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公开(公告)号:CN104137284A
公开(公告)日:2014-11-05
申请号:CN201380011933.4
申请日:2013-02-19
申请人: 国立大学法人九州大学 , 琳得科株式会社
摘要: 本发明提供导热系数低、热电性能指数提高了的热电转换材料及其制造方法;本发明的热电转换材料在基板上形成有热电半导体层,所述基板具有纳米结构,所述纳米结构是纳米级的微细孔状,所述热电半导体层是将热电半导体材料成膜而形成的,其中,所述基板是由嵌段共聚物形成的嵌段共聚物基板,所述嵌段共聚物由聚甲基丙烯酸甲酯单元和含多面体低聚倍半硅氧烷的聚甲基丙烯酸酯单元构成,所述热电半导体材料是p型碲化铋或n型碲化铋;以及,本发明的热电转换材料的制造方法包括:基板制作工序,制作具有所述纳米结构的嵌段共聚物基板;和成膜工序,将p型碲化铋或n型碲化铋成膜而形成热电半导体层。
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公开(公告)号:CN103732719A
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:CN201280008581.2
申请日:2012-03-05
申请人: 国立大学法人九州大学 , 松下电器产业株式会社 , 琳得科株式会社
IPC分类号: C09K11/06 , C07D213/16 , C07F15/00 , H01L51/50
CPC分类号: H01L51/0087 , C07D213/16 , C07F5/02 , C07F15/0086 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/185 , H01L51/0072 , H01L51/008 , H01L51/009 , H01L51/5016
摘要: 本发明提供磷光发光材料、磷光发光材料的制造方法以及磷光发光元件,即提供形成薄膜时的水平取向性等优异的磷光发光材料、这样的磷光发光材料的有效率的制造方法、以及使用这样的磷光发光材料的发光元件。其特征在于,是下述通式(1)表示的磷光发光材料,该磷光发光材料的制造方法,以及使用磷光发光材料的发光元件,磷光发光材料在分子内具有直链状的共轭体系结构、2-苯基吡啶配位基、中心金属和β-二酮型配位基。(通式(1)中,末端取代基R1和R2为氢原子、碳原子数1~20的烷基等;a~l和o~s为氢原子等;中心金属M为铂等;重复数m和n为0~4的整数)。
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公开(公告)号:CN103430624A
公开(公告)日:2013-12-04
申请号:CN201280011161.X
申请日:2012-03-02
申请人: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人九州大学
CPC分类号: H01L51/0008 , C23C14/04 , C23C14/12 , C23C14/243 , H01L27/3211 , H01L27/3281 , H01L51/001 , H01L51/0011 , H01L51/56
摘要: 本发明的目的在于不使用阴影掩膜板而利用蒸镀法在基板上高效率地分涂形成多个线状薄膜。该蒸镀装置作为基板结构具有:以能够搬入搬出的方式收容处理对象的玻璃基板(S)的处理室(腔室)(10);在该处理室(10)内保持基板(S)并使其在水平的一个方向(X方向)上移动的移动机构(12);分别使多种(例如7种)有机物层的原料或成膜材料个别地蒸发而生成原料气体的蒸发机构(14);从该蒸发机构(14)接收上述多种(7种)原料气体,将这些原料气体向移动的基板(S)喷出的原料气体喷出部(16);和控制装置内的各部分和整体的状态、模式或动作的控制器(18)。
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公开(公告)号:CN103402981A
公开(公告)日:2013-11-20
申请号:CN201280010405.2
申请日:2012-02-23
申请人: 保土谷化学工业株式会社 , 国立大学法人九州大学
IPC分类号: C07D213/22 , C09K11/06 , H05B33/14 , H05B33/22
CPC分类号: H01L51/0054 , C07D213/22 , C07D273/00 , C07D498/18 , C09K11/06 , C09K2211/1425 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/0067 , H01L51/5012 , H01L51/5072 , H01L51/5092 , H05B33/14
摘要: 本发明提供一种有机化合物,其作为低功耗的有机电致发光器件用途的材料,具有电子的注入/传输性能优异的特性。进而提供一种使用了该化合物的低功耗的有机电致发光器件。一种通式(1)或(2)所示的具有被取代的联吡啶基和三亚苯环结构的化合物。一种有机电致发光器件,其特征在于,其具有一对电极和其间夹设的至少一层有机层,其中,该化合物被用作至少一个有机层的构成材料。
