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公开(公告)号：CN107287577A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201610219674.X
申请日：2016-04-11
申请人： 新疆大学
CPC分类号： C23C16/305 , B82Y40/00 , C23C16/44
摘要： 本发明公开一种制备一维硒化铋纳米线的方法，是通过以下工艺过程实现的：采用无催化剂辅助的化学气相沉积法，在石墨纸衬底上生长一维硒化铋纳米线。商业购买的硒化铋粉末放在陶瓷舟中置于管式炉的中心位置，衬底为石墨纸。密封水平管式炉，用机械泵对系统抽真空，除去系统中的氧气。通入50~75sccm的氩气作载气，并对管式炉加热。当管式炉升温到680~750℃，保温90~270min。反应结束后，自然降温至室温，关掉氩气，在石墨纸上得到样品。本发明的特点在于：产物结晶性良好，对环境污染小，实验方法简单，易于操作、推广。
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公开(公告)号：CN104828791B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201510165006.9
申请日：2015-04-09
申请人： 新疆大学
摘要： 本发明公开了Ce掺杂GaN纳米线的制备方法，属于纳米材料及其制备的技术领域，通过两步（化学气相沉积法和固态烧结扩散法）制备Ce掺杂GaN纳米线：高纯Ga2O3粉、高纯Ce(NO3)3·6H2O粉和NH3气分别作为Ga源、Ce源和N源；将研磨后的Ga2O3粉末置于水平管式炉中央位置，并在管式炉下游放置Si衬底，对系统抽真空至5×10‑3Pa；在Ar气保护下对管式炉进行加热，1000℃时通入100sccm的NH3，同时Ar气增大到100sccm，在1100℃恒温2h，降温到1000℃时关闭NH3，Ar气调至30sccm，自然冷却后收集样品；将上述纳米线在0.2mol/L的Ce(NO3)3溶液中浸泡1min后退火，退火后的样品密封在充有0.05MPa Ar气的石英管中，在500℃下进行烧结，反应结束后迅速冷却，收集样品。本发明的特点是：制备工艺简单，成本低，对环境危害小，易于推广。
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公开(公告)号：CN104894531A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510172966.8
申请日：2015-04-14
申请人： 新疆大学
摘要： 本发明公开了一种制备稀土元素Sm掺杂GaN纳米线的制备方法：本方法为化学气相沉积法制备稀土元素Sm掺杂GaN纳米线，反应系统主要有真空系统、气路系统和水平管式炉三部分组成，高纯Ga2O3粉、高纯Sm2O3、NH3分别作为Ga源、Sm源和N源，称取一定比例的Ga2O3和Sm2O3粉体，研磨均匀混合后盛放到陶瓷舟中，一并置于炉管中央，同时下游低温区放置Si衬底，密封，将系统压强抽至1×10-3Pa，通入Ar，加热至1100℃时，改通NH3，保温2小时，将NH3转换为Ar，冷却至室温，取出Si衬底封存。
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公开(公告)号：CN104828791A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510165006.9
申请日：2015-04-09
申请人： 新疆大学
摘要： 本发明公开了Ce掺杂GaN纳米线的制备方法，属于纳米材料及其制备的技术领域，通过两步（化学气相沉积法和固态烧结扩散法）制备Ce掺杂GaN纳米线：高纯Ga2O3粉、高纯Ce(NO3)3·6H2O粉和NH3气分别作为Ga源、Ce源和N源；将研磨后的Ga2O3粉末置于水平管式炉中央位置，并在管式炉下游放置Si衬底，对系统抽真空至5×10-3Pa；在Ar气保护下对管式炉进行加热，1000℃时通入100sccm的NH3，同时Ar气增大到100sccm，在1100℃恒温2h，降温到1000℃时关闭NH3，Ar气调至30sccm，自然冷却后收集样品；将上述纳米线在0.2mol/L的Ce(NO3)3溶液中浸泡1min后退火，退火后的样品密封在充有0.05MPa Ar气的石英管中，在500℃下进行烧结，反应结束后迅速冷却，收集样品。本发明的特点是：制备工艺简单，成本低，对环境危害小，易于推广。
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公开(公告)号：CN103840158A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410106133.7
申请日：2014-03-21
申请人： 新疆大学
