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公开(公告)号：CN104137284A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201380011933.4
申请日：2013-02-19
申请人： 国立大学法人九州大学 , 琳得科株式会社
摘要： 本发明提供导热系数低、热电性能指数提高了的热电转换材料及其制造方法；本发明的热电转换材料在基板上形成有热电半导体层，所述基板具有纳米结构，所述纳米结构是纳米级的微细孔状，所述热电半导体层是将热电半导体材料成膜而形成的，其中，所述基板是由嵌段共聚物形成的嵌段共聚物基板，所述嵌段共聚物由聚甲基丙烯酸甲酯单元和含多面体低聚倍半硅氧烷的聚甲基丙烯酸酯单元构成，所述热电半导体材料是p型碲化铋或n型碲化铋；以及，本发明的热电转换材料的制造方法包括：基板制作工序，制作具有所述纳米结构的嵌段共聚物基板；和成膜工序，将p型碲化铋或n型碲化铋成膜而形成热电半导体层。
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公开(公告)号：CN104137284B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201380011933.4
申请日：2013-02-19
申请人： 国立大学法人九州大学 , 琳得科株式会社
摘要： 本发明提供导热系数低、热电性能指数提高了的热电转换材料及其制造方法；本发明的热电转换材料在基板上形成有热电半导体层，所述基板具有纳米结构，所述纳米结构是纳米级的微细孔状，所述热电半导体层是将热电半导体材料成膜而形成的，其中，所述基板是由嵌段共聚物形成的嵌段共聚物基板，所述嵌段共聚物由聚甲基丙烯酸甲酯单元和含多面体低聚倍半硅氧烷的聚甲基丙烯酸酯单元构成，所述热电半导体材料是p型碲化铋或n型碲化铋；以及，本发明的热电转换材料的制造方法包括：基板制作工序，制作具有所述纳米结构的嵌段共聚物基板；和成膜工序，将p型碲化铋或n型碲化铋成膜而形成热电半导体层。
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公开(公告)号：CN118742180A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410341629.6
申请日：2024-03-25
申请人： 琳得科株式会社
IPC分类号： H10N10/13 , H10N10/817
摘要： 本发明提供热电转换材料的芯片的电阻值受到抑制、且具有优异的冷却性能的帕尔贴冷却热电转换模块，该帕尔贴冷却热电转换模块的热电转换材料的芯片的膜厚小于200μm。
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公开(公告)号：CN114868264A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202080087112.9
申请日：2020-12-01
申请人： 琳得科株式会社
摘要： 本发明提供电导率高、在用于热电转换组件时能够表现出高热电转换效率、且在制造时不易发生翘曲的热电转换体、其制造方法、以及使用其的热电转换组件。本发明涉及热电转换体、包含该热电转换体的热电转换组件、以及热电转换体的制造方法，所述热电转换体是包含热电半导体材料和耐热性树脂的组合物的烧制体，其中，将所述耐热性树脂升温时在400℃的重量设为100％，其进一步减少5％重量的温度为480℃以下。
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公开(公告)号：CN112602202A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201980055211.6
申请日：2019-08-27
申请人： 琳得科株式会社
摘要： 本发明提供能够以不具有与电极的接合部的形态进行热电转换材料的退火处理、从而能够以最佳的退火温度实现热电半导体材料的退火的热电转换材料的芯片(3a,3b)的制造方法、以及使用了通过该制造方法得到的芯片的热电转换组件的制造方法。该热电转换材料的芯片(3a,3b)的制造方法是制造由热电半导体组合物形成的热电转换材料的芯片的方法，该方法包括：(A)在基板(1)上形成牺牲层(21)的工序；(B)在所述牺牲层上形成由所述热电半导体组合物形成的热电转换材料层(3)的工序；(C)对所述热电转换材料层进行退火处理的工序；(D)将退火处理后的热电转换材料层转印至粘合剂层(11b)的工序；(E)将热电转换材料层单片化为热电转换材料的芯片的工序；以及(F)将单片化后的热电转换材料的芯片剥离的工序。