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公开(公告)号:CN103391922A
公开(公告)日:2013-11-13
申请号:CN201280010393.3
申请日:2012-02-23
申请人: 保土谷化学工业株式会社 , 国立大学法人九州大学
IPC分类号: C07D213/22 , C07D213/38 , C09K11/06 , H05B33/14 , H05B33/22
CPC分类号: H01L51/0067 , C07D209/86 , C07D213/22 , C07D401/14 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1029 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L51/5052 , H01L51/5056 , H05B33/14 , Y10S428/917
摘要: 本发明提供发光层的主体化合物,其作为高效率的有机电致发光器件用途的材料,具有高的三重态激发能级,能够完全地封闭磷光发光体的三重态激子,进而提供一种使用该化合物且高效率、高亮度的有机电致发光器件。一种通式(1)所示的具有联吡啶基和邻三联苯结构的化合物。一种有机电致发光器件,其特征在于,其具有一对电极和其间夹设的至少一层有机层,其中,该化合物被用作至少一个有机层的构成材料。
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公开(公告)号:CN109792134B
公开(公告)日:2022-08-16
申请号:CN201880003730.3
申请日:2018-02-07
申请人: 国立大学法人九州大学 , 株式会社考拉科技
IPC分类号: H01S5/36
摘要: 本发明公开了一种电流注入式有机半导体激光二极管,其包括一对电极、光学谐振器结构及一个以上的包含由有机半导体组成的光放大层的有机层,所述电流注入式有机半导体激光二极管在电流注入期间,激子密度的分布与谐振光模式的电场强度分布之间存在足够的重叠以发射激光。
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公开(公告)号:CN114450814A
公开(公告)日:2022-05-06
申请号:CN202080067864.9
申请日:2020-09-25
申请人: 国立大学法人九州大学 , 株式会社考拉科技
发明人: S·D·A·桑达纳亚卡 , K·P·W·B·S·B·卡鲁纳提拉卡 , U·巴里加帕里 , A·M·C·塞内维拉斯 , 松岛敏则 , 安达千波矢
IPC分类号: H01L51/50 , H01S5/36 , C09K11/06 , C07F9/6568
摘要: 本发明提供一种在发光层中包含由下述通式表示的化合物的激光元件。R1及R5表示哈米特的σp值为正的取代基,R2~R4、R6~R15表示氢原子或取代基。
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公开(公告)号:CN111303150B
公开(公告)日:2021-10-19
申请号:CN202010144536.6
申请日:2020-03-04
申请人: 苏州大学 , 国立大学法人九州大学
IPC分类号: C07D471/16 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
摘要: 本发明公开了一类新型高效窄半峰宽的聚集态发光材料——氮杂三角烯衍生物,其制备方法以及在电子器件中的用途,本发明还涉及所述电子器件本身。特别是,本发明所涉及的氮杂三角烯衍生物在稀溶液中表现出弱的单体荧光发射,而其在聚集态下表现出不同于单体荧光特征的明显红移的发光光谱,且具有极高的荧光量子产率及高效的热激活延迟荧光的性质。因此以该类氮杂三角烯作为荧光染料制备成的电子器件具有高效率以及高色纯度的优点。
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公开(公告)号:CN108473425B
公开(公告)日:2021-09-28
申请号:CN201680076846.0
申请日:2016-12-28
申请人: 九州有机光材股份有限公司 , 国立大学法人九州大学
IPC分类号: C07D209/86 , C09K11/06 , H01L51/50
摘要: 本发明涉及一种化合物、发光材料及有机发光元件。具有下述通式所表示的结构的化合物放射延迟荧光,作为发光材料有用。R1、R2、R3、R4及R5中的1个以上表示在1位或8位的至少一个具有取代基的9‑咔唑基、在1位或9位的至少一个具有取代基的10‑吩噁嗪基或10‑吩噻嗪基。其余表示氢原子或取代基。
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