CPC分类号： H01M4/364 , H01M4/5815 , H01M4/625 , H01M10/0525
摘要： 本发明的目的在于提供一种可以大量制备石墨烯/二硫化钼的复合材料的新方法。具体步骤如下：1）以商业购买的葡萄糖和三聚氰胺为原料，通过高温裂解法制备石墨烯；2）将步骤1）制备的石墨烯与商业购买的氯化钼（MoCl5）分散于无水乙醇中，经超声、搅拌、真空干燥后，再研磨，得到混合原料。将混合原料置于方形陶瓷舟中，并将陶瓷舟放在一长度为90cm的水平管式炉中间部位，称取一定的硫粉置于另一方形陶瓷舟中，并将该方舟放于水平管式炉氩气入口处18cm处，密封水平管式炉后抽真空至10-4MPa，通入一定流速的氩气同时保持低压条件，升温到预设温度，保持该温度30min，最后在氩气保护下自然冷却至室温，在盛放混合原料的陶瓷舟中收集得到的产物。
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公开(公告)号：CN103771521A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410065185.4
申请日：2014-02-26
申请人： 新疆大学
摘要： 本发明公开了一种制备二硫化钨纳米薄片的方法，是通过以下工艺过程实现的：在容积为50mL的高压反应釜里，加入一定量的Li2CO3粉末、直接商业购买的WS2粉体及40mL有机溶剂苯甲醇溶液，将高压反应釜置在200oC温度下保持24-72小时，进行溶剂热反应；真空干燥收集反应产物，将其加入体积比为1:1的去离子水及NN-二甲基甲酰胺混合溶液，连续超声震荡12-24小时，真空干燥并收集最终产物，得到最后分层后的二硫化钨纳米薄片。其特点在于：产物结晶性、分散性较好，对环境污染小，实验方法简单，易于操作、推广。
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公开(公告)号：CN103173738A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310093231.7
申请日：2013-03-22
申请人： 新疆大学
摘要： 本发明公开了一种Ga空位可调的GaN纳米结构的制备方法，属于纳米材料及其制备的技术领域。本发明采用化学气相沉积法，以高纯Ga2O3粉和NH3气分别作为Ga源和N源，将Ga2O3粉置于陶瓷舟中，将陶瓷舟置于中央加热区，密封水平管式炉，炉内真空度抽至1×10-2Pa以下，通入流量为100sccm的氩气，对管式炉进行加热。温度达到980℃时，通入流量为100-200sccm的氨气并保持3h。停止加热，自然降温至600℃，再次打开加热装置，升温至980℃保持2h。自然冷却到室温，关掉氩气，取出样品。本发明的特点是：方法简单，成本低，产率高，产物均匀且可控性好，对环境危害小，易于推广。
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公开(公告)号：CN102205951B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110091772.7
申请日：2011-04-13
申请人： 新疆大学
摘要： 本发明公开了一种制备氮化铝和氮化镓纳米棒异质结阵列的方法，是通过以下工艺过程实现的：用两步化学气相沉积(CVD)方法来制备，第一步，在CVD管式炉中，用无水三氯化铝(AlCl3)作为铝(Al)源，通入氨气(NH3)作为氮(N)源，反应后得到白色片状独立自支撑的AlN纳米棒阵列；第二步，在白色片状AlN纳米棒阵列上镀金(Au)作为催化剂，在CVD管式炉中，用金属镓(Ga)和NH3作为反应源在AlN纳米棒阵列上生长GaN的异质结。本发明所制备材料为氮化铝和氮化镓纳米棒阵列，其特点是：在微观上为纳米棒异质结阵列，在宏观上为独立、自支撑的白色薄片。
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公开(公告)号：CN102432059A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110292468.9
申请日：2011-09-29
申请人： 新疆大学
摘要： 本发明公开了一种化学气相沉积制备ZnO纳米结构的方法，其特征在于通过以下工艺实现：称取一定量的Zn粉（99.9%），置于陶瓷舟内，将陶瓷舟推入内衬有石墨纸的石英管式炉中心；两端密闭，用机械泵抽至0.1Pa,通入氩气洗气30分钟，以10℃/Min的升温速率加热至800℃，同时在氩气管的入口接有一个玻璃瓶（体积2L）,瓶内装有200ml丙酮，氩气在瓶内起泡将丙酮带入石英管与Zn蒸汽反应，氩气流量50sccm,反应2小时，自然冷却至室温；在下游管口处内衬石墨纸上收集样品。本发明的特点在于：工艺简单，无催化剂；产物物相、形貌可控；产量大，成本低，对环境无危害，易于推广。
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