公开(公告)号：CN113539834B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202110376723.1

申请日：2021-04-07

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 原淳雅 ,  旦野克典 ,  加渡干尚 ,  山野飒

IPC: H01L21/38 ,  H01L21/40 ,  H01L21/426 ,  H01L21/477

Abstract: 本公开提供能够降低故障的风险的半导体元件的制造方法。本公开的制造方法是半导体元件的制造方法，包括以下步骤：提供在氧化镓系单晶半导体层的表面上形成有金属电极层且在上述氧化镓系单晶半导体层的表面上的没有层叠上述金属电极层的露出部的至少一部分掺杂有掺杂剂的半导体元件前驱体；及对上述半导体元件前驱体进行退火处理，由此，使上述掺杂剂向上述氧化镓系单晶半导体层中的与上述金属电极层在层叠方向上重叠的部分扩散，在上述氧化镓系单晶半导体层与上述金属电极层之间形成肖特基结。

公开(公告)号：CN108796609B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201810370122.8

申请日：2018-04-24

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 土井雅喜 ,  大黑宽典 ,  加渡干尚 ,  佐藤友大 ,  关和明 ,  楠一彦 ,  岸田丰

IPC: C30B29/36 ,  C30B9/06

Abstract: 本发明涉及SiC单晶的制造方法和制造装置。提供可进行SiC单晶的长时间生长的基于溶液法的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴的晶种基板接触放入石墨坩埚且具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液从而使SiC单晶进行晶体生长的SiC单晶的制造方法，包括：利用感应线圈对Si‑C溶液进行电磁搅拌以使其流动，和利用电阻加热器对石墨坩埚的下部进行加热。

公开(公告)号：CN103282558B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201180062911.1

申请日：2011-12-26

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 龟井一人 ,  楠一彦 ,  矢代将齐 ,  冈田信宏 ,  加渡干尚 ,  坂元秀光 ,  大黑宽典

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/06

CPC classification number: C30B15/32 ,  C30B19/06 ,  C30B29/36 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1072

Abstract: 本发明提供一种能够抑制多晶体的生成的SiC单晶体的制造装置。在腔室（1）内容纳有夹具（41）和坩埚（6）。在坩埚（6）内容纳有SiC溶液（8）。夹具（41）包括晶种轴（411）和盖构件（412）。晶种轴（411）能够升降，在晶种轴（411）的下表面安装SiC晶种（9）。盖构件（412）配置在晶种轴（411）的下端部。盖构件（412）是下端敞开的壳体，且在内部配置晶种轴（411）的下端部。在制造SiC单晶体时，SiC晶种（9）浸渍在SiC溶液（8）中。进而，盖构件（412）的下端浸渍在SiC溶液（8）中。因此，盖构件（412）覆盖SiC溶液（8）中的、SiC单晶体周边的部分并进行保温。

公开(公告)号：CN104487619A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201380035149.7

申请日：2013-07-15

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 矢代将齐 ,  龟井一人 ,  楠一彦 ,  冈田信宏 ,  森口晃治 ,  大黑宽典 ,  坂元秀光 ,  加渡干尚

IPC: C30B19/04 ,  C30B29/36 ,  C30B19/06 ,  C30B15/10

CPC classification number: C30B15/10 ,  C30B15/32 ,  C30B19/04 ,  C30B19/067 ,  C30B29/36 ,  Y10T117/1032

Abstract: 用于溶液生长法的制造装置。该制造装置（10）包括籽晶架（28）和坩埚（14）。籽晶架（28）具有下端表面，该下端表面上附着有SiC籽晶（32）。坩埚（14）容纳有SiC溶液（15）。坩埚（14）包括圆柱形部分（34）、底部（36）和内盖（38）。底部（36）位于圆柱形部分（34）的下端。内盖（38）设置在圆柱形部分（34）中。内盖（38）具有通孔（40），当SiC溶液容纳在坩埚（14）中时，所述内盖（38）位于所述SiC溶液（15）的液面下方。