对温度的灵敏度较好，重复性好，操作简单，实现薄膜的较大面积生长，且生长的薄膜均匀性较好。为柔性热敏器件的研究和开发奠定了基础。通过镀膜工艺与半导体工艺的兼容，实现光刻和离子刻蚀，从而能够更高效的实现柔性器件的产业化生产，实现了热敏薄膜从基础研究向实用化研究转变的过程。适用于各种热敏薄膜，对各类薄膜型热敏电阻器的开发均具有普适性。
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公开(公告)号：CN111816396A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010536024.4
申请日：2020-06-12
申请人： 安徽昭田电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种低温度系数金属膜电阻器，所述电阻器本体包括基体、包裹在基体外侧的金属膜、连接在金属膜前后端的第一电极帽和第二电机帽，所述电阻器本体的外部涂附有油漆层；所述第二电机帽的后端通过防护管连接于环氧树脂块，所述第二电机帽内设有插入至防护管内的T型固定塞，所述防护管的内部后端插入有限位塞，所述引脚后端依次经由经由T型固定塞、防护管和限位塞贯穿；所述限位塞的后端插入至环氧树脂块上的定位孔，所述防护管后端外侧的固定环通过螺钉固定于定位孔前部的凹槽。本发明提高对引脚的防护作用，使其结构更牢固；使得防护管与环氧树脂块的连接牢固，有效起到保护引脚的作用；电阻器本体工作时产生的热量会很快散失。
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公开(公告)号：CN111540555A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201911300336.9
申请日：2019-12-16
申请人： 南京先正电子股份有限公司
IPC分类号： H01C17/12 , H01C17/245 , C23C14/14 , C23C14/34
摘要： 本发明属于电子元件制作工艺技术领域。本发明的技术方案为：一种提高精密金属膜电阻稳定性的方法，包括以下步骤：步骤一，提供一表面覆盖有绝缘层的基板；步骤二，采用直流溅射技术使合金附着在步骤一中所述基板的另一表面形成一层导电金属膜；步骤三，刻槽、点焊熔接，喷砂调阻，控制高精密金属膜电阻的阻值；步骤四，高温处理，使精密金属膜电阻膜层表面因喷砂调阻时被刚玉碰撞产生的损伤及时形成一层薄的致密的金属氧化物保护层；步骤五，封装待用。本发明的有益效果是，对喷砂调阻后的电阻增加短时高温处理后，生产的精密金属膜电阻包括室温储存在内稳定性水平明显提高。
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公开(公告)号：CN110335730A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910383849.4
申请日：2019-05-09
申请人： 广州天极电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及电阻元件技术领域，尤其涉及一种薄膜电阻器及其制备方法。本发明提供的薄膜电阻器，包括基板、薄膜电阻层和电极层；所述薄膜电阻层包括NbN薄膜层和TaN薄膜层；所述NbN薄膜层与基板接触，所述TaN薄膜层与电极层接触。本发明所述的薄膜电阻层通过将NbN薄膜和TaN薄膜复合，可以显著提高氮化钽电阻材料的功率密度；根据实施例的记载，本发明所述的薄膜电阻器的功率密度可达到12.2～17.6W/mm2，较TaN薄膜单独作为电阻材料层时的功率密度提高了50～120％。
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