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公开(公告)号：CN110235261A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201880008368.9
申请日：2018-01-24
申请人： 琳得科株式会社
摘要： 本发明提供一种能够对热电转换模块内部的热电元件在面内方向赋予足够的温度差的具有高热电性能的挠性热电转换元件及其制造方法，在该挠性热电转换元件中，在膜基板的一面交替且相邻地配置有P型热电元件和N型热电元件的热电转换模块中，在该热电转换模块的两面中至少所述膜基板的另一面侧的部分位置包含由高导热性材料形成的高导热层，所述高导热层的导热系数为5～500(W/m·K)。
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公开(公告)号：CN105580150B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201480051534.5
申请日：2014-09-24
申请人： 琳得科株式会社
IPC分类号： H01L35/30 , C09J7/00 , C09J9/00 , C09J11/04 , C09J175/04 , C09J183/04 , C09J201/00 , H01L35/32 , H01L35/34 , H02N11/00
摘要： 本发明提供一种导热性粘接片、其制造方法、以及使用了该导热性粘接片的电子器件，所述导热性粘接片能够不通过粘接剂层而容易地叠层在电子器件上，而且能够选择性地在特定方向上放出热，从而对该电子器件内部赋予充分的温差。本发明的导热性粘接片具有高导热部和低导热部，该高导热部和该低导热部具有粘接性，并且该高导热部、该低导热部各自独立地构成了导热性粘接片的全部厚度、或者它们的至少一个构成了导热性粘接片的厚度的一部分。本发明还提供上述导热性粘接片的制造方法、以及使用了该导热性粘接片的电子器件。
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公开(公告)号：CN104115295B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201380010650.8
申请日：2013-02-19
申请人： 国立大学法人九州工业大学 , 琳得科株式会社
摘要： 本发明提供具有控制在纳米级的微孔的结构、导热率低、热电性能指数提高了的热电转换材料。热电转换材料，其是在包含具有微孔的嵌段共聚物的嵌段共聚物基板上形成有热电半导体层的热电转换材料，其中，前述嵌段共聚物由聚合物单元（A）与聚合物单元（B）构成，所述聚合物单元（A）包含均聚物的玻璃化转变温度为50℃以上的单体，所述聚合物单元（B）包含共轭二烯系聚合物。
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公开(公告)号：CN104641479B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201480002414.6
申请日：2014-07-25
申请人： 琳得科株式会社
摘要： 本发明提供一种热电转换材料及其制造方法，所述热电转换材料的热电性能和弯曲性优异，能够以低成本简便地制造。所述热电转换材料包括支撑体和在该支撑体上具有的薄膜，所述薄膜由含有热电半导体微粒、耐热性树脂和离子液体的热电半导体组合物形成。所述热电转换材料的制造方法是制造包括支撑体和在该支撑体上具有的薄膜的热电转换材料的方法，所述薄膜由含有热电半导体微粒、耐热性树脂和离子液体的热电半导体组合物形成，该方法包括：在支撑体上涂布含有热电半导体微粒、耐热性树脂和离子液体的热电半导体组合物并进行干燥而形成薄膜的工序，以及对该薄膜进行退火处理的工序。
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公开(公告)号：CN110235261B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201880008368.9
申请日：2018-01-24
申请人： 琳得科株式会社
摘要： 本发明提供一种能够对热电转换模块内部的热电元件在面内方向赋予足够的温度差的具有高热电性能的挠性热电转换元件及其制造方法，在该挠性热电转换元件中，在膜基板的一面交替且相邻地配置有P型热电元件和N型热电元件的热电转换模块中，在该热电转换模块的两面中至少所述膜基板的另一面侧的部分位置包含由高导热性材料形成的高导热层，所述高导热层的导热系数为5～500(W/m·K)。
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