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公开(公告)号：CN102912300B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201210439190.8
申请日：2012-11-07
Applicant: 新疆大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种无催化剂辅助真空热蒸发制备SnS纳米片的方法，是通过以下工艺过程实现的：将S粉和金属Sn屑按1mol∶1mol的比例配制，先后置于钼片制成的电阻加热舟中作为蒸发源，并在舟上方0.9厘米-1.1厘米处放置ITO玻璃衬底，密闭蒸发炉，当真空蒸发炉内真空度达到1.8×10-2Pa～2.0×10-2Pa，加热电流达到130A，保持15分钟，即可得到SnS纳米片。本发明的特点是：所得的SnS纳米片形貌均一、产量大、无催化剂、制备方法简单、易于推广且适合大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN103991865A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410224140.7
申请日：2014-05-26
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开一种采用混合溶剂法制备掺氮石墨烯/ZnSe纳米复合材料的方法，其特征在于通过以下工艺实现：取适量氧化石墨烯配成石墨烯悬浮液；将ZnCl2加入氧化石墨烯悬浮液中，在温度60℃条件下充分搅拌，将Na2SeO3加入上述混合溶液，搅拌均匀；用水合肼、二已烯三胺和去离子水配制成一定体积比的混合溶剂，加入到混合溶液中搅拌均匀，转移到高压反应釜中，加热到 60℃～200℃反应24～96小时，即可到掺氮石墨烯/ZnSe纳米复合材料。本发明方法操作简单，对设备要求低，重复性好，成本低。
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公开(公告)号：CN103145192A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310105217.4
申请日：2013-03-28
Applicant: 新疆大学
IPC: C01G49/00 , C04B35/26 , C04B35/624
Abstract: 本发明公开了一种锰、镍共掺杂铁酸铋薄膜材料的制备方法。该方法是将原料硝酸铁、硝酸铋、乙酸锰和乙酸镍按配方通式BiFe1-2xMnxNixO3(0.0125≤x≤0.05)进行称量，在80℃条件下加入冰乙酸搅拌30min，然后在室温下加入乙二醇甲醚搅拌180min配成浓度为0.1-0.2mol/L的前驱液。利用旋涂法在氧化锡铟/玻璃或铂金衬底上制备出湿膜，随后预退火，最后将薄膜退火，重复预退火-薄膜退火过程10-20次得到最终的样品。本发明的特点在于：可以有效抑制铁酸铋中杂相生成；减小晶粒尺寸和薄膜表面的方均根粗糙度；提高样品的绝缘、铁电、铁磁和光性能；生产工艺简单，重现性好，成本低廉。
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公开(公告)号：CN102071467A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010545858.8
申请日：2010-11-16
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种铜掺杂控制ZnS纳米材料形貌和物相的方法。其是通过以下工艺过程实现的：以PVP作为表面活性剂，水合肼作为溶剂，分析纯的Zn(CH3COO)2·2H2O，(NH2)CS和Cu粉作为反应材料。0.3gPVP和40ml水合肼(约占内衬总体积的80％)置于清洗干净的反应釜中，放入磁子充分搅拌形成透明溶液。然后按摩尔比将分别为1∶4∶1和1∶4∶0.6将Zn(CH3COO)2·2H2O，(NH2)CS和Cu粉放入准备好的两个反应釜里，继续搅拌5～10分钟。最后将反应釜置于160℃环境中反应24h。反应结束后将反应釜自然冷却至室温，用去离子水和无水乙醇多次清洗去除过量的硫脲和其余副产物。最后在60℃的真空干燥箱中干燥6h以收集产物。所得产物即为六方结构和立方结构的ZnS纳米材料。本发明的方法简单，易于推广，适合于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN102040201A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010532909.3
申请日：2010-11-05
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种溶剂热可控制备ZnSe和ZnTe纳米材料的方法，是通过以下工艺过程实现的：将分析纯的Se源或Te源放入聚四氟乙烯内衬，加入乙醇胺溶剂使溶液体积占聚四氟乙烯内衬总体积的80％。磁搅拌数分钟，再加入分析纯的Zn源，磁搅拌均匀后密封反应釜，置于200℃烘箱中反应24小时，反应完成后清洗得到产物。本发明成功地用简单溶剂热方法在温和的条件下，通过改变Se源或Te源，首次在同一体系中一步可控合成具有闪锌矿或纤锌矿结构的ZnSe和ZnTe纳米材料。本发明的特点是：方法简单，成本低，产率高，产物均匀性好，可控性好，对环境危害小，易于推广且适合大规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101328615B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200810072867.2
申请日：2008-04-28
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发制备II-VI族半导体化合物CdTe纳米结构的方法。通过使用金属Bi粉末做催化剂，以CdTe粉末为原料，在真空度为2×10-2×10-3Pa的真空环境下，热蒸发原料，在衬底上催化生长纳米结构的CdTe薄膜。该方法操作简单易行，无需载气，具有沉积面积大、形貌较均匀、适用于多种衬底的特点。
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公开(公告)号：CN101851781A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010137608.0
申请日：2010-04-01
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种无催化剂辅助化学气相沉积法生长III-V族半导体化合物AlN单晶纳米带和纳米分支结构的方法，是通过以下工艺过程实现的：将0.2g纯度为99.99％的Al粉放入陶瓷舟中，并将经过用酒精和去离子水超声清洗的多晶Al2O3基片作为衬底扣置于源的正上方5mm处，将陶瓷舟置于管式炉的正中央区域。密闭好容器后开始抽真空，当刚玉管系统真空度达到1×10-2帕时将流量为200cm3/min(sccm)的氩气通入系统中。接着，对系统进行加热，当炉温达到1400℃时通入流量为30sccm的氨气，保持一小时。最后，停止加热系统当温度下降至800℃时关掉氨气，在氩气的保护气氛下自然冷却到室温。本发明制备出的纳米带和纳米分支结构为单晶态的AlN。本发明所得的氮化铝纳米带和纳米分支结构具有形貌较均匀、沉积面积较大的特点；本发明不使用任何催化剂，方法简单，易于推广。
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公开(公告)号：CN101328615A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810072867.2
申请日：2008-04-28
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发制备Ⅱ－Ⅵ族半导体化合物CdTe纳米结构的方法。通过使用金属Bi粉末做催化剂，以CdTe粉末为原料，在真空度为2×10－2－2×10－3Pa的真空环境下，热蒸发原料，在衬底上催化生长纳米结构的CdTe薄膜。该方法操作简单易行，无需载气，具有沉积面积大、形貌较均匀、适用于多种衬底的特点。